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双極（BJT ）（ 35082）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 得 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
62028 Microsemi Corporation 62028 -
RFQ
 ECAD 8529 0.00000000 Microsemi Corporation - バルク 廃止 - 適用できない 廃止 0000.00.0000 1
RN1110,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1110 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 RN1110 100 MW SSM ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250 MHz 4.7 Kohms
JANSP2N2369AUBC Microchip Technology JANSP2N2369AUBC 252.5510
RFQ
 ECAD 8742 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、リードなし 360 MW UBC - 影響を受けていない 150-JANSP2N2369AUBC 1 15 V 400na npn 450mv @ 10ma 、100ma 20 @ 100MA、1V -
RN1131MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage rn1131mfv、l3f 0.1800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1131 150 MW vesm ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 120 @ 1MA 、5V 100 Kohms
68225H Microsemi Corporation 68225H -
RFQ
 ECAD 4985 0.00000000 Microsemi Corporation * バルク 廃止 - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1
2N2994 Microchip Technology 2N2994 27.6600
RFQ
 ECAD 7538 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-205aa、to-5-3 5 W to-5aa - 影響を受けていない 150-2N2994 ear99 8541.29.0095 1 100 V 1 a - npn 3V @ 50µA 、200µA - -
EMF23T2R Rohm Semiconductor EMF23T2R -
RFQ
 ECAD 2603 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 EMF23 150MW EMT6 - ROHS3準拠 影響を受けていない 846-EMF23T2RTR 8,000 50V 100mA、150ma 500na 、100na（icbo） 1 npn- バイアス、 1 pnp 300MV @ 500µA、 10MA / 500MV @ 5MA 、50MA 30 @ 5MA 、5V / 180 @ 1MA 、6V 250MHz、140MHz 10kohms 10kohms
JANS2N2222AUB/TR Microchip Technology jans2n2222222aub/tr 18.8200
RFQ
 ECAD 5716 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/255 テープ＆リール（ tr） アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 表面マウント 4-SMD 、リードなし 500 MW ub - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-Jans2N2222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 ear99 8541.21.0095 1 50 v 800 Ma 50NA npn 1V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V -
2N6061 Microchip Technology 2N6061 613.4700
RFQ
 ECAD 8708 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） スタッドマウント TO-211MB 262 w to-63 - 影響を受けていない 150-2N6061 ear99 8541.29.0095 1 100 V 50 a - PNP - - -
KSA1013OBU onsemi KSA1013OBU -
RFQ
 ECAD 7135 0.00000000 onsemi - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 KSA1013 900 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 6,000 160 v 1 a 1µa（icbo） PNP 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 200MA 、5V 50MHz
BC858AE6327 Infineon Technologies BC858AE6327 1.0000
RFQ
 ECAD 6606 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 330 MW PG-SOT23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 125 @ 2MA 、5V 250MHz
KSC838YTA Fairchild Semiconductor ksc838yta 0.0200
RFQ
 ECAD 1999年 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して to-226-3 250 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 ear99 8541.21.0075 1,751 30 V 30 Ma 100na（icbo） npn 400MV @ 1MA 、10MA 120 @ 2MA、12V 250MHz
JANS2N3635L Microchip Technology jans2n3635l 94.4500
RFQ
 ECAD 9994 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/357 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-205aa、to-5-3 1 W to-5 - ROHS非準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 140 v 10 µA 10µA PNP 600mv @ 5ma 、50ma 100 @ 50ma 、10V -
FJN4311RBU onsemi FJN4311RBU -
RFQ
 ECAD 3709 0.00000000 onsemi - バルク 廃止 穴を通して TO-226-3 FJN431 300 MW to-92-3 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 1,000 40 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 1MA 、10ma 100 @ 1MA 、5V 200 MHz 22 Kohms
MRF448A MACOM Technology Solutions MRF448A 179.2500
RFQ
 ECAD 2197 0.00000000 マコムテクノロジーソリューション - バルク アクティブ - シャーシマウント 211-11 、スタイル2 MRF448 290W 211-11 、スタイル2 - 1465-MRF448A 1 14db 50V 16a npn 25 @ 5a 、10V - -
PDTD113ZU115 NXP USA Inc. PDTD113ZU115 0.0400
RFQ
 ECAD 1867年 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 5,340
MPS651RLRB onsemi mps651rlrb 0.0700
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.21.0095 2,000
CP188-BC108-CT Central Semiconductor Corp CP188-BC108-CT -
RFQ
 ECAD 1839 0.00000000 Corp - トレイ 廃止 -65°C〜200°C （TJ） 表面マウント 死ぬ 600 MW 死ぬ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 1514-CP188-BC108-CT ear99 8541.21.0095 1 25 v 200 ma 15NA 600MV @ 5MA 、100mA 420 @ 2MA 、5V
ZXTN2018FTA Diodes Incorporated zxtn2018fta 0.7900
RFQ
 ECAD 140 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 ZXTN2018 1.2 w SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 3,000 60 V 5 a 20na（icbo） npn 210MV @ 300MA 、6a 100 @ 2a、1V 130MHz
JANKCCG2N3498 Microchip Technology JANKCCG2N3498 -
RFQ
 ECAD 5573 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/366 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-205ad、to-39-3金属缶 1 W to-39 - 影響を受けていない 150-jankccg2n3498 100 100 V 500 Ma 10µa（icbo） npn 600MV @ 30MA、300MA 40 @ 150ma 、10V -
BC857CQ Yangjie Technology BC857CQ 0.0230
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Yangjieテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ BC857 - ROHS準拠 影響を受けていない 4617-BC857CQTR ear99 3,000
JANS2N3507L Microchip Technology jans2n3507l 70.3204
RFQ
 ECAD 7348 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/349 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-205aa、to-5-3 1 W to-5aa - 影響を受けていない 150-Jans2N3507L 1 50 v 3 a 1µA npn 1.5V @ 250MA 、2.5a 35 @ 500MA、1V -
CA3045 Rochester Electronics, LLC CA3045 -
RFQ
 ECAD 2522 0.00000000 ロチェスターエレクトロニクス、LLC * バルク アクティブ ダウンロード 未定義のベンダー 影響を受けた 2156-CA3045-2156 1
2SC6089-CA onsemi 2SC6089-CA 0.7500
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1
HFA3127R96 Renesas Electronics America Inc HFA3127R96 -
RFQ
 ECAD 6282 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - テープ＆リール（ tr） 廃止 175°C （TJ） 表面マウント 16-VFQFN露出パッド HFA3127 150MW 16-QFN（3x3） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 6,000 - 12V 65ma 5 npn 40 @ 10ma 、2v 8GHz 3.5db @ 1GHz
JANTX2N3724L Microchip Technology JANTX2N3724L -
RFQ
 ECAD 8715 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ 200°C （TJ） 穴を通して to-205aa、to-5-3 to-5 - ROHS非準拠 影響を受けていない 0000.00.0000 1 30 V 500 Ma - npn - - -
FX504-TL-E onsemi FX504-TL-E 0.5100
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0075 1,000
CMKT2222A TR PBFREE Central Semiconductor Corp CMKT2222A TR PBFREE 0.4900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Corp - テープ＆リール（ tr） アクティブ -65°C〜150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 CMKT2222 350MW SOT-363 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 40V 600MA 10na （icbo） 2 NPN （デュアル） 1V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 300MHz
2SA1562-E onsemi 2SA1562-E 0.3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0075 1
RN1309,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN1309 、LF 0.1900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 RN1309 100 MW SC-70 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 70 @ 5MA 、5V 250 MHz 47 Kohms 22 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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