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単一の双極トランジスタ（24245）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
KSA916YTA Fairchild Semiconductor KSA916YTA 0.0900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 900 MW to-92-3 ダウンロード ear99 8542.39.0001 3,845 120 v 800 Ma 100na（icbo） PNP 1V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 120MHz
JAN2N4449UA/TR Microchip Technology jan2n4449ua/tr 29.6058
RFQ
 ECAD 1003 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/317 テープ＆リール（ tr） アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 表面マウント 4-SMD 、リードなし 500 MW ua - 影響を受けていない 150-JAN2N4449UA/TR ear99 8541.21.0095 100 15 V 400na npn 450mv @ 10ma 、100ma 40 @ 10ma、1V -
2N5331 Microchip Technology 2N5331 660.6600
RFQ
 ECAD 5810 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） スタッドマウント TO-211MB 175 w to-63 - 影響を受けていない 150-2N5331 ear99 8541.29.0095 1 90 v 30 a - npn - - -
HGT1S14N41G3VLT Fairchild Semiconductor HGT1S14N41G3VLT 1.9100
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 フェアチャイルド半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 未定義のベンダー 2156-HGT1S14N41G3VLT-600039 1
PBHV8110DW_R2_00001 Panjit International Inc. PBHV8110DW_R2_00001 0.4300
RFQ
 ECAD 520 0.00000000 Panjit International Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA PBHV8110 2.6 W SOT-223 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3757-PBHV8110DW_R2_00001CT ear99 8541.29.0095 2,500 100 V 1 a 500na（icbo） npn 450mv @ 100ma、1a 140 @ 150MA 、2V 100MHz
NTE389 NTE Electronics, Inc NTE389 10.0100
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 nte Electronics、Inc - バッグ アクティブ -65°C〜150°C 穴を通して to-204aa、to-3 100 W to-3 ダウンロード ROHS3準拠 2368-NTE389 ear99 8541.29.0095 1 750 V 4 a 1ma npn 5V @ 1.2a、3a - 4MHz
2SAR544PHZGT100 Rohm Semiconductor 2SAR544PHZGT100 0.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA 500 MW SOT-89 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 1,000 80 v 2.5 a 1µa（icbo） PNP 400mv @ 50ma、1a 120 @ 100MA、3V 280MHz
NTE130MP NTE Electronics, Inc NTE130MP 9.6100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 nte Electronics、Inc - バッグ アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-204aa、to-3 115 W to-3 ダウンロード ROHS3準拠 2368-NTE130MP ear99 8541.29.0095 1 60 V 15 a 700µA npn 3V @ 3.3a 、10a 20 @ 4a 、4V 2.5MHz
KSH122TF-X onsemi KSH122TF-X -
RFQ
 ECAD 9084 0.00000000 onsemi - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント to-252-3 KSH12 1.75 w d-pak - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 100 V 8 a 10µA npn-ダーリントン 4V @ 80ma 、8a 1000 @ 4a 、4V -
MJL0281AG onsemi MJL0281AG -
RFQ
 ECAD 1707 0.00000000 onsemi - チューブ 廃止 -65°C〜150°C 穴を通して TO-264-3、TO-264AA MJL02 180 W TO-264 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 25 260 v 15 a 10µa（icbo） npn 1V @ 500MA 、5a 75 @ 3a 、5V 30MHz
PBSS5320D,125 NXP USA Inc. PBSS5320D、125 0.0700
RFQ
 ECAD 345 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PBSS5 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000
BC33825BU Fairchild Semiconductor BC33825BU 0.0200
RFQ
 ECAD 9649 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 4,380 25 v 800 Ma 100NA npn 700mv @ 50ma 、500ma 160 @ 100MA、1V 100MHz
JANSL2N2219A Microchip Technology jansl2n2219a 114.6304
RFQ
 ECAD 6052 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -55°C〜200°C 穴を通して to-205ad、to-39-3金属缶 800 MW to-39 - 影響を受けていない 150-jansl2n2219a 1 50 v 800 Ma 10na npn 1V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V -
2N4235 Solid State Inc. 2N4235 0.6000
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Solid State Inc. - バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-205ad、to-39-3金属缶 1 W to-39 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー 2383-2N4235 ear99 8541.10.0080 10 60 V 1 a 1ma PNP 600mv @ 125ma、1a 40 @ 100MA、1V 3MHz
TIP42B Fairchild Semiconductor TIP42B 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - チューブ 廃止 -65°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 2 W TO-220-3 ダウンロード ROHS非準拠 ear99 8541.29.0095 50 80 v 6 a 700µA PNP 1.5V @ 600MA 、6a 15 @ 3a 、4V 3MHz
NTE2341 NTE Electronics, Inc NTE2341 4.3900
RFQ
 ECAD 147 0.00000000 nte Electronics、Inc - バッグ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 1 W to-92 ダウンロード ROHS3準拠 2368-NTE2341 ear99 8541.29.0095 1 80 v 1 a 500na npn-ダーリントン 1.8V @ 1MA、1a 2000 @ 500MA 、10V 200MHz
2C6189 Microchip Technology 2C6189 24.3450
RFQ
 ECAD 6117 0.00000000 マイクロチップテクノロジー * バルク アクティブ - 影響を受けていない 150-2C6189 1
2N5496 NTE Electronics, Inc 2N5496 1.1600
RFQ
 ECAD 107 0.00000000 nte Electronics、Inc - バッグ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 40 W TO-220 ダウンロード ROHS非準拠 2368-2N5496 ear99 8541.29.0095 1 70 v 7 a 1ma npn 3.5V @ 3a 、7a 30 @ 2a 、4V 4MHz
2N7377 Microchip Technology 2N7377 324.9000
RFQ
 ECAD 3815 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-254-3、to-254aa 58 W TO-254AA - 影響を受けていない 150-2N7377 ear99 8541.29.0095 1 300 V 5 a - PNP - - -
PBHV9115TLH215 NXP Semiconductors PBHV9115TLH215 0.0900
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 NXP半導体 * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-PBHV9115TLH215-954 1
JANSL2N3019 Microchip Technology jansl2n3019 114.8808
RFQ
 ECAD 2384 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/391 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-205aa、to-5-3 800 MW to-5aa - 影響を受けていない 150-jansl2n3019 1 80 v 1 a 10na npn 500MV @ 50MA 、500MA 100 @ 150ma 、10V -
2SB880 onsemi 2SB880 0.5500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 544
BC307CG onsemi BC307CG -
RFQ
 ECAD 3486 0.00000000 onsemi - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 BC307 350 MW to-92（to-226） ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 5,000 45 v 100 Ma 15na PNP 250MV @ 5MA 、100mA 420 @ 2MA 、5V 280MHz
MPSA65 Fairchild Semiconductor MPSA65 0.0400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 -65°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 7,942 30 V 500 Ma 100na（icbo） pnp-ダーリントン 1.5V @ 100µA 、100mA 20000 @ 100MA 、5V 100MHz
2SD667L-D-BP Micro Commercial Co 2SD667L-D-BP -
RFQ
 ECAD 5746 0.00000000 Micro Commercial Co - バルク 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 2SD667 900 MW to-92l ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 353-2SD667L-D-BP ear99 8541.21.0075 1,000 80 v 1 a 10µa（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 160 @ 150ma 、5v 140MHz
NTE179 NTE Electronics, Inc NTE179 34.8000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 nte Electronics、Inc - バッグ アクティブ -65°C〜110°C （TJ 穴を通して to-204aa、to-3 106 W to-3 ダウンロード ROHS非準拠 2368-NTE179 ear99 8541.29.0095 1 40 v 25 a 20ma PNP 500MV @ 100MA 、5a 65 @ 1a 、2V 500kHz
2SB1430-AZ Renesas Electronics America Inc 2SB1430-AZ -
RFQ
 ECAD 9247 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0075 1
BC806-16WX Nexperia USA Inc. BC806-16WX 0.2100
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Nexperia USA Inc. aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント SC-70、SOT-323 BC806 500 MW SOT-323 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 80 v 500 Ma 100na（icbo） PNP 500MV @ 50MA 、500MA 63 @ 150MA 、2V 155MHz
PHPT60410PYX NXP Semiconductors phpt60410pyx 0.2100
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント SC-100 、SOT-669 1.3 w LFPAK56 、POWER-SO8 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 2156-PHPT60410PYX-954 ear99 8541.29.0095 1,550 40 v 10 a 100NA PNP 800mv @ 500ma 、10a 240 @ 500MA 、2V 97MHz
BCW30,215 Nexperia USA Inc. BCW30,215 0.2700
RFQ
 ECAD 136 0.00000000 Nexperia USA Inc. aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 BCW30 250 MW TO-236AB ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 32 v 100 Ma 100na（icbo） PNP 150MV @ 2.5MA 、50mA 215 @ 2MA 、5V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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