SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターカットオフ(最大) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2) ノイズフィギュア(DBタイプ @ f)
2STX1360-AP STMicroelectronics 2STX1360-AP -
RFQ
ECAD 7540 0.00000000 stmicroelectronics - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して to-226-3 2stx 1 W to-92ap ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 2,500 60 V 3 a 100na(icbo) npn 500mv @ 150ma、3a 160 @ 1a 、2V 130MHz
S9012-I-AP Micro Commercial Co S9012-I-AP -
RFQ
ECAD 4129 0.00000000 Micro Commercial Co - テープ&ボックス( TB) 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 S9012 625 MW to-92 ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 353-S9012-I-aptb ear99 8541.21.0075 2,000 25 v 500 Ma 200na PNP 600mv @ 50ma 、500ma 190 @ 1MA 、4V 150MHz
MPSA55RLRAG onsemi MPSA55RLRAG -
RFQ
ECAD 8268 0.00000000 onsemi - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 MPSA55 625 MW to-92(to-226) ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 2,000 60 V 500 Ma 100NA PNP 250MV @ 10MA 、100mA 100 @ 100MA、1V 50MHz
2SA2059(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2059 0.6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-243AA 1 W pw-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 1,000 20 v 3 a 100na(icbo) PNP 190MV @ 53MA 、1.6a 200 @ 500MA 、2V -
BC848C Taiwan Semiconductor Corporation BC848C 0.0337
RFQ
ECAD 9340 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BC848 200 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1801-BC848CTR ear99 8541.21.0075 9,000 30 V 100 Ma 100na(icbo) npn 500MV @ 5MA 、100mA 420 @ 2MA 、5V 100MHz
2N6317 Central Semiconductor Corp 2N6317 -
RFQ
ECAD 5165 0.00000000 Corp - バルク 廃止 -65°C〜200°C (TJ) 穴を通して TO-213AA、to-66-2 90 w to-66 ダウンロード 影響を受けていない 1514-2N6317 ear99 8541.29.0095 1 60 V 7 a 500µA 2V @ 1.75a 、7a 35 @ 500MA 、4V 4MHz
BC636-16ZL1 onsemi BC636-16ZL1 0.0400
RFQ
ECAD 24 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けた ear99 8541.21.0075 1
BC847A-7-F Diodes Incorporated BC847A-7-F 0.2000
RFQ
ECAD 123 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ&リール( tr) アクティブ -65°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BC847 300 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 Ma 15na npn 600MV @ 5MA 、100mA 110 @ 2MA 、5V 300MHz
JANKCBR2N2222A Microchip Technology JANKCBR2N2222A -
RFQ
ECAD 8789 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ -65°C〜200°C 穴を通して to-206aa 500 MW TO-18 - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jankcbr2n2222a ear99 8541.21.0095 1 50 v 800 Ma 50NA npn 1V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V -
BC807-25QC-QZ Nexperia USA Inc. BC807-25QC-QZ 0.3000
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ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント、濡れ可能な側面 3-XDFN露出パッド 380 MW DFN1412D-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 5,000 45 v 500 Ma 100na(icbo) PNP 700mv @ 50ma 、500ma 160 @ 100MA、1V 80MHz
PDTA124XQBZ Nexperia USA Inc. PDTA124XQBZ 0.2700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント、濡れ可能な側面 3-XDFN露出パッド PDTA124 340 MW DFN1110D-3 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 5,000 50 v 100 Ma 100NA pnp-前バイアス 100MV @ 500µA 、10mA 80 @ 5MA 、5V 180 MHz 22 Kohms 47 Kohms
BC557BZL1 onsemi BC557BZL1 -
RFQ
ECAD 3377 0.00000000 onsemi - テープ&ボックス( TB) 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 BC557 625 MW to-92(to-226) ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 Ma 100NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 180 @ 2MA 、5V 320MHz
2N6520TA Fairchild Semiconductor 2N6520TA 1.0000
RFQ
ECAD 5741 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して to-226-3 2N6520 625 MW to-92-3 ダウンロード 0000.00.0000 1 350 V 500 Ma 50na(icbo) PNP 1V @ 5MA 、50mA 20 @ 50ma 、10V 200MHz
DDTA144TKA-7-F Diodes Incorporated DDTA144TKA-7-F -
RFQ
ECAD 1543 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント TO-236-3 DDTA144 200 MW SC-59-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na(icbo) pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、2.5mA 100 @ 1MA 、5V 250 MHz 47 Kohms
2N3904 Diotec Semiconductor 2N3904 0.0241
RFQ
ECAD 68 0.00000000 diotec半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 625 MW to-92 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない 2796-2N3904TR 8541.21.0000 4,000 40 v 200 ma 50NA npn 300mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 300MHz
JANTX2N3499U4 Microchip Technology JANTX2N3499U4 -
RFQ
ECAD 8470 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/366 バルク アクティブ -65°C〜200°C (TJ) 表面マウント 3-SMD 、リードなし 1 W U4 - ROHS非準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 100 V 500 Ma 50na(icbo) npn 600MV @ 30MA、300MA 100 @ 150ma 、10V -
PBSS4021PX,115 NXP Semiconductors PBSS4021px、115 1.0000
RFQ
ECAD 1763 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-243AA 2.5 W SOT-89 ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない 2156-PBSS4021PX、115-954 ear99 8541.21.0095 1 20 v 6.2 a 100NA PNP 265MV @ 345MA 、6.9a 150 @ 4a 、2V 105MHz
UPA2003GR-A Renesas Electronics America Inc UPA2003GR-A 1.0000
RFQ
ECAD 4665 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * バルク アクティブ UPA2003 - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1
JANTX2N6989U/TR Microchip Technology jantx2n6989u/tr 78.7002
RFQ
ECAD 8718 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/559 テープ&リール( tr) アクティブ -65°C〜200°C (TJ) 表面マウント 20-CLCC 2N6989 1W 20-CLCC - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jantx2n6989u/tr ear99 8541.29.0095 1 50V 800mA 10µa(icbo) 4 npn 1V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V -
HN1B04FU-Y,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage hn1b04fu-y、lxhf 0.4200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ - 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 HN1B04 200mw US6 ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50V 150ma 100na(icbo) NPN、PNP 250mv @ 10ma 、100ma / 300mv @ 10ma 、100ma 120 @ 2MA 、6V 150MHz、120MHz
BC856BS/ZL115 Nexperia USA Inc. BC856BS/ZL115 0.0200
RFQ
ECAD 384 0.00000000 Nexperia USA Inc. * バルク アクティブ BC856 ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 3,000
SG2813J Microchip Technology SG2813J -
RFQ
ECAD 7623 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ アクティブ -55°C〜125°C 穴を通して 18-cdip (0.300 "、7.62mm) SG2813 - 18カーディップ ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 150-SG2813J ear99 8541.29.0095 21 50V 600MA - 8 npnダーリントン 1.9V @ 600µA 、500mA - -
KSD261CGTA Fairchild Semiconductor KSD261CGTA 0.0300
RFQ
ECAD 163 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 500 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 1 20 v 500 Ma 100na(icbo) npn 400mv @ 50ma 、500ma 200 @ 100MA、1V -
KSC2518O onsemi KSC2518o -
RFQ
ECAD 3298 0.00000000 onsemi - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 KSC2518 40 W TO-220-3 ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,200 400 V 4 a 10µa(icbo) npn 1V @ 300MA 、1.5a 30 @ 300MA 、5V -
MT3S113(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113 0.7000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 MT3S113 800mw s-mini ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 11.8db 5.3V 100mA npn 200 @ 30ma 、5v 12.5GHz 1.45db @ 1GHz
PMBTA06/DG/B3235 NXP USA Inc. PMBTA06/DG/B3235 0.0400
RFQ
ECAD 119 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 1
MMSS8050-L-TPS01 Micro Commercial Co MMSS8050-L-TPS01 0.0685
RFQ
ECAD 2482 0.00000000 Micro Commercial Co - バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMSS8050 300 MW SOT-23 ダウンロード 353-MMSS8050-L-TPS01 ear99 8541.21.0075 1 25 v 1.5 a 100NA npn 500mv @ 80ma 、800ma 120 @ 100MA、1V 100MHz
JANTX2N3725UB/TR Microchip Technology jantx2n3725ub/tr -
RFQ
ECAD 3182 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ 200°C (TJ) 表面マウント 4-SMD 、リードなし ub - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jantx2n3725ub/tr 1 50 v 500 Ma - npn - - -
JANSM2N3810L Microchip Technology JANSM2N3810L 198.9608
RFQ
ECAD 2842 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/336 バルク アクティブ -65°C〜200°C (TJ) 穴を通して to-78-6金属缶 2N3810 350MW to-78-6 - 影響を受けていない 150-JANSM2N3810L 1 60V 50ma 10µa(icbo) 2 PNP (デュアル) 250MV @ 100µA、1MA 150 @ 1MA 、5V -
2N5678 Microchip Technology 2N5678 613.4700
RFQ
ECAD 4921 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ - スタッドマウント TO-211MB 175 w to-63 - 影響を受けていない 150-2N5678 ear99 8541.29.0095 1 100 V 10 a - PNP - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫