画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 得 | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) | ノイズフィギュア(DBタイプ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2STX1360-AP | - | ![]() | 7540 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | 2stx | 1 W | to-92ap | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 60 V | 3 a | 100na(icbo) | npn | 500mv @ 150ma、3a | 160 @ 1a 、2V | 130MHz | ||||||
![]() | S9012-I-AP | - | ![]() | 4129 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | S9012 | 625 MW | to-92 | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 353-S9012-I-aptb | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 25 v | 500 Ma | 200na | PNP | 600mv @ 50ma 、500ma | 190 @ 1MA 、4V | 150MHz | ||||||
![]() | MPSA55RLRAG | - | ![]() | 8268 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | MPSA55 | 625 MW | to-92(to-226) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 60 V | 500 Ma | 100NA | PNP | 250MV @ 10MA 、100mA | 100 @ 100MA、1V | 50MHz | |||||||
![]() | 2SA2059 | 0.6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 1 W | pw-mini | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 20 v | 3 a | 100na(icbo) | PNP | 190MV @ 53MA 、1.6a | 200 @ 500MA 、2V | - | ||||||||
![]() | BC848C | 0.0337 | ![]() | 9340 | 0.00000000 | 台湾半導体コーポレーション | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BC848 | 200 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 1801-BC848CTR | ear99 | 8541.21.0075 | 9,000 | 30 V | 100 Ma | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 5MA 、100mA | 420 @ 2MA 、5V | 100MHz | ||||||
![]() | 2N6317 | - | ![]() | 5165 | 0.00000000 | Corp | - | バルク | 廃止 | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | TO-213AA、to-66-2 | 90 w | to-66 | ダウンロード | 影響を受けていない | 1514-2N6317 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 7 a | 500µA | 2V @ 1.75a 、7a | 35 @ 500MA 、4V | 4MHz | |||||||||
![]() | BC636-16ZL1 | 0.0400 | ![]() | 24 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
BC847A-7-F | 0.2000 | ![]() | 123 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BC847 | 300 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45 v | 100 Ma | 15na | npn | 600MV @ 5MA 、100mA | 110 @ 2MA 、5V | 300MHz | |||||||
JANKCBR2N2222A | - | ![]() | 8789 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C | 穴を通して | to-206aa | 500 MW | TO-18 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jankcbr2n2222a | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 Ma | 50NA | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | - | ||||||||
![]() | BC807-25QC-QZ | 0.3000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント、濡れ可能な側面 | 3-XDFN露出パッド | 380 MW | DFN1412D-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 45 v | 500 Ma | 100na(icbo) | PNP | 700mv @ 50ma 、500ma | 160 @ 100MA、1V | 80MHz | |||||||
![]() | PDTA124XQBZ | 0.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント、濡れ可能な側面 | 3-XDFN露出パッド | PDTA124 | 340 MW | DFN1110D-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50 v | 100 Ma | 100NA | pnp-前バイアス | 100MV @ 500µA 、10mA | 80 @ 5MA 、5V | 180 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | |||||
![]() | BC557BZL1 | - | ![]() | 3377 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&ボックス( TB) | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | BC557 | 625 MW | to-92(to-226) | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 45 v | 100 Ma | 100NA | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 180 @ 2MA 、5V | 320MHz | ||||||
![]() | 2N6520TA | 1.0000 | ![]() | 5741 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-226-3 | 2N6520 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | 350 V | 500 Ma | 50na(icbo) | PNP | 1V @ 5MA 、50mA | 20 @ 50ma 、10V | 200MHz | ||||||||||
![]() | DDTA144TKA-7-F | - | ![]() | 1543 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | TO-236-3 | DDTA144 | 200 MW | SC-59-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、2.5mA | 100 @ 1MA 、5V | 250 MHz | 47 Kohms | ||||||
![]() | 2N3904 | 0.0241 | ![]() | 68 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | 625 MW | to-92 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | 2796-2N3904TR | 8541.21.0000 | 4,000 | 40 v | 200 ma | 50NA | npn | 300mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 10ma、1V | 300MHz | |||||||
![]() | JANTX2N3499U4 | - | ![]() | 8470 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/366 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 1 W | U4 | - | ROHS非準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 500 Ma | 50na(icbo) | npn | 600MV @ 30MA、300MA | 100 @ 150ma 、10V | - | ||||||||
![]() | PBSS4021px、115 | 1.0000 | ![]() | 1763 | 0.00000000 | NXP半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 2.5 W | SOT-89 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 2156-PBSS4021PX、115-954 | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 20 v | 6.2 a | 100NA | PNP | 265MV @ 345MA 、6.9a | 150 @ 4a 、2V | 105MHz | |||||||
![]() | UPA2003GR-A | 1.0000 | ![]() | 4665 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | バルク | アクティブ | UPA2003 | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | jantx2n6989u/tr | 78.7002 | ![]() | 8718 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/559 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 20-CLCC | 2N6989 | 1W | 20-CLCC | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx2n6989u/tr | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 50V | 800mA | 10µa(icbo) | 4 npn | 1V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | - | ||||||
![]() | hn1b04fu-y、lxhf | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | HN1B04 | 200mw | US6 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 150ma | 100na(icbo) | NPN、PNP | 250mv @ 10ma 、100ma / 300mv @ 10ma 、100ma | 120 @ 2MA 、6V | 150MHz、120MHz | ||||||||
![]() | BC856BS/ZL115 | 0.0200 | ![]() | 384 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | バルク | アクティブ | BC856 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | ||||||||||||||||||
![]() | SG2813J | - | ![]() | 7623 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜125°C | 穴を通して | 18-cdip (0.300 "、7.62mm) | SG2813 | - | 18カーディップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-SG2813J | ear99 | 8541.29.0095 | 21 | 50V | 600MA | - | 8 npnダーリントン | 1.9V @ 600µA 、500mA | - | - | ||||||
![]() | KSD261CGTA | 0.0300 | ![]() | 163 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 500 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 20 v | 500 Ma | 100na(icbo) | npn | 400mv @ 50ma 、500ma | 200 @ 100MA、1V | - | |||||||
![]() | KSC2518o | - | ![]() | 3298 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | KSC2518 | 40 W | TO-220-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,200 | 400 V | 4 a | 10µa(icbo) | npn | 1V @ 300MA 、1.5a | 30 @ 300MA 、5V | - | |||||||
![]() | MT3S113 | 0.7000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | MT3S113 | 800mw | s-mini | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 11.8db | 5.3V | 100mA | npn | 200 @ 30ma 、5v | 12.5GHz | 1.45db @ 1GHz | |||||||
![]() | PMBTA06/DG/B3235 | 0.0400 | ![]() | 119 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MMSS8050-L-TPS01 | 0.0685 | ![]() | 2482 | 0.00000000 | Micro Commercial Co | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMSS8050 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | 353-MMSS8050-L-TPS01 | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 25 v | 1.5 a | 100NA | npn | 500mv @ 80ma 、800ma | 120 @ 100MA、1V | 100MHz | ||||||||
![]() | jantx2n3725ub/tr | - | ![]() | 3182 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 200°C (TJ) | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | ub | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx2n3725ub/tr | 1 | 50 v | 500 Ma | - | npn | - | - | - | ||||||||||
![]() | JANSM2N3810L | 198.9608 | ![]() | 2842 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/336 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-78-6金属缶 | 2N3810 | 350MW | to-78-6 | - | 影響を受けていない | 150-JANSM2N3810L | 1 | 60V | 50ma | 10µa(icbo) | 2 PNP (デュアル) | 250MV @ 100µA、1MA | 150 @ 1MA 、5V | - | |||||||||
![]() | 2N5678 | 613.4700 | ![]() | 4921 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | スタッドマウント | TO-211MB | 175 w | to-63 | - | 影響を受けていない | 150-2N5678 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 10 a | - | PNP | - | - | - |
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