SIC
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双極（BJT ）（ 35082）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 得 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクター（IC ）（最大） 現在 -コレクターカットオフ（最大） トランジスタタイプ vce 飽和（max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース（r1） 抵抗 -エミッターベース（r2） ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
BCR133WE6327 Infineon Technologies BCR133WE6327 -
RFQ
 ECAD 7553 0.00000000 Infineon Technologies * バルク アクティブ BCR133 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000
CP147-2N6284-CT Central Semiconductor Corp CP147-2N6284-CT -
RFQ
 ECAD 3911 0.00000000 Corp - テープ＆リール（ tr） 廃止 -65°C〜200°C （TJ） 表面マウント 死ぬ 160 W 死ぬ ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 1514-CP147-2N6284-TR ear99 8541.29.0095 1 100 V 20 a 1ma npn-ダーリントン 3V @ 200MA 、20a 750 @ 10a、3V 4MHz
FZT953TA-79 Diodes Incorporated FZT953TA-79 -
RFQ
 ECAD 2987 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） 廃止 - ROHS準拠 1 （無制限） 31-FZT953TA-79TR 廃止 3,000
BC547CZL1 onsemi BC547CZL1 -
RFQ
 ECAD 2464 0.00000000 onsemi - テープ＆ボックス（ TB） 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 BC547 625 MW to-92（to-226） ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 Ma 15na npn 250mv @ 500µa 、10ma 420 @ 2MA 、5V 300MHz
JANSR2N3637UB/TR Microchip Technology jansr2n3637ub/tr 125.1808
RFQ
 ECAD 5551 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/357 テープ＆リール（ tr） アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 表面マウント 4-SMD 、リードなし 1.5 w ub - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jansr2n3637ub/tr ear99 8541.29.0095 1 175 v 1 a 10µa（icbo） PNP 600mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma 、10V -
2SD2206,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2206 -
RFQ
 ECAD 1678 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C （TJ） 穴を通して TO-226-3 2SD2206 900 MW to-92mod ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.21.0075 1 100 V 2 a 10µa（icbo） npn 1.5V @ 1MA、1a 2000 @ 1a 、2V 100MHz
NSBC114YF3T5G onsemi NSBC114YF3T5G 0.3600
RFQ
 ECAD 218 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SOT-1123 NSBC114 254 MW SOT-1123 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 250mv @ 300µa 、10ma 80 @ 5MA 、10V 10 Kohms 47 Kohms
MJ10006 Solid State Inc. MJ10006 3.9330
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 ECAD 6592 0.00000000 Solid State Inc. スイッチモード バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 穴を通して to-204aa、to-3 150 W to-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー 2383-MJ10006 ear99 8541.10.0080 10 350 V 10 a 5MA npn-ダーリントン 2.9V @ 1a 、10a 40 @ 2.5a 、5V -
BDX53C STMicroelectronics BDX53C 1.3000
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 ECAD 2448 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ アクティブ 150°C （TJ） 穴を通して TO-220-3 BDX53 60 W TO-220 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 100 V 8 a 500µA npn-ダーリントン 2V @ 12ma、3a 750 @ 3a、3V -
BCR 191L3 E6327 Infineon Technologies BCR 191L3 E6327 -
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 ECAD 8615 0.00000000 Infineon Technologies - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました 表面マウント SC-101 、SOT-883 BCR 191 250 MW PG-TSLP-3-4 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 15,000 50 v 100 Ma 100na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 50 @ 5MA 、5V 200 MHz 22 Kohms 22 Kohms
KST3906MTF Fairchild Semiconductor KST3906MTF 1.0000
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 ECAD 5074 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ - 表面マウント TO-236-3 KST39 350 MW SOT-23-3 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 0000.00.0000 3,000 40 v 200 ma - PNP 400mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 250MHz
MMDT2222VQ-7 Diodes Incorporated MMDT2222VQ-7 0.4000
RFQ
 ECAD 2196 0.00000000 ダイオードが組み込まれています aec-q101 バルク アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-563、SOT-666 MMDT2222 150MW SOT-563 ダウンロード 31-MMDT2222VQ-7 ear99 8541.21.0095 3,000 40V 600MA 10na 2 NPN （デュアル） 1V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 300MHz
BC858AWT1 onsemi BC858AWT1 -
RFQ
 ECAD 9821 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント SC-70、SOT-323 BC858 150 MW SC-70-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 30 V 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 125 @ 2MA 、5V 100MHz
DDTC144EUA-7-F-50 Diodes Incorporated DDTC144EUA-7-F-50 0.0391
RFQ
 ECAD 1007 0.00000000 ダイオードが組み込まれています 自動車、AEC-Q101 バルク アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 DDTC144 200 MW SOT-323 ダウンロード 31-DDTC144EUA-7-F-50 ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 68 @ 5MA 、5V 250 MHz 47 Kohms 47 Kohms
BULB39D-1 STMicroelectronics BULB39D-1 -
RFQ
 ECAD 2383 0.00000000 stmicroelectronics - チューブ 廃止 150°C （TJ） 表面マウント TO-263-3 bulb39 70 W d²pak ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 450 v 4 a 100µA npn 1.1V @ 500MA 、2.5a 10 @ 10ma 、5v -
PMBT2222A/LF1215 NXP USA Inc. PMBT2222A/LF1215 1.0000
RFQ
 ECAD 3315 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ PMBT2222 - 適用できない 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 3,000
2N5794AU Microchip Technology 2N5794AU 71.0700
RFQ
 ECAD 9803 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 表面マウント 6-SMD 、リードなし 2N5794 600MW u - 影響を受けていない 150-2N5794AU ear99 8541.21.0095 1 40V 600MA 10µa（icbo） 2 NPN （デュアル） 900MV @ 30MA、300MA 100 @ 150ma 、10V -
BC857BLP-7B Diodes Incorporated BC857BLP-7B 0.4000
RFQ
 ECAD 606 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント 3-ufdfn BC857 250 MW x1-dfn1006-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 220 @ 2MA 、5V 100MHz
PBLS6005D,115 NXP Semiconductors PBLS6005D 、115 -
RFQ
 ECAD 8192 0.00000000 NXP半導体 - バルク アクティブ 表面マウント SC-74、SOT-457 PBLS6005 600MW 6-tsop ダウンロード 0000.00.0000 1 50V 、60V 100MA 、700mA 1µA 、100NA 1 NPN 事前にバイアス、 1 PNP 150MV @ 500µA、 10MA / 340MV @ 100MA、1A 80 @ 5MA 、5V / 150 @ 500MA 、5V 185MHz 47kohms 47kohms
BC547C B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC547C B1G -
RFQ
 ECAD 6052 0.00000000 台湾半導体コーポレーション - バルク 廃止 -65°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 BC547 500 MW to-92 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 5,000 45 v 100 Ma 15NA npn - 420 @ 2MA 、5V -
2SC3330T onsemi 2SC3330T -
RFQ
 ECAD 2937 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 1
JANTX2N6032 Microchip Technology JANTX2N6032 442.6240
RFQ
 ECAD 7877 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/528 バルク アクティブ -65°C〜200°C（タタ 穴を通して to-204aa、to-3 140 w to-3 - 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 90 v 50 a 25ma npn 10 @ 50a 、2.6V -
DTA143TU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTA143TU3HZGT106 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 テープ＆リール（ tr） アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 DTA143 200 MW UMT3 ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na（icbo） pnp-前バイアス 300MV @ 250µA 、5MA 100 @ 1MA 、5V 250 MHz 4.7 Kohms
UPA802T-A CEL upa802t-a -
RFQ
 ECAD 5471 0.00000000 セル - バルク 廃止 150°C （TJ） 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 200mw SOT-363 ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 1 12db 10V 65ma 2 NPN （デュアル） 70 @ 7MA、3V 7GHz 1.4db @ 1GHz
2SC3597E onsemi 2SC3597E -
RFQ
 ECAD 4457 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 1
2N3700AUB Microchip Technology 2N3700AUB 10.6950
RFQ
 ECAD 3082 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、リードなし 500 MW ub - 影響を受けていない 150-2N3700AUB ear99 8541.21.0095 1 80 v 1 a 10na npn 500MV @ 50MA 、500MA 100 @ 150ma 、10V -
BC846B Yangjie Technology BC846B 0.0150
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Yangjieテクノロジー - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 225 MW SOT-23 - ROHS準拠 影響を受けていない 4617-BC846BTR ear99 3,000 65 v 100 Ma 100NA npn 500MV @ 5MA 、100mA 200 @ 2MA 、5V 100MHz
FJAF4310OTU onsemi fjaf4310otu 3.0900
RFQ
 ECAD 307 0.00000000 onsemi - チューブ 前回購入します 150°C （TJ） 穴を通して to-3p-3フルパック FJAF4310 80 w to-3pf ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 360 140 v 10 a 10µa（icbo） npn 500MV @ 500MA 、5a 70 @ 3a 、4V 30MHz
JAN2N5151U3 Microchip Technology JAN2N5151U3 134.4763
RFQ
 ECAD 8242 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/545 バルク アクティブ -65°C〜200°C （TJ） 表面マウント 3-SMD 、リードなし 1.16 w U3 - ROHS非準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 80 v 1 Ma 1ma PNP 1.5V @ 500MA 、5a 30 @ 2.5a 、5V -
ADTB122LCQ-13 Diodes Incorporated ADTB122LCQ-13 -
RFQ
 ECAD 7809 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ＆リール（ tr） 廃止 ADTB122 - ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 31-ADTB122LCQ-13TR 廃止 10,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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