画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 得 | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) | ノイズフィギュア(DBタイプ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SC5354、tojsq o o | - | ![]() | 2914 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | * | チューブ | アクティブ | 2SC5354 | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | |||||||||||||||||||
DDTB113ZC-7-F | 0.2500 | ![]() | 20 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | DDTB113 | 200 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 500 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 2.5MA 、50mA | 56 @ 50MA 、5V | 200 MHz | 1 KOHMS | 10 Kohms | ||||||
![]() | 2SC4488T-IMH-AN | - | ![]() | 1914年年 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 2SC4488 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 廃止 | 0000.00.0000 | 2,500 | |||||||||||||||||||
![]() | PDTC124XQC-QZ | 0.2900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント、濡れ可能な側面 | 3-XDFN露出パッド | PDTC124 | 360 MW | DFN1412D-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50 v | 100 Ma | 100NA | npn-バイアス化 | 100MV @ 500µA 、10mA | 80 @ 5MA 、5V | 230 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | |||||
![]() | CMPTA56 TR PBFREE | 0.4200 | ![]() | 521 | 0.00000000 | Corp | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜175°C | 表面マウント | TO-236-3 | CMPTA56 | 350 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 80 v | 500 Ma | 100NA | PNP | 250MV @ 10MA 、100mA | 100 @ 100MA、1V | 100MHz | ||||||
![]() | 2SD2185GRL | - | ![]() | 3207 | 0.00000000 | パナソニック電子コンポーネント | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 2SD2185 | 1 W | MINIP3-F2 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 50 v | 3 a | 100na(icbo) | npn | 300MV @ 50MA、1a | 120 @ 200MA 、2V | 120MHz | ||||||||
![]() | 2sc2229-y(shp | - | ![]() | 7291 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 2SC2229 | 800 MW | to-92mod | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 150 v | 50 Ma | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 1MA 、10ma | 70 @ 10ma 、5v | 120MHz | ||||||||
![]() | KSB1151YSTU | 0.3900 | ![]() | 35 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-225AA、to-126-3 | 1.3 w | TO-126-3 | ダウンロード | ear99 | 8542.39.0001 | 831 | 60 V | 5 a | 10µa(icbo) | PNP | 300MV @ 200MA 、2a | 160 @ 2a、1V | - | ||||||||||
![]() | BSR43-QX | 0.2765 | ![]() | 1623 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 1.35 w | SOT-89 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-BSR43-QXTR | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80 v | 1 a | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 50MA 、500MA | 100 @ 100MA 、5V | 100MHz | |||||||
![]() | 2SD1800-TL-E | 0.2600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0095 | 700 | |||||||||||||||||||
jansr2N3499 | 41.5800 | ![]() | 5511 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/366 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 1 W | to-39 | - | 影響を受けていない | 150-Jansr2N3499 | 1 | 100 V | 500 Ma | 10µa(icbo) | npn | 600MV @ 30MA、300MA | 100 @ 150ma 、10V | - | |||||||||||
![]() | 2N4399 | 4.7600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | -65°C〜200°C | 穴を通して | to-204aa、to-3 | 5 W | to-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-2N4399 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 30 a | 5MA | PNP | 4V @ 6a 、30a | 40 @ 1a 、2V | 4MHz | ||||||||
![]() | DXTN07100BFG-7 | 0.5400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント、濡れ可能な側面 | 8-POWERVDFN | DXTN07100 | 900 MW | PowerDi3333-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 100 V | 2 a | 50na(icbo) | npn | 400mv @ 200ma 、2a | 100 @ 500MA 、2V | 175MHz | ||||||
![]() | NSVMMUN2135LT1G | 0.3300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | NSVMMUN2135 | 246 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 250mv @ 300µa 、10ma | 80 @ 5MA 、10V | 2.2 KOHMS | 47 Kohms | ||||||
![]() | MMBT3906TT1H | 0.0400 | ![]() | 117 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||
![]() | 2N3904-BPC01-HF | - | ![]() | 9205 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 2N3904 | 625 MW | to-92 | ダウンロード | 353-2N3904-BPC01-HF | 廃止 | 1 | 40 v | 200 ma | 50NA | npn | 400mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 10ma、1V | 250MHz | |||||||||
![]() | NSM21156DW6T1G | - | ![]() | 7578 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | NSM211 | 230MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V 、65V | 100mA | 500na | 1 NPN 事前にバイアス、 1 PNP | 250MV @ 300µA、10ma / 300mv @ 500µa、10ma | 35 @ 5MA 、10V / 220 @ 2MA 、5V | - | 10kohms | 10kohms | ||||||
![]() | BD244CTU | - | ![]() | 5851 | 0.00000000 | onsemi | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | BD244 | 65 W | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | 2832-BD244CTU | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 V | 6 a | 700µA | PNP | 1.5V @ 1a 、6a | 15 @ 3a 、4V | - | |||||
![]() | jansl2n2369aubc/tr | 252.7000 | ![]() | 4437 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 360 MW | UBC | - | 影響を受けていない | 150-jansl2n2369aubc/tr | 50 | 15 V | 400na | npn | 450mv @ 10ma 、100ma | 20 @ 100MA、1V | - | |||||||||||
![]() | BCW68H215 | 1.0000 | ![]() | 5500 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | UNR9112G0L | - | ![]() | 3586 | 0.00000000 | パナソニック電子コンポーネント | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SC-89 、SOT-490 | UNR9112 | 125 MW | SSMINI3-F3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 250mv @ 300µa 、10ma | 60 @ 5MA 、10V | 80 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||
![]() | 2SC3731-TA | 0.0900 | ![]() | 42 | 0.00000000 | NEC Corporation | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 2N3053 | 45.4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ハリスコーポレーション | - | バルク | アクティブ | - | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 5 W | to-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0095 | 8 | 40 v | 700 Ma | - | npn | - | - | - | |||||||
![]() | 2SC5606-T1-A | - | ![]() | 8675 | 0.00000000 | セル | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-523 | 115MW | SOT-523 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 14db | 3.3V | 35ma | npn | 60 @ 5MA 、2V | 21GHz | 1.2DB @ 2GHz | ||||||||
![]() | DDTC123TE-7-F | 0.0605 | ![]() | 4009 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-523 | DDTC123 | 150 MW | SOT-523 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | DDTC123TE-FDITR | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | npn-バイアス化 | 300mv @ 500µa 、5ma | 100 @ 1MA 、5V | 250 MHz | 2.2 KOHMS | |||||
![]() | BD772-Y-TP | 0.1596 | ![]() | 1737 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-243AA | BD772 | 500 MW | SOT-89 | ダウンロード | 353-BD772-Y-TP | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 30 V | 3 a | 10µA | PNP | 500MV @ 200MA 、2a | 60 @ 1a 、2V | 80MHz | ||||||||
![]() | KSA916OBU | - | ![]() | 5880 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | KSA916 | 900 MW | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 6,000 | 120 v | 800 Ma | 100na(icbo) | PNP | 1V @ 50ma 、500ma | 80 @ 100MA 、5V | 120MHz | |||||||
![]() | FJNS3201RTA | - | ![]() | 1815年 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | 穴を通して | TO-226-3 | FJNS32 | 300 MW | to-92 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 100na(icbo) | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 20 @ 10MA 、5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||
jansr2n2369a | 122.6706 | ![]() | 1240 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/317 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C | 穴を通して | to-206aa | 2N2369A | 360 MW | TO-18 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-Jansr2N2369A | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 15 V | 400na | npn | 450mv @ 10ma 、100ma | 20 @ 100MA、1V | - | ||||||||
pdtb123yt-qr | 0.0571 | ![]() | 6266 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | PDTB123 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1727-PDTB123YT-QRTR | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 500 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 2.5MA 、50mA | 70 @ 50MA 、5V | 2.2 KOHMS | 10 Kohms |
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