SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターカットオフ(最大) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
TN6717A Fairchild Semiconductor TN6717A 0.1200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 TN6717 1 W TO-226-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 80 v 1.2 a 100na(icbo) npn 350mv @ 10ma 、250ma 50 @ 250ma、1V -
BC857BW-TP Micro Commercial Co BC857BW-TP 0.0355
RFQ
ECAD 2267 0.00000000 Micro Commercial Co - バルク アクティブ -65°C〜150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 BC857 150 MW SOT-323 ダウンロード 353-BC857BW-TP ear99 8541.21.0075 1 45 v 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 220 @ 2MA 、5V 100MHz
DTA143TET1 onsemi DTA143TET1 1.0000
RFQ
ECAD 4812 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ DTA143 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 8541.21.0095 3,000
FJP5027O onsemi FJP5027O -
RFQ
ECAD 8801 0.00000000 onsemi - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 FJP5027 50 W TO-220-3 ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 200 800 V 3 a 10µa(icbo) npn 2V @ 300MA 、1.5a 20 @ 200ma 、5v 15MHz
JANSD2N3499 Microchip Technology jansd2n3499 41.5800
RFQ
ECAD 1624 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/366 バルク アクティブ -65°C〜200°C (TJ) 穴を通して to-205ad、to-39-3金属缶 1 W to-39 - 影響を受けていない 150-Jansd2N3499 1 100 V 500 Ma 10µa(icbo) npn 600MV @ 30MA、300MA 100 @ 150ma 、10V -
2SD863E-AE onsemi 2SD863E-AE 0.1400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 1
2SA1207T-AA Sanyo 2SA1207T-AA 0.1200
RFQ
ECAD 12 0.00000000 sanyo * バルク アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 1
2N2222AUA/TR Microchip Technology 2N222222AUA/TR 25.9217
RFQ
ECAD 1348 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 2N2222 テープ&リール( tr) アクティブ -65°C〜200°C (TJ) 表面マウント 4-SMD 650 MW 4-SMD - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-2N2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 ear99 8541.21.0095 1 50 v 800 Ma 50NA npn 1V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V -
MNS2N3637UB Microchip Technology MNS2N3637UB 12.1900
RFQ
ECAD 6676 0.00000000 マイクロチップテクノロジー * バルク アクティブ - 影響を受けていない 150-MNS2N3637UB 1
PN3642 Fairchild Semiconductor PN3642 0.0500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 45 v 500 Ma 50NA npn 220MV @ 15MA、150MA 40 @ 150ma 、10V -
JANSL2N2907A Microchip Technology jansl2n2907a 99.0906
RFQ
ECAD 5767 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/291 バルク アクティブ -65°C〜200°C (TJ) 穴を通して to-206aa 500 MW TO-18(to-206aa - 影響を受けていない 150-jansl2n2907a 1 60 V 600 Ma 50NA PNP 1.6V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V -
BCP53-10T1 onsemi BCP53-10T1 0.2600
RFQ
ECAD 46 0.00000000 onsemi - バルク アクティブ -65°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA BCP53 1.5 w SOT-223 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 1,000 80 v 1.5 a - PNP 500MV @ 50MA 、500MA 63 @ 150MA 、2V 50MHz
2SC1009A-T1B-AT Renesas Electronics America Inc 2SC1009A-T1B-AT 0.1500
RFQ
ECAD 47 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 1
NSS35200CF8TIG onsemi NSS35200CF8TIG 1.0000
RFQ
ECAD 6223 0.00000000 onsemi - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 8-SMD 、フラットリード 635 MW Chipfet™ - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 1 35 v 2 a 100NA PNP 300MV @ 20MA 、2a 100 @ 1.5a 、2V 100MHz
2N5317 Microchip Technology 2N5317 519.0900
RFQ
ECAD 2781 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -65°C〜200°C (TJ) スタッドマウント TO-211MA 87 W to-61 - 影響を受けていない 150-2N5317 ear99 8541.29.0095 1 80 v 10 a - PNP - - -
PN3643 Fairchild Semiconductor PN3643 0.0400
RFQ
ECAD 40 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 2,000 30 V 500 Ma 50NA npn 220MV @ 15MA、150MA 100 @ 150ma 、10V -
2SA1770S-AN Sanyo 2SA1770S-AN -
RFQ
ECAD 9850 0.00000000 sanyo - バルク アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して SC-71 2SA1770 1 W 3-NMP ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 1 160 v 1.5 a 1µa(icbo) PNP 500MV @ 50MA 、500MA 100 @ 100MA 、5V 120MHz
KSD1408OTU Fairchild Semiconductor KSD1408OTU 1.0000
RFQ
ECAD 9824 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック 25 W TO-220F-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.29.0095 50 80 v 4 a 30µa(icbo) npn 1.5V @ 300MA、3a 70 @ 500MA 、5V 8MHz
BC238BBU Fairchild Semiconductor BC238BBU 0.0200
RFQ
ECAD 5464 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 500 MW to-92-3 - ROHS3準拠 2156-BC238BBU-FS ear99 8541.21.0075 1,000 25 v 100 Ma 15na npn 600MV @ 5MA 、100mA 180 @ 2MA 、5V 250MHz
RJP63K2DPK-M2#T0 Renesas Electronics America Inc rjp63k2dpk-m2#t0 7.2000
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 1
MPS6521 Fairchild Semiconductor MPS6521 0.0400
RFQ
ECAD 116 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 625 MW to-92(to-226) ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0095 5,000 25 v 100 Ma 50na(icbo) npn 500MV @ 5MA 、50mA 300 @ 2MA 、10V -
MPSH24 Fairchild Semiconductor MPSH24 -
RFQ
ECAD 3934 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 3,322 30 V 50 Ma 50na(icbo) npn - 30 @ 8ma 、10V 400MHz
2SB772-GR-BP Micro Commercial Co 2SB772-GR-BP -
RFQ
ECAD 8913 0.00000000 Micro Commercial Co - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-225AA、to-126-3 2SB772 1.25 w TO-126 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0075 1,000 30 V 3 a 1µA PNP 500MV @ 200MA 、2a 200 @ 1a 、2V 50MHz
BUX32 Harris Corporation BUX32 -
RFQ
ECAD 2583 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ -65°C〜175°C 穴を通して to-204aa、to-3 150 W to-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.29.0075 3 800 V 8 a 200µA npn 2V @ 2a 、8a 8 @ 6a、3V 60MHz
2SC4520S-TD-E onsemi 2SC4520S-TD-E 0.2000
RFQ
ECAD 39 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.29.0075 1,000
D44D2 Harris Corporation D44D2 -
RFQ
ECAD 2720 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 2.1 w TO-220 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 8541.29.0095 110 40 v 6 a 10µA npn-ダーリントン 1.5V @ 5MA 、5a 2000 @ 1a 、2V -
IGB03N120H2ATMA1616 Infineon Technologies IGB03N120H2ATMA1616 -
RFQ
ECAD 8180 0.00000000 Infineon Technologies * バルク アクティブ - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー 1
2SA1020-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O -
RFQ
ECAD 3483 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 2SA1020 900 MW to-92mod ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 1 50 v 2 a 1µa(icbo) PNP 500mv @ 50ma、1a 70 @ 500MA 、2V 100MHz
2N2994 Microchip Technology 2N2994 27.6600
RFQ
ECAD 7538 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -65°C〜200°C (TJ) 穴を通して to-205aa、to-5-3 5 W to-5aa - 影響を受けていない 150-2N2994 ear99 8541.29.0095 1 100 V 1 a - npn 3V @ 50µA 、200µA - -
JANTX2N2222AP Microchip Technology jantx2n2222ap 15.0290
RFQ
ECAD 6039 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -65°C〜200°C (TJ) 穴を通して to-206aa 500 MW TO-18(to-206aa - 影響を受けていない 150-jantx2n2222ap 1 50 v 800 Ma 50NA npn 1V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫