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双極（BJT ）（ 35082）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 得 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
UMH3NFHATN Rohm Semiconductor umh3nfhatn 0.3500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 UMH3 150MW UMT6 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 100 @ 1MA 、5V 250MHz
2N5615 Microchip Technology 2N5615 74.1300
RFQ
 ECAD 8564 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-204aa、to-3 58 W TO-204AD（to-3） - 影響を受けていない 150-2N5615 ear99 8541.29.0095 1 80 v 5 a - PNP 1.5V @ 500µA 、2.5mA - -
BC846BLP4-7B Diodes Incorporated BC846BLP4-7B 0.3000
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 3-xfdfn BC846 410 MW x2-dfn1006-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 10,000 65 v 100 Ma 15na npn 600MV @ 5MA 、100mA 200 @ 2MA 、5V 300MHz
TTA008B,Q Toshiba Semiconductor and Storage TTA008B、Q 0.6600
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - トレイ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 1.5 w 〜126n ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 250 80 v 2 a 100na（icbo） PNP 500MV @ 100MA、1a 100 @ 500MA 、2V 100MHz
2SC2922 Sanken 2SC2922 -
RFQ
 ECAD 9551 0.00000000 サンケン - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して 3-ESIP 200 W MT-200 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 2SC2922 DK ear99 8541.29.0075 250 180 v 17 a 100µa（icbo） npn 2V @ 800MA 、8a 30 @ 8V 、4V 50MHz
PMXB65ENE,147 NXP USA Inc. PMXB65ENE、147 0.2100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1
RN1908FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage rn1908fe 0.0639
RFQ
 ECAD 7284 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN1908 100MW ES6 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250MHz 22kohms 47kohms
MUN5135T1G onsemi MUN5135T1G 0.1800
RFQ
 ECAD 3545 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 MUN5135 202 MW SC-70-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 250mv @ 300µa 、10ma 80 @ 5MA 、10V 2.2 KOHMS 47 Kohms
BC847BSH-QX Nexperia USA Inc. BC847BSH-QX 0.0305
RFQ
 ECAD 7671 0.00000000 Nexperia USA Inc. aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 BC847 270MW 6-tssop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 45V 100mA 15NA 2 NPN （デュアル） 300MV @ 5MA 、100mA 200 @ 2MA 、5V 100MHz
MRF422MP MACOM Technology Solutions MRF422MP 213.8733
RFQ
 ECAD 7375 0.00000000 マコムテクノロジーソリューション - バルク アクティブ - シャーシマウント 211-11、スタイル1 MRF422 290W 211-11、スタイル1 - 1465-MRF422MP 1 10db〜13db 40V 20a npn 15 @ 5a 、5V 30MHz -
DTC144EE Yangjie Technology DTC144EE 0.0260
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Yangjieテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-523 DTC144 150 MW SOT-523 - ROHS準拠 影響を受けていない 4617-DTC144EETR ear99 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス +ダイオード前 300MV @ 500µA 、10mA 68 @ 5MA 、5V 250 MHz 47 Kohms
2N5346 Microchip Technology 2N5346 287.8650
RFQ
 ECAD 7094 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ - スタッドマウント TO-210AA 60 W to-59 - 影響を受けていない 150-2N5346 ear99 8541.29.0095 1 80 v 7 a - PNP - - -
BD785 onsemi BD785 0.1900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0075 1
FJPF9020TU onsemi FJPF9020TU -
RFQ
 ECAD 1338 0.00000000 onsemi - チューブ 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3フルパック FJPF90 15 W TO-220F-3 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 550 V 2 a 100µa（icbo） pnp-ダーリントン 1.5V @ 20MA、1a 400 @ 1a 、4V -
DDTC114ECAQ-7-F Diodes Incorporated DDTC114ECAQ-F 0.0375
RFQ
 ECAD 2483 0.00000000 ダイオードが組み込まれています aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 DDTC114 200 MW SOT-23-3 ダウンロード 影響を受けていない 31-DDTC114ECAQ-7-FTR ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 35 @ 5MA 、5V 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
RN2304,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2304 、LF 0.1800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN2304 100 MW SC-70 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200 MHz 47 Kohms 47 Kohms
2SC3746R Sanyo 2SC3746R 0.4000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 sanyo * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けていない 2156-2SC3746R-600057 1
PUMD3-QZ Nexperia USA Inc. PUMD3-QZ 0.0368
RFQ
 ECAD 1265 0.00000000 Nexperia USA Inc. aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 PUMD3 200mw 6-tssop ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 10,000 50V 100mA 1µA NPN、PNP 150mv @ 500µa 、10ma 30 @ 5MA 、5V 230MHz、180MHz 10kohms 10kohms
ZXTN04120HP5TC Diodes Incorporated ZXTN04120HP5TC 0.1994
RFQ
 ECAD 9910 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント Powerdi™5 ZXTN04120 3.2 w Powerdi™5 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 5,000 120 v 1.5 a 100NA npn-ダーリントン 1.5V @ 1MA、1a 2000 @ 1a 、5v 150MHz
JANSM2N3700 Microchip Technology jansm2n3700 32.9802
RFQ
 ECAD 2006年年 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/391 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-206aa 500 MW TO-18（to-206aa - 影響を受けていない 150-JANSM2N3700 1 80 v 1 a 10na npn 500MV @ 50MA 、500MA 100 @ 150ma 、10V -
JANTX2N3868 Microchip Technology JANTX2N3868 23.8469
RFQ
 ECAD 5588 0.00000000 マイクロチップテクノロジー mil-prf-19500/350 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-205aa、to-5-3 2N3868 1 W to-5 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 60 V 3 Ma 100µa（icbo） PNP 1.5V @ 250MA 、2.5a 30 @ 1.5a 、2V -
2N4896 Microchip Technology 2N4896 16.3650
RFQ
 ECAD 7620 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ - 穴を通して to-205aa、to-5-3 7 W to-5aa - 影響を受けていない 150-2N4896 ear99 8541.29.0095 1 60 V 5 a - PNP - - -
JANSF2N2221AUB/TR Microchip Technology jansf2n2221aub/tr 149.4750
RFQ
 ECAD 9875 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 150-jansf2n2221aub/tr 50
2N5793U/TR Microchip Technology 2N5793U/TR 71.0700
RFQ
 ECAD 1560 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 表面マウント 6-SMD 、リードなし 2N5793 600MW u - 影響を受けていない 150-2N5793U/TR ear99 8541.21.0095 100 40V 600MA 10µa（icbo） 2 NPN （デュアル） 900MV @ 30MA、300MA 40 @ 150ma 、10V -
JANKCCP2N3499 Microchip Technology JANKCCP2N3499 -
RFQ
 ECAD 4694 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/366 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-205ad、to-39-3金属缶 1 W to-39 - 影響を受けていない 150-jankccp2n3499 100 100 V 500 Ma 10µa（icbo） npn 600MV @ 30MA、300MA 100 @ 150ma 、10V -
2N2605UB/TR Microchip Technology 2N2605UB/TR 81.6300
RFQ
 ECAD 7588 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、リードなし 400 MW ub - 100 60 V 30 Ma 10na PNP 300MV @ 500µA 、10mA 150 @ 500µa 、5V -
MNS2N2222AUBP Microchip Technology MNS2N222222AUBP 12.3700
RFQ
 ECAD 2244 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/255 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、リードなし 500 MW ub - 影響を受けていない 150-MNS2N222222AUBP ear99 8541.21.0095 1 50 v 800 Ma 50NA npn 1V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V -
JAN2N3724L Microchip Technology jan2n3724l -
RFQ
 ECAD 9720 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ 200°C （TJ） 穴を通して to-205aa、to-5-3 to-5 - ROHS非準拠 影響を受けていない 0000.00.0000 1 30 V 500 Ma - npn - - -
BD882HY-TP Micro Commercial Co BD882HY-TP 0.1145
RFQ
 ECAD 9868 0.00000000 Micro Commercial Co - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-243AA BD882 500 MW SOT-89 ダウンロード 353-BD882HY-TP ear99 8541.21.0095 1 70 v 3 a 1µa（icbo） npn 500MV @ 200MA 、2a 160 @ 1a 、2V 50MHz
PQMH2147 NXP Semiconductors PQMH2147 -
RFQ
 ECAD 5002 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ - 2156-PQMH2147 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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