画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST2111FX | - | ![]() | 2266 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | ISOWATT218FX | ST2111 | 65 W | ISOWATT-218FX | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 300 | 700 V | 12 a | 1ma | npn | 3V @ 2a 、8a | 4.5 @ 8a 、5V | - | |||||
![]() | jansd2n5004 | - | ![]() | 3635 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/534 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | スタッドマウント | TO-210AA | 2 W | to-59 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 50 µA | 50µA | npn | 1.5V @ 500MA 、5a | 70 @ 2.5a 、5V | - | ||||||
jantxv2n3439l | 12.6616 | ![]() | 9026 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/368 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 2N3439 | 800 MW | to-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 350 V | 1 a | 2µA | npn | 500MV @ 4MA 、50MA | 40 @ 20MA 、10V | - | |||||
![]() | BDX54A-S | - | ![]() | 8771 | 0.00000000 | Bourns Inc. | - | チューブ | 廃止 | -65°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | BDX54 | 2 W | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 15,000 | 60 V | 8 a | 500µA | pnp-ダーリントン | 2V @ 12ma、3a | 750 @ 3a、3V | - | |||||
![]() | D45H11FP | 1.7700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | D45H11 | 36 W | TO-220FP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 10 a | 10µA | PNP | 1V @ 400MA 、8a | 40 @ 4a、1V | - | ||||
![]() | PUMH16,115 | 0.2900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | PUMH16 | 300MW | 6-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 1µA | 2 npn- バイアス(デュアル) | 150mv @ 500µa 、10ma | 80 @ 5MA 、5V | - | 22kohms | 47kohms | |||
![]() | TIP126G | - | ![]() | 8803 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | -65°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | TIP126 | 2 W | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 v | 5 a | 500µA | pnp-ダーリントン | 4V @ 20ma 、5a | 1000 @ 3a 、3V | - | ||||
![]() | BC183_D27Z | - | ![]() | 4747 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | BC183 | 350 MW | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 V | 100 Ma | 15NA | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 40 @ 10µA 、5V | 150MHz | |||||
![]() | BC640-AP | - | ![]() | 1008 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | -65°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | BC640 | 830 MW | to-92 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 100 V | 1 a | 100na(icbo) | PNP | 500MV @ 50MA 、500MA | 100 @ 150ma 、2V | 100MHz | |||||
DDTC143ZUA-7 | 0.0691 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | DDTC143 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||
![]() | DRA3123E0L | - | ![]() | 2436 | 0.00000000 | パナソニック電子コンポーネント | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | SOT-723 | DRA3123 | 100 MW | ssssmini3-f2-b | - | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 6 @ 5MA 、10V | 2.2 KOHMS | 2.2 KOHMS | |||||
![]() | RN2314 | 0.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | RN2314 | 100 MW | SC-70 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 50 @ 10ma 、5v | 200 MHz | 1 KOHMS | 10 Kohms | ||||
![]() | rn2970fe | - | ![]() | 8747 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | RN2970 | 100MW | ES6 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 100mA | 100na(icbo) | 2 pnp- バイアス(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 120 @ 1MA 、5V | 200MHz | 4.7kohms | 10kohms | |||||
![]() | 2SB1237TV2Q | - | ![]() | 7438 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | 3-sip | 1 W | ATV | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 32 v | 1 a | 500na(icbo) | PNP | 500MV @ 50MA 、500MA | 120 @ 100MA、3V | 150MHz | |||||
STT13005 | - | ![]() | 9281 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-225AA、to-126-3 | STT13 | 45 W | SOT-32-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 2 a | 250µA | npn | 1.5V @ 400MA 、1.6a | 10 @ 500MA 、5V | - | |||||
![]() | BC847CQ | 0.0230 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-BC847CQTR | ear99 | 3,000 | ||||||||||||||||||
![]() | PDTC143TU/ZLX | - | ![]() | 8462 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | バルク | 廃止 | PDTC143 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | PBSS4032SP、115 | 1.0400 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | PBSS4032 | 2.3W | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 30V | 4.8a | 100NA | 2 PNP (デュアル) | 510MV @ 250MA 、5a | 150 @ 2a 、2V | 115MHz | ||||
![]() | 2SC3597E | - | ![]() | 4457 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | DDTA123EUA-7 | 0.3900 | ![]() | 75 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | * | カットテープ(CT) | アクティブ | DDTA123 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1034-DDTA123EUA-7DKR | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||
![]() | DTC115EU3HZGT106 | 0.3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | DTC115 | 200 MW | UMT3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 250µA 、5MA | 82 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 100 Kohms | 100 Kohms | |||
![]() | umh10ntn | 0.4300 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | umh10 | 150MW | UMT6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500na | 2 npn- バイアス(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 250MHz | 2.2kohms | 47kohms | |||
MMBT3906VL | 0.1400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | MMBT3906 | TO-236AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 40 v | 200 ma | 50na(icbo) | PNP | 400mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 10ma、1V | 250MHz | ||||||
![]() | 2SB1730TL | 0.1890 | ![]() | 6502 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、フラットリード | 2SB1730 | 400 MW | tumt3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 2 a | 100na(icbo) | PNP | 180mv @ 50ma、1a | 270 @ 200MA 、2V | 360MHz | ||||
![]() | ztx10470astob | - | ![]() | 8800 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | 穴を通して | e-line-3 、形成されたリード | 1 W | e-line(to-92 互換) | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 10 v | 4 a | 10na | npn | 185mv @ 10ma、3a | 300 @ 1a 、2V | 150MHz | ||||||
![]() | STD1802T4 | 0.8200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | STD1802 | 15 W | dpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 60 V | 3 a | 100na(icbo) | npn | 400MV @ 150MA、3a | 200 @ 100MA 、2V | 150MHz | ||||
![]() | jantxv2n6353 | - | ![]() | 7709 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/472 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | TO-213AA、to-66-2 | 2N6353 | 2 W | to-66(to-213aa | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 150 v | 5 a | - | npn-ダーリントン | 2.5V @ 10ma 、5a | 1000 @ 5a 、5V | - | ||||
![]() | 2N5415S | 30.6432 | ![]() | 1957年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 2N5415 | 750 MW | to-39 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 200 v | 1 a | 1ma | PNP | 2V @ 5MA 、50mA | 30 @ 50ma 、10V | - | |||||
![]() | UNR92AMG0L | - | ![]() | 9745 | 0.00000000 | パナソニック電子コンポーネント | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SC-89 、SOT-490 | UNR92A | 125 MW | SSMINI3-F3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 80 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 250mv @ 300µa 、10ma | 80 @ 5MA 、10V | 150 MHz | 2.2 KOHMS | 47 Kohms | |||||
![]() | NJVMJD112T4G | 0.8300 | ![]() | 5554 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | NJVMJD112 | 20 W | dpak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 100 V | 2 a | 20µA | npn-ダーリントン | 3V @ 40MA 、4a | 1000 @ 2a 、3V | 25MHz |
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