画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 基本製品番号 | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | 現在 | 電圧 | 電圧 -分離 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FSAM75SM60SL | 46.6600 | ![]() | 240 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | SPM® | バルク | アクティブ | 穴を通して | 32-POWERDIP モジュール(1.370 "、34.80mm) | IGBT | FSAM75 | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3フェーズ | 75 a | 600 V | 2500VRMS | ||
![]() | FPDB50PH60 | 39.0400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | PFCSPM®3 | チューブ | アクティブ | 穴を通して | 27-POWERDIP モジュール(1.205 "、30.60mm) | IGBT | FPDB50 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 2フェーズ | 30 a | 600 V | 2500VRMS | ||
![]() | FCBB20CH60SF | 15.6500 | ![]() | 162 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 穴を通して | モジュール | - | FCBB2 | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | ||||
![]() | FSB50550US | 5.0500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | spm®5 | バルク | アクティブ | 表面マウント | 23-Powersmd モジュール、ガルウィング | モスフェット | FSB50550 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 65 | 3フェーズ | 2 a | 500 V | 1500VRMS | ||
![]() | IRAM136-3063B2 | 33.5100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 国際整流器 | imotion™ | バルク | アクティブ | 穴を通して | 22-POWERSIP モジュール、 18 のリード、リードを形成しました | IGBT | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 10 | 3フェーズ | 30 a | 600 V | 2000VRMS | |||
![]() | FSB50825TB | 6.0700 | ![]() | 21 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | SPM® | バルク | アクティブ | 穴を通して | 23-powerdip モジュール(0.748 "、19.00mm) | フェット | FSB508 | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3フェーズ | 4 a | 250 v | 1500VRMS | ||
![]() | FSB70625 | 4.8000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | モーションSPM®7 | バルク | アクティブ | 表面マウント | 27-POWERLQFNモジュール | モスフェット | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 3相インバーター | 6.9 a | 1500VRMS | ||||
![]() | IRAMX30TP60A | 1.0000 | ![]() | 1174 | 0.00000000 | 国際整流器 | imotion™ | チューブ | アクティブ | 穴を通して | 23-POWERSIP モジュール、19 のリード、リードを形成しました | IGBT | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3フェーズ | 30 a | 600 V | 2000VRMS | |||
FSB50450UD | 6.0600 | ![]() | 489 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | spm®5 | バルク | アクティブ | 穴を通して | 23-POWERDIP モジュール(0.551 "、14.00mm) | モスフェット | FSB50450 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3フェーズ | 1.5 a | 500 V | 1500VRMS | |||
![]() | FSBF5CH60B | 13.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | モーションSPM®3 | バルク | アクティブ | 穴を通して | 27-POWERDIP モジュール(1.205 "、30.60mm) | IGBT | FSBF5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3フェーズ | 5 a | 600 V | 2500VRMS | ||
![]() | FSB50325T | 7.2900 | ![]() | 189 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | spm®5 | バルク | アクティブ | 穴を通して | 23-Powersmd モジュール、ガルウィング | モスフェット | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相インバーター | 1.5 a | 250 v | 1500VRMS | |||
![]() | IRAMX30TP60A-INF | - | ![]() | 7137 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | チューブ | アクティブ | 穴を通して | 23-POWERSIP モジュール、19 のリード、リードを形成しました | IGBT | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相インバーター | 30 a | 600 V | 2000VRMS | |||
![]() | FSAM15SH60A | 54.7400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | モーションSPM®2 | バルク | アクティブ | 穴を通して | 32-POWERDIP モジュール(1.370 "、34.80mm) | IGBT | FSAM15 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3フェーズ | 15 a | 600 V | 2500VRMS | ||
![]() | IRAM256-1067A2 | - | ![]() | 9536 | 0.00000000 | 国際整流器 | imotion™ | バルク | アクティブ | 穴を通して | 29-POWERSSIP モジュール、21 のリード、リードを形成しました | IGBT | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3フェーズ | 10 a | 600 V | 2000VRMS | |||
![]() | IRAM136-1060BS | 1.0000 | ![]() | 3201 | 0.00000000 | 国際整流器 | imotion™ | バルク | アクティブ | 穴を通して | 29-SSIP モジュール、21 のリード、リードを形成しました | IGBT | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相インバーター | 3.6 a | 600 V | 2000VRMS | |||
![]() | FSBS3CH60 | 11.9400 | ![]() | 25 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | モーションSPM®3 | バルク | アクティブ | 穴を通して | 27-POWERDIP モジュール(1.205 "、30.60mm) | IGBT | FSBS3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3フェーズ | 3 a | 600 V | 2500VRMS | ||
![]() | FSBS5CH60 | 21.5100 | ![]() | 180 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | モーションSPM®3 | バルク | アクティブ | 穴を通して | 27-POWERDIP モジュール(1.205 "、30.60mm) | IGBT | FSBS5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 16 | 3フェーズ | 5 a | 600 V | 2500VRMS | ||
![]() | IRAM256-1067A | 1.0000 | ![]() | 2662 | 0.00000000 | 国際整流器 | imotion™ | チューブ | アクティブ | 穴を通して | 29-POWERSSIP モジュール、21 のリード、リードを形成しました | IGBT | ダウンロード | 適用できない | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3フェーズ | 10 a | 600 V | 2000VRMS | |||
![]() | FSBF10CH60BTS | - | ![]() | 1761 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 3 (168 時間) | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 17 | |||||||||||
![]() | CA3292am | 1.9300 | ![]() | 271 | 0.00000000 | ハリスコーポレーション | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 28-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | IGBT | ダウンロード | ROHS非準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相インバーター | 1.6 a | 36 v | - | |||
![]() | FNF51060TD1 | 8.0900 | ![]() | 766 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | モーションSPM®55 | バルク | アクティブ | 穴を通して | 20-POWERDIP モジュール(1.220 "、31.00mm) | IGBT | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けた | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3相インバーター | 10 a | 600 V | 1500VRMS | |||
![]() | AOZ5166QIS | - | ![]() | 1690 | 0.00000000 | アルファ&オメガ半導体Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | 40-POWERWFQFNモジュール | モスフェット | AOZ5166 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 785-AOZ5166QIST | ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1フェーズ | 60 a | - | ||
![]() | AOZ5312UQI_1 | - | ![]() | 5473 | 0.00000000 | アルファ&オメガ半導体Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | 31-POWERVFQFNモジュール | モスフェット | AOZ5312 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 785-AOZ5312UQI_1TR | ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 1フェーズ | 60 a | - | ||
![]() | FSB70250 | - | ![]() | 3632 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | モーションSPM®7 | バルク | アクティブ | 表面マウント | 27-POWERLQFNモジュール | モスフェット | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3フェーズ | 3.3 a | 500 V | 1500VRMS | ||||||
![]() | IRAM256-1567A | 1.0000 | ![]() | 7074 | 0.00000000 | 国際整流器 | imotion™ | バルク | 廃止 | 穴を通して | 29-POWERSSIP モジュール、21 のリード、リードを形成しました | IGBT | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3フェーズ | 15 a | 600 V | 2000VRMS | ||||||
![]() | FNA40860 | 9.1100 | ![]() | 364 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | spm®45 | バルク | アクティブ | 穴を通して | 26-POWERDIP モジュール(1.024 "、26.00mm | IGBT | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3フェーズ | 8 a | 600 V | 2000VRMS | ||||||
![]() | FNE41060 | 9.6300 | ![]() | 63 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | Motion-SPM® | バルク | アクティブ | 穴を通して | 26-POWERDIP モジュール(1.024 "、26.00mm | - | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | ||||||||
![]() | FSB50250AB | 5.2300 | ![]() | 180 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | SPM® | バルク | アクティブ | 穴を通して | 23-POWERDIP モジュール(0.644 "、16.35mm) | モスフェット | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 3フェーズ | 1.2 a | 500 V | 1500VRMS | ||||||
![]() | FSB50550A | 5.6200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | spm®5 | バルク | アクティブ | 穴を通して | 23-POWERDIP モジュール(0.573 "、14.56mm) | モスフェット | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 54 | 3フェーズ | 2 a | 500 V | 1500VRMS | ||||||
![]() | IRSM005-301MH | - | ![]() | 3443 | 0.00000000 | 国際整流器 | imotion™ | バルク | アクティブ | 表面マウント | 27-POWERVQFN | モスフェット | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ハーフブリッジ | 30 a | 100 V | - |
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