SIC
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双極（BJT ）（ 35082）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2）
DTA144TM3T5G Rochester Electronics, LLC DTA144TM3T5G -
RFQ
 ECAD 7101 0.00000000 ロチェスターエレクトロニクス、LLC * バルク アクティブ - ROHS非準拠 未定義のベンダー 2156-DTA144TM3T5G-2156 1
BCX56-16147 NXP USA Inc. BCX56-16147 -
RFQ
 ECAD 3894 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 0000.00.0000 1
SS9014ABU-FS Fairchild Semiconductor SS9014ABU-FS 0.0200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 450 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 45 v 100 Ma 50na（icbo） npn 300MV @ 5MA 、100mA 60 @ 1MA 、5V 270MHz
RN2908FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage rn2908fe 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-563、SOT-666 RN2908 100MW ES6 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 4,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 200MHz 22kohms 47kohms
KST13MTF Fairchild Semiconductor KST13MTF 0.0300
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ - 表面マウント TO-236-3 KST13 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 30 V 300 Ma 100na（icbo） npn-ダーリントン 1.5V @ 100µA 、100mA 10000 @ 100MA 、5V 125MHz
DTC123JCA-TP Micro Commercial Co DTC123JCA-TP 0.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micro Commercial Co - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント TO-236-3 DTC123 200 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 250µA 、5MA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS
D44D2 Harris Corporation D44D2 -
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 ECAD 2720 0.00000000 ハリスコーポレーション - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-220-3 2.1 w TO-220 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 110 40 v 6 a 10µA npn-ダーリントン 1.5V @ 5MA 、5a 2000 @ 1a 、2V -
BC69-16PASX NXP USA Inc. BC69-16PASX 0.0700
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 ECAD 63 0.00000000 NXP USA Inc. - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント 3-udfn露出パッド 420 MW DFN2020D-3 ダウンロード ear99 8541.29.0075 1 20 v 2 a 100na（icbo） PNP 600mv @ 200ma 、2a 85 @ 500MA、1V 140MHz
BC847BPN-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC847BPN-AU_R1_000A1 0.3200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Panjit International Inc. aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 BC847 200mw SOT-363 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 3757-BC847BPN-AU_R1_000A1DKR ear99 8541.21.0075 3,000 45V 100mA 15NA npn、pnp補完 400MV @ 5MA 、100MA / 650MV @ 5MA 、100MA 200 @ 2MA 、5V 100MHz
RN1511(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN1511 0.4700
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 ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-74A 、SOT-753 RN1511 300MW SMV ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100na（icbo） 2 npn- バイアス（デュアル）（エミッタ結合） 300MV @ 250µA 、5MA 120 @ 1MA 、5V 250MHz 10kohms -
MJE5740G onsemi MJE5740G 1.0000
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 ECAD 9167 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.29.0095 1
2SD1782-R Yangjie Technology 2SD1782-R 0.0450
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 ECAD 300 0.00000000 Yangjieテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ - ROHS準拠 影響を受けていない 4617-2SD1782-RTR ear99 3,000
BCW61CE6327 Infineon Technologies BCW61CE6327 0.0400
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ 150°C （TJ） 表面マウント TO-236-3 330 MW PG-SOT23 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 7,454 32 v 100 Ma 20na（icbo） PNP 550MV @ 1.25MA 、50mA 250 @ 2MA 、5V 250MHz
BC808-40 Infineon Technologies BC808-40 0.0200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Infineon Technologies - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 310 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 15,000 25 v 800 Ma 100na（icbo） PNP 700mv @ 50ma 、500ma 250 @ 100MA、1V 100MHz
BSR16/DG/B3215 NXP USA Inc. BSR16/DG/B3215 0.0500
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 3,000
DMC261050R Panasonic Electronic Components DMC261050R -
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 ECAD 7479 0.00000000 パナソニック電子コンポーネント - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 表面マウント SC-74A 、SOT-753 DMC26105 300MW mini5-g3-b ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500na 2 npn- バイアス（デュアル） 250mv @ 500µa 、10ma 160 @ 5MA 、10V - 10kohms -
SMMBT6520LT1 onsemi SMMBT6520LT1 0.0700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ - ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けた ear99 8541.21.0075 3,000
ADA114EUQ-7 Diodes Incorporated ADA114EUQ-7 0.0654
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 ECAD 1099 0.00000000 ダイオードが組み込まれています aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 ADA114 270MW SOT-363 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA - 2 pnp- バ​​イアス（デュアル） - - 250MHz 10kohms 10kohms
JANTX2N3725UB Microchip Technology jantx2n3725ub -
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 ECAD 7802 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ 200°C （TJ） 表面マウント 4-SMD 、リードなし ub - ROHS非準拠 影響を受けていない 0000.00.0000 1 50 v 500 Ma - npn - - -
MNS2N3810U/TR Microchip Technology MNS2N3810U/TR 44.2890
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 ECAD 1215 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/336 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-78-6金属缶 2N3810 350MW to-78-6 - 影響を受けていない 150-MNS2N3810U/TR ear99 8541.21.0095 1 60V 50ma 10µa（icbo） 2 PNP （デュアル） 250MV @ 100µA、1MA 150 @ 1MA 、5V -
NTE2684 NTE Electronics, Inc NTE2684 0.9500
RFQ
 ECAD 503 0.00000000 nte Electronics、Inc - バッグ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-225AA、to-126-3 15 W TO-126 ダウンロード ROHS3準拠 2368-NTE2684 ear99 8541.29.0095 1 120 v 5 a 100na（icbo） npn 1.2V @ 700MA 、7a 45 @ 500MA 、10V 100MHz
DCX100NS-7 Diodes Incorporated DCX100NS-7 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ダイオードが組み込まれています * カットテープ（CT） 廃止 DCX100 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000
2SC2229-O(SHP1,F,M Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O -
RFQ
 ECAD 9880 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2229 800 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 Ma 100na（icbo） npn 500MV @ 1MA 、10ma 70 @ 10ma 、5v 120MHz
SG2023L Microchip Technology SG2023L -
RFQ
 ECAD 5733 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 20-CLCC SG2023 - 20-clcc （8.89x8.89 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 150-SG2023L ear99 8541.29.0095 50 95V 500mA - 7 npnダーリントン 1.6V @ 500µA、350MA 1000 @ 350MA 、2V -
2SD1582-AZ Renesas Electronics America Inc 2SD1582-AZ -
RFQ
 ECAD 9905 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ ダウンロード ear99 8541.29.0075 1
BLF888D112 NXP USA Inc. BLF888D112 250.9600
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.29.0075 1
JANTX2N5672 Microchip Technology JANTX2N5672 182.1967
RFQ
 ECAD 2126 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/488 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-204aa、to-3 2N5672 6 W to-3 - ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 120 v 30 a 10ma npn 5V @ 6a 、30a 20 @ 20a 、5V -
2SC2235-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y、t6f（j -
RFQ
 ECAD 7291 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na（icbo） npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
2SA1345 onsemi 2SA1345 0.0700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 1
MMBTA06 NTE Electronics, Inc MMBTA06 0.1400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 nte Electronics、Inc - バッグ アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 2368-MMBTA06 ear99 8541.21.0095 1 80 v 500 Ma 100NA npn 250MV @ 10MA 、100mA 100 @ 100MA、1V 100MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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