画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DDTB114GU-7-F | - | ![]() | 3223 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | DDTB114 | 200 MW | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 500 Ma | 500na(icbo) | pnp-前バイアス | 300MV @ 2.5MA 、50mA | 56 @ 5MA 、5V | 200 MHz | 10 Kohms | |||||
![]() | 2C5672-MSCL | 172.3800 | ![]() | 6981 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | バルク | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-2C5672-MSCL | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | MMBT3904W_R1_00001 | 0.1600 | ![]() | 33 | 0.00000000 | Panjit International Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | MMBT3904 | 150 MW | SOT-323 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3757-MMBT3904W_R1_00001DKR | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 40 v | 200 ma | 50NA | npn | 300mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 10MA、1V | - | |||
![]() | umg5ntr | 0.3800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 | UMG5 | 150MW | UMT5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500na | 2 npn- バイアス(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 68 @ 5MA 、5V | 250MHz | 10kohms | 47kohms | |||
![]() | BUX14 | - | ![]() | 4595 | 0.00000000 | ハリスコーポレーション | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-204aa、to-3 | 150 W | to-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0095 | 15 | 400 V | 10 a | 1.5mA | npn | 1.5V @ 1.2a 、6a | 15 @ 3a 、4V | 8MHz | |||||
![]() | 2SC3952d | - | ![]() | 2933 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | MMBT3906-AQ | 0.0241 | ![]() | 7917 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 250 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-MMBT3906-AQTR | 8541.21.0000 | 3,000 | 40 v | 200 ma | 50NA | PNP | 400mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 10MA、1V | 250MHz | ||||||
![]() | BC548_J35Z | - | ![]() | 3269 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | BC548 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 V | 100 Ma | 15NA | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 110 @ 2MA 、5V | 300MHz | |||||
![]() | PMBT2222AQAZ | 0.3500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 3-XDFN露出パッド | PMBT2222 | 325 MW | DFN1010D-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 40 v | 600 Ma | 10na (icbo) | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | 340MHz | ||||
![]() | NSBC143TPDXV | 0.0500 | ![]() | 148 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | |||||||||||||||||
![]() | PDTA143ZQBZ | 0.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント、濡れ可能な側面 | 3-XDFN露出パッド | PDTA143 | 340 MW | DFN1110D-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50 v | 100 Ma | 100NA | pnp-前バイアス | 100MV @ 250µA、5MA | 100 @ 10ma 、5v | 180 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||
jantxv2n5153l | 17.7500 | ![]() | 100 | 0.00000000 | マコムテクノロジーソリューション | 軍事、MIL-PRF-19500/545 | バルク | sicで中止されました | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 1 W | to-5 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | PNP | 1.5V @ 500MA 、5a | 70 @ 2.5a 、5V | - | |||||||
![]() | RN2109MFV 、L3F | 0.1800 | ![]() | 7200 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-723 | RN2109 | 150 MW | vesm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 70 @ 10ma 、5v | 47 Kohms | 22 Kohms | |||||
![]() | jantx2n2945aub/tr | 434.6922 | ![]() | 3371 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/382 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | 400 MW | ub | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx2n2945aub/tr | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 v | 100 Ma | 10µa(icbo) | PNP | - | 70 @ 1MA 、500mv | - | |||||
![]() | CP388X-BC108-CT | - | ![]() | 8298 | 0.00000000 | Corp | - | トレイ | アクティブ | -65°C〜150°C | 表面マウント | 死ぬ | CP388 | 600 MW | 死ぬ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 1514-CP388X-BC108-CT | ear99 | 8541.21.0095 | 400 | 25 v | 200 ma | 15NA | 600MV @ 5MA 、100mA | 200 @ 2MA 、5V | |||||
![]() | BCX5416E6327 | - | ![]() | 2516 | 0.00000000 | Infineon Technologies | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 2 W | PG-SOT89-4-2 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 332 | 45 v | 1 a | 100na(icbo) | 500MV @ 50MA 、500MA | 100 @ 150ma 、2V | 100MHz | ||||||
![]() | D40k2 | 7.3600 | ![]() | 528 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-202ロングタブ | 1.67 w | TO-202 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-D40K2 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 v | 2 a | 500na | npn-ダーリントン | 1.5V @ 3MA 、1.5a | 10000 @ 200MA 、5V | - | ||||||
![]() | 2SD863E-AE | 0.1400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | BSS80C | 0.0300 | ![]() | 6085 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 790 | |||||||||||||||||
![]() | PDTC143XQBZ | 0.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント、濡れ可能な側面 | 3-XDFN露出パッド | PDTC143 | 340 MW | DFN1110D-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50 v | 100 Ma | 100NA | pnp-前バイアス | 100MV @ 250µA、5MA | 50 @ 10ma 、5v | 180 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | |||
![]() | MMSS8550HE3-H-TP | 0.2500 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMSS8050 | 625 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 353-MMSS8550HE3-H-TPTR | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 25 v | 1.5 a | 100NA | PNP | 500mv @ 80ma 、800ma | 200 @ 800MA、1V | 100MHz | |||
![]() | NSBC144EDXV6T1 | - | ![]() | 7538 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | |||||||||||||||||
![]() | BD436S | - | ![]() | 8546 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-225AA、to-126-3 | 36 W | TO-126-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0095 | 344 | 32 v | 4 a | 100µA | PNP | 500MV @ 200MA 、2a | 40 @ 10MA 、5V | 3MHz | ||||||||
![]() | 2SB560E-MP-AE | 0.1500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | BC817-40W/ZL115 | 0.0200 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BC817 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||
![]() | SMUN5235T1G-M02 | 0.0800 | ![]() | 75 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | SMUN5235 | 202 MW | SC-70 (SOT323) | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | 2832-SMUN5235T1G-M02TR | ear99 | 8541.21.0095 | 6,250 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 250MV @ 1MA 、10ma | 80 @ 5MA 、10V | 2.2 KOHMS | 47 Kohms | |||
![]() | CPH3206-TL-E | 0.1600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||
![]() | KSB834YTU | 0.4500 | ![]() | 57 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | 1.5 w | TO-220-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 V | 3 a | 100µa(icbo) | PNP | 1V @ 300MA、3a | 100 @ 500MA 、5V | 9MHz | |||||||
![]() | FJNS3201RTA | 0.0200 | ![]() | 301 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | TO-226-3 | FJNS32 | 300 MW | to-92 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 100na(icbo) | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 20 @ 10MA 、5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||
![]() | jansr2n5154l | 98.9702 | ![]() | 3319 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | mil-prf-19500/544 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 1 W | to-5aa | - | 影響を受けていない | 150-Jansr2N5154L | 1 | 80 v | 2 a | 50µA | npn | 1.5V @ 500MA 、5a | 70 @ 2.5a 、5V | - |
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