SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターカットオフ(最大) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2) ノイズフィギュア(DBタイプ @ f)
BC807-16LT1 onsemi BC807-16LT1 0.0200
RFQ
ECAD 383 0.00000000 onsemi - バルク 廃止 BC807 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000
RN2714,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2714 、LF -
RFQ
ECAD 5528 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 表面マウント 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 RN2714 200mw USV ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500na 2 pnp- バ​​イアス(デュアル) 300MV @ 250µA 、5MA 50 @ 10ma 、5v - 1kohms 10kohms
PBHV8515QA147 NXP USA Inc. PBHV8515QA147 0.1000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.21.0095 5,000
BFR193FH6327 Infineon Technologies BFR193FH6327 0.0800
RFQ
ECAD 99 0.00000000 Infineon Technologies aec-q101 バルク アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント SOT-723 580MW PG-TSFP-3-1 ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 3,000 19db 12V 80ma npn 70 @ 30MA 、8V 8GHz 1DB〜1.6DB @ 900MHz〜1.8GHz
2SCR583D3FRATL Rohm Semiconductor 2SCR583D3FRATL 2.5500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント to-252-3 10 W TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 2,500 50 v 7 a 1µa(icbo) npn 350MV @ 150MA、3a 180 @ 1a、3V 280MHz
TIP42 onsemi TIP42 -
RFQ
ECAD 6291 0.00000000 onsemi - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3 TIP42 2 W TO-220-3 ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 200 40 v 6 a 700µA PNP 1.5V @ 600MA 、6a 15 @ 3a 、4V 3MHz
PDTD114EU115 NXP USA Inc. PDTD114EU115 0.0300
RFQ
ECAD 28 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 3,000
DRC2144E0L Panasonic Electronic Components DRC2144E0L -
RFQ
ECAD 7384 0.00000000 パナソニック電子コンポーネント - テープ&リール( tr) sicで中止されました 表面マウント TO-236-3 DRC2144 200 MW MINI3-G3-B ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 250mv @ 500µa 、10ma 80 @ 5MA 、10V 47 Kohms 47 Kohms
BC856B Diotec Semiconductor BC856B 0.0182
RFQ
ECAD 2125 0.00000000 diotec半導体 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 BC856 250 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 2796-BC856BTR ear99 8541.21.0000 3,000 65 v 100 Ma 15NA PNP 650mv @ 5ma 、100ma 220 @ 2MA 、5V 100MHz
PH9046 MACOM Technology Solutions PH9046 -
RFQ
ECAD 8720 0.00000000 マコムテクノロジーソリューション * バルク 廃止 - 1 (無制限) 廃止 0000.00.0000 1
PBSS4130PANP,115 Nexperia USA Inc. PBSS4130PANP 、115 0.5200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント 6-ufdfn露出パッド PBSS4130 510MW 6-HUSON (2x2) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 30V 1a 100na(icbo) NPN、PNP 100MV @ 50MA 、500MA 210 @ 500MA 、2V 165MHz
RN1108MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1108MFV 、L3F 0.1800
RFQ
ECAD 29 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOT-723 RN1108 150 MW vesm ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 80 @ 10ma 、5v 22 Kohms 47 Kohms
TDTC143Z,LM Toshiba Semiconductor and Storage TDTC143Z 、LM 0.1800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント TO-236-3 TDTC143 320 MW SOT-23-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 80 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms
2SC2235-Y,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage 2sc2235-y、t6f(j -
RFQ
ECAD 7291 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-226-3 2SC2235 900 MW to-92mod ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 Ma 100na(icbo) npn 1V @ 50ma 、500ma 80 @ 100MA 、5V 120MHz
2SB1228 onsemi 2SB1228 0.5700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.29.0095 1
2SCR572D3FRATL Rohm Semiconductor 2SCR572D3FRATL 1.6000
RFQ
ECAD 273 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント to-252-3 2SCR572 10 W TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 2,500 30 V 5 a 1µa(icbo) npn 400MV @ 100MA 、2a 200 @ 500MA、3V 300MHz
MS1006 Microsemi Corporation MS1006 -
RFQ
ECAD 8980 0.00000000 Microsemi Corporation - バルク 廃止 200°C スタッドマウント M135 127W M135 - 1 (無制限) ear99 8541.29.0075 1 14db 55V 3.25a npn 19 @ 1.4a 、6V 30MHz -
DTC113ZEBTL Rohm Semiconductor DTC113ZEBTL 0.2600
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません 表面マウント SC-89 、SOT-490 DTC113 150 MW emt3f(SOT-416fl ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 33 @ 5MA 、5V 250 MHz 1 KOHMS 10 Kohms
ADA114EUQ-7 Diodes Incorporated ADA114EUQ-7 0.0654
RFQ
ECAD 1099 0.00000000 ダイオードが組み込まれています aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 ADA114 270MW SOT-363 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA - 2 pnp- バ​​イアス(デュアル) - - 250MHz 10kohms 10kohms
PEMD24,115 Nexperia USA Inc. PEMD24,115 0.4700
RFQ
ECAD 3919 0.00000000 Nexperia USA Inc. - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません 表面マウント SOT-563、SOT-666 PEMD24 300MW SOT-666 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 4,000 50V 20ma 1µA 1 npn、1 pnp- バ​​イアス前(デュアル) 150MV @ 250µA 、5MA 80 @ 5MA 、5V - 100kohms 100kohms
JAN2N3737 Microchip Technology Jan2N3737 -
RFQ
ECAD 3800 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/395 バルク sicで中止されました -65°C〜200°C (TJ) 穴を通して to-206ab、to-46-3金属缶 500 MW to-46-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1 40 v 1.5 a 10µa(icbo) npn 900mv @ 100ma、1a 20 @ 1a 、1.5V -
SG2023L Microchip Technology SG2023L -
RFQ
ECAD 5733 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - トレイ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 20-CLCC SG2023 - 20-clcc (8.89x8.89 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 150-SG2023L ear99 8541.29.0095 50 95V 500mA - 7 npnダーリントン 1.6V @ 500µA、350MA 1000 @ 350MA 、2V -
DDA113TU-7-F Diodes Incorporated DDA113TU-7-F 0.4900
RFQ
ECAD 10 0.00000000 ダイオードが組み込まれています - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 DDA113 200mw SOT-363 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA - 2 pnp- バ​​イアス(デュアル) 300MV @ 1MA 、10ma 100 @ 1MA 、5V 250MHz 1kohms -
MPQ7091 onsemi MPQ7091 0.6700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 onsemi * バルク アクティブ ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1
2SA1552T-TL-H onsemi 2SA1552T-TL-H 0.8100
RFQ
ECAD 452 0.00000000 onsemi - テープ&リール( tr) 廃止 150°C (TJ) 表面マウント to-252-3 2SA1552 1 W TP-FA ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 700 160 v 1.5 a 1µa(icbo) PNP 500MV @ 50MA 、500MA 200 @ 100MA 、5V 120MHz
PHE13005,127 NXP USA Inc. PHE13005,127 -
RFQ
ECAD 8169 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ phe13 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000
2N3904TAR Fairchild Semiconductor 2N3904TAR -
RFQ
ECAD 2085 0.00000000 フェアチャイルド半導体 - バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して to-226-3 625 MW to-92-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 1 40 v 200 ma 50NA npn 300mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 300MHz
2SC4793,YHF(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793 -
RFQ
ECAD 4612 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC4793 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.29.0075 1 230 v 1 a 1µa(icbo) npn 1.5V @ 50ma 、500ma 100 @ 100MA 、5V 100MHz
2SC5171,MATUDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5171 -
RFQ
ECAD 1872年 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 150°C (TJ) 穴を通して TO-220-3フルパック 2SC5171 2 W TO-220NIS ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.29.0075 1 180 v 2 a 5µa(icbo) npn 1V @ 100MA、1a 100 @ 100MA 、5V 200MHz
PDTB113ZU135 NXP USA Inc. PDTB113ZU135 0.0300
RFQ
ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. * バルク アクティブ ダウンロード 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー ear99 8541.21.0075 10,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫