画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SA1207T | 0.0500 | ![]() | 1655 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 1,480 | |||||||||||||||
![]() | BC848BDW1T1 | 0.0200 | ![]() | 108 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||
![]() | BC857B/DG/B3215 | 0.0200 | ![]() | 69 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | BC857 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 Ma | 15NA | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 125 @ 2MA 、5V | 100MHz | ||
![]() | 2SB1026DMTL | 0.3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | |||||||||||||||
![]() | 2SA1827S-AY | - | ![]() | 4763 | 0.00000000 | sanyo | - | バルク | アクティブ | - | 穴を通して | TO-220-3タブなし | 2SA1827 | 1.5 w | FLP | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 100 V | 4 a | 1µa(icbo) | PNP | 500MV @ 200MA 、2a | 100 @ 500MA 、5V | 180MHz | ||
![]() | 2SB1115-T1 | 0.2600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | |||||||||||||||
![]() | 2SB827R | 1.1000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||
![]() | 2SD1900-02-E | 1.6600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||
![]() | MUN5113DW1T1 | 0.0500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.21.0095 | 7,788 | |||||||||||||||
![]() | 2SA1406D | - | ![]() | 3229 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||
![]() | 2SC4399-4-TL-E | 0.0500 | ![]() | 165 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||
![]() | BC847W-QF | 0.0252 | ![]() | 7356 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-BC847W-QFTR | ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 45 v | 100 Ma | 15NA | npn | 400MV @ 5MA 、100mA | 110 @ 2MA 、5V | 100MHz | |||
![]() | NTE2352 | 4.6400 | ![]() | 356 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | 3-sip | 1 W | 3-sip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-NTE2352 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 4 a | 20µa(icbo) | pnp-ダーリントン | 1.5V @ 6MA、3a | 2000 @ 1a 、2V | - | ||||
DPLS315E -13 | - | ![]() | 1342 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | DPLS315 | 1 W | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 15 V | 3 a | 100na(icbo) | PNP | 500mv @ 50ma、3a | 500 @ 10MA 、2V | 100MHz | |||
![]() | 2N6213 | - | ![]() | 1037 | 0.00000000 | Corp | - | チューブ | 廃止 | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | TO-213AA、to-66-2 | 35 W | to-66 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 1514-2N6213 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 350 V | 2 a | 5MA | PNP | 2V @ 125MA、1a | 10 @ 1a 、4V | 20MHz | |||
![]() | BC817K-25E6327 | 0.0400 | ![]() | 2669 | 0.00000000 | Infineon Technologies | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | BC817 | 500 MW | PG-SOT23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 6,010 | 45 v | 500 Ma | 100na(icbo) | 700mv @ 50ma 、500ma | 160 @ 100MA、1V | 170MHz | |||
![]() | NTE70 | 79.8000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | スタッドマウント | TO-211MB | 250 W | to-63 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 2368-NTE70 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 20 a | 10µA | npn | 3V @ 10a 、50a | 50 @ 20a 、4V | - | ||||
![]() | BC549C | 0.0241 | ![]() | 1642 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | 2796-BC549CTR | 8541.21.0000 | 4,000 | 30 V | 100 Ma | 15na | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 420 @ 2MA 、5V | 300MHz | |||
![]() | CEN853 | - | ![]() | 3976 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 廃止 | - | 影響を受けていない | 1514-Cen853 | 廃止 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | 2N5290 | 519.0900 | ![]() | 9932 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | スタッドマウント | TO-211MA | 116 W | to-61 | - | 影響を受けていない | 150-2N5290 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 10 a | - | PNP | - | - | - | ||||
![]() | BC547B B1 | - | ![]() | 9224 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | 廃止 | -65°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92 | ダウンロード | 影響を受けていない | 1801-BC547BB1 | 廃止 | 1 | 45 v | 100 Ma | 15NA | npn | - | 200 @ 2MA 、5V | - | |||||
![]() | NTE2637 | 8.3700 | ![]() | 58 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3フルパック | 60 W | to-3pml | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-NTE2637 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 700 V | 8 a | 1ma | npn | 1.5V @ 1.25a 、5a | 6 @ 5a 、5V | - | ||||
![]() | P2N2369ZL1 | - | ![]() | 1788 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Jansr2N222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 | 152.2210 | ![]() | 4124 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/255 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | 650 MW | ua | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-JANSR2N22222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 Ma | 50NA | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | - | |||
![]() | DXTP5860CFDB-7 | 0.1473 | ![]() | 4921 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 3-udfn露出パッド | DXTP5860 | 690 MW | u-dfn2020-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 60 V | 4 a | 100NA | PNP | 450mv @ 250ma 、5a | 170 @ 500MA 、2V | 130MHz | ||
![]() | 2SA1182-GR 、LF | 0.3200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 125°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 2SA1182 | 150 MW | s-mini | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 500 Ma | 100na(icbo) | PNP | 250MV @ 10MA 、100mA | 200 @ 100MA、1V | 200MHz | |||
![]() | 2SC3786 | 0.3400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||
![]() | KSA928ayta | 0.1400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 1 W | to-92-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 2,153 | 30 V | 2 a | 100na(icbo) | PNP | 2V @ 30MA 、1.5a | 160 @ 500MA 、2V | 120MHz | ||||||
![]() | KSB564aybu | - | ![]() | 3058 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | KSB56 | 800 MW | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 25 v | 1 a | 100na(icbo) | PNP | 500MV @ 100MA、1a | 120 @ 100MA、1V | 110MHz | |||
![]() | BC807-16WE6327 | 0.0200 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | PG-SOT23-3-11 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 500 Ma | 100na(icbo) | PNP | 700mv @ 50ma 、500ma | 100 @ 100MA、1V | 200MHz |
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