画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 得 | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) | ノイズフィギュア(DBタイプ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SBC807-40LT3G | 0.2800 | ![]() | 40 | 0.00000000 | onsemi | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | SBC807 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 45 v | 500 Ma | 100na(icbo) | PNP | 700mv @ 50ma 、500ma | 250 @ 100MA、1V | 100MHz | ||||||
![]() | MUN5231DW1T1G | 0.2700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | MUN5231 | 250MW | SC-88/SC70-6/SOT-363 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500na | 2 npn- バイアス(デュアル) | 250MV @ 5MA 、10MA | 8 @ 5MA 、10V | - | 2.2kohms | 2.2kohms | |||||
![]() | JANSP2N3439L | 270.2400 | ![]() | 7163 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/368 | バルク | アクティブ | -55°C〜200°C | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 800 MW | to-5aa | - | 影響を受けていない | 150-JANSP2N3439L | 1 | 350 V | 1 a | 2µA | npn | 500MV @ 4MA 、50MA | 40 @ 20MA 、10V | - | ||||||||||
![]() | MMBT2907A | 0.0170 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SOT-23 | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-MMBT2907ATR | ear99 | 3,000 | 60 V | 600 Ma | 50NA | PNP | 1.6V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | 200MHz | ||||||||
![]() | PDTA144EQA147 | 0.0300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0095 | 5,000 | |||||||||||||||||||
![]() | ZTX749A | 0.1400 | ![]() | 12 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 1 W | TO-226 | ダウンロード | ROHS3準拠 | ear99 | 8541.29.0075 | 1,500 | 35 v | 2 a | 100na(icbo) | PNP | 500MV @ 200MA 、2a | 100 @ 1a 、2V | 100MHz | |||||||||
![]() | SS8550CTA | 0.0600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | 1 W | to-92-3 | ダウンロード | ear99 | 8541.29.0075 | 4,948 | 25 v | 1.5 a | 100na(icbo) | PNP | 500mv @ 80ma 、800ma | 120 @ 100MA、1V | 200MHz | ||||||||||
![]() | BSR16/DG/B3215 | 0.0500 | ![]() | 36 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||
![]() | DDTA143FKA-7-F | - | ![]() | 4073 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | DDTA143 | 200 MW | SC-59-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 68 @ 10MA 、5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | 22 Kohms | |||||
![]() | PQMD12Z | 0.0400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - | バルク | アクティブ | 表面マウント | 6-XFDFN露出パッド | PQMD12 | 350MW | DFN1010B-6 | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 100mA | 100na(icbo) | 1 npn、1 pnp- バイアス前(デュアル) | 150mv @ 500µa 、10ma | 80 @ 5MA 、5V | 230MHz、180MHz | 47kohms | 47kohms | ||||||||
![]() | jantx2n3725ub | - | ![]() | 7802 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 200°C (TJ) | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | ub | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | 50 v | 500 Ma | - | npn | - | - | - | ||||||||||
![]() | MNS2N3810U/TR | 44.2890 | ![]() | 1215 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/336 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-78-6金属缶 | 2N3810 | 350MW | to-78-6 | - | 影響を受けていない | 150-MNS2N3810U/TR | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50ma | 10µa(icbo) | 2 PNP (デュアル) | 250MV @ 100µA、1MA | 150 @ 1MA 、5V | - | |||||||
![]() | NTE2684 | 0.9500 | ![]() | 503 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-225AA、to-126-3 | 15 W | TO-126 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-NTE2684 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 v | 5 a | 100na(icbo) | npn | 1.2V @ 700MA 、7a | 45 @ 500MA 、10V | 100MHz | ||||||||
![]() | SS9014ABU-FS | 0.0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 450 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 45 v | 100 Ma | 50na(icbo) | npn | 300MV @ 5MA 、100mA | 60 @ 1MA 、5V | 270MHz | |||||||
![]() | RN2607 | 0.4800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-74、SOT-457 | RN2607 | 300MW | SM6 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 100na(icbo) | 2 pnp- バイアス(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 200MHz | 10kohms | 47kohms | ||||||
![]() | 2N6032 | 115.1800 | ![]() | 41 | 0.00000000 | ハリスコーポレーション | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-204ae | 140 w | to-204ae | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0095 | 3 | 90 v | 50 a | 10ma | npn | 1.3V @ 5a 、50a | 10 @ 50a 、2.6V | ||||||||
![]() | FJN3309RBU | - | ![]() | 3904 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | 穴を通して | TO-226-3 | FJN330 | 300 MW | to-92-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 40 v | 100 Ma | 100na(icbo) | npn-バイアス化 | 300MV @ 1MA 、10ma | 100 @ 1MA 、5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | |||||||
PDTD123YT 、215 | 0.3300 | ![]() | 188 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | PDTD123 | 250 MW | TO-236AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 500 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 2.5MA 、50mA | 70 @ 50MA 、5V | 2.2 KOHMS | 10 Kohms | |||||||
![]() | 2SD734E-AA | 0.2700 | ![]() | 307 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | umil3 | - | ![]() | 4147 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | シャーシ、スタッドマウント | 55フィート | 11W | 55フィート | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 11.8db〜13db | 30V | 700MA | npn | 10 @ 100a 、5V | 225MHz〜400MHz | - | ||||||||
![]() | MPQ7051 | 0.9000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | BC338-25-B0 B1G | - | ![]() | 1839 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92 | ダウンロード | 影響を受けていない | 1801-BC338-25-B0B1G | 廃止 | 1 | 25 v | 800 Ma | 100na(icbo) | npn | 700mv @ 50ma 、500ma | 250 @ 100MA 、5V | 100MHz | |||||||||
![]() | 2N5416 | 1.5000 | ![]() | 97 | 0.00000000 | nte Electronics、Inc | - | バッグ | アクティブ | - | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 1 W | to-39 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 2368-2N5416 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 300 V | 1 a | 50µA | PNP | 2.5V @ 5MA 、50ma | 30 @ 50ma 、10V | 15MHz | ||||||||
![]() | BCV28E6327HTSA1 | 0.1100 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Infineon Technologies | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 1 W | PG-SOT89-4-2 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 30 V | 500 Ma | 100na(icbo) | pnp-ダーリントン | 1V @ 100µA 、100mA | 20000 @ 100MA 、5V | 200MHz | |||||||
![]() | SBC846BWT1G-M02 | - | ![]() | 4814 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 310 MW | SC-70-3 | - | ROHS非準拠 | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 65 v | 100 Ma | 15NA | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 200 @ 2MA 、5V | 300MHz | ||||||||
ADTA124ECAQ-13 | 0.0526 | ![]() | 5583 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | ADTA124 | 310 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | 影響を受けていない | 31-ADTA124ECAQ-13TR | ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 56 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||
![]() | dxtn3c60ps-13 | 0.8700 | ![]() | 4874 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-powertdfn | dxtn3 | 2.25 w | PowerDi5060-8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 60 V | 3 a | 100NA | npn | 270MV @ 300MA、3a | 200 @ 500MA 、2V | 140MHz | ||||||
![]() | 2N5551-BP | - | ![]() | 2370 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 2N5551 | 625 MW | to-92 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 353-2N5551-BP | ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 160 v | 600 Ma | 50na(icbo) | npn | 500MV @ 5MA 、50mA | 80 @ 10ma 、5v | 300MHz | ||||||
![]() | Ka4a3q-t1-a | 0.0700 | ![]() | 74 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MMBT222222AQ | 0.0210 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Yangjieテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | MMBT2222 | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 4617-MMBT222222AQTR | ear99 | 3,000 |
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