画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 得 | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) | ノイズフィギュア(DBタイプ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BC807-16LT1 | 0.0200 | ![]() | 383 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | BC807 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||
![]() | RN2714 、LF | - | ![]() | 5528 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | 5-TSSOP 、SC-70-5 、SOT-353 | RN2714 | 200mw | USV | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 500na | 2 pnp- バイアス(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 50 @ 10ma 、5v | - | 1kohms | 10kohms | ||||||
![]() | PBHV8515QA147 | 0.1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0095 | 5,000 | |||||||||||||||||||
![]() | BFR193FH6327 | 0.0800 | ![]() | 99 | 0.00000000 | Infineon Technologies | aec-q101 | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-723 | 580MW | PG-TSFP-3-1 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 19db | 12V | 80ma | npn | 70 @ 30MA 、8V | 8GHz | 1DB〜1.6DB @ 900MHz〜1.8GHz | |||||||
![]() | 2SCR583D3FRATL | 2.5500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | 10 W | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 50 v | 7 a | 1µa(icbo) | npn | 350MV @ 150MA、3a | 180 @ 1a、3V | 280MHz | |||||||
![]() | TIP42 | - | ![]() | 6291 | 0.00000000 | onsemi | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | TIP42 | 2 W | TO-220-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 200 | 40 v | 6 a | 700µA | PNP | 1.5V @ 600MA 、6a | 15 @ 3a 、4V | 3MHz | |||||||
![]() | PDTD114EU115 | 0.0300 | ![]() | 28 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | |||||||||||||||||||
![]() | DRC2144E0L | - | ![]() | 7384 | 0.00000000 | パナソニック電子コンポーネント | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 表面マウント | TO-236-3 | DRC2144 | 200 MW | MINI3-G3-B | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 250mv @ 500µa 、10ma | 80 @ 5MA 、10V | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||
![]() | BC856B | 0.0182 | ![]() | 2125 | 0.00000000 | diotec半導体 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | BC856 | 250 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 2796-BC856BTR | ear99 | 8541.21.0000 | 3,000 | 65 v | 100 Ma | 15NA | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 220 @ 2MA 、5V | 100MHz | ||||||
![]() | PH9046 | - | ![]() | 8720 | 0.00000000 | マコムテクノロジーソリューション | * | バルク | 廃止 | - | 1 (無制限) | 廃止 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | PBSS4130PANP 、115 | 0.5200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-ufdfn露出パッド | PBSS4130 | 510MW | 6-HUSON (2x2) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30V | 1a | 100na(icbo) | NPN、PNP | 100MV @ 50MA 、500MA | 210 @ 500MA 、2V | 165MHz | ||||||
![]() | RN1108MFV 、L3F | 0.1800 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-723 | RN1108 | 150 MW | vesm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300mv @ 500µa 、5ma | 80 @ 10ma 、5v | 22 Kohms | 47 Kohms | |||||||
![]() | TDTC143Z 、LM | 0.1800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | TDTC143 | 320 MW | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 80 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | |||||||
![]() | 2sc2235-y、t6f(j | - | ![]() | 7291 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-226-3 | 2SC2235 | 900 MW | to-92mod | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 120 v | 800 Ma | 100na(icbo) | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 80 @ 100MA 、5V | 120MHz | ||||||||
![]() | 2SB1228 | 0.5700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 2SCR572D3FRATL | 1.6000 | ![]() | 273 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | 2SCR572 | 10 W | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 30 V | 5 a | 1µa(icbo) | npn | 400MV @ 100MA 、2a | 200 @ 500MA、3V | 300MHz | ||||||
![]() | MS1006 | - | ![]() | 8980 | 0.00000000 | Microsemi Corporation | - | バルク | 廃止 | 200°C | スタッドマウント | M135 | 127W | M135 | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 14db | 55V | 3.25a | npn | 19 @ 1.4a 、6V | 30MHz | - | |||||||||
![]() | DTC113ZEBTL | 0.2600 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | SC-89 、SOT-490 | DTC113 | 150 MW | emt3f(SOT-416fl | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 33 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 1 KOHMS | 10 Kohms | |||||
![]() | ADA114EUQ-7 | 0.0654 | ![]() | 1099 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | ADA114 | 270MW | SOT-363 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | - | 2 pnp- バイアス(デュアル) | - | - | 250MHz | 10kohms | 10kohms | |||||
![]() | PEMD24,115 | 0.4700 | ![]() | 3919 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | PEMD24 | 300MW | SOT-666 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 4,000 | 50V | 20ma | 1µA | 1 npn、1 pnp- バイアス前(デュアル) | 150MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 5MA 、5V | - | 100kohms | 100kohms | |||||
Jan2N3737 | - | ![]() | 3800 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/395 | バルク | sicで中止されました | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-206ab、to-46-3金属缶 | 500 MW | to-46-3 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 v | 1.5 a | 10µa(icbo) | npn | 900mv @ 100ma、1a | 20 @ 1a 、1.5V | - | ||||||||
![]() | SG2023L | - | ![]() | 5733 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | トレイ | アクティブ | -55°C〜125°C | 表面マウント | 20-CLCC | SG2023 | - | 20-clcc (8.89x8.89 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-SG2023L | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 95V | 500mA | - | 7 npnダーリントン | 1.6V @ 500µA、350MA | 1000 @ 350MA 、2V | - | ||||||
![]() | DDA113TU-7-F | 0.4900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | ダイオードが組み込まれています | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | DDA113 | 200mw | SOT-363 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | - | 2 pnp- バイアス(デュアル) | 300MV @ 1MA 、10ma | 100 @ 1MA 、5V | 250MHz | 1kohms | - | |||||
![]() | MPQ7091 | 0.6700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | onsemi | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 2SA1552T-TL-H | 0.8100 | ![]() | 452 | 0.00000000 | onsemi | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | 2SA1552 | 1 W | TP-FA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 700 | 160 v | 1.5 a | 1µa(icbo) | PNP | 500MV @ 50MA 、500MA | 200 @ 100MA 、5V | 120MHz | ||||||
![]() | PHE13005,127 | - | ![]() | 8169 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | phe13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | |||||||||||||||||||
![]() | 2N3904TAR | - | ![]() | 2085 | 0.00000000 | フェアチャイルド半導体 | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | to-226-3 | 625 MW | to-92-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 40 v | 200 ma | 50NA | npn | 300mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 10ma、1V | 300MHz | |||||||
![]() | 2SC4793 | - | ![]() | 4612 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | 2SC4793 | 2 W | TO-220NIS | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 230 v | 1 a | 1µa(icbo) | npn | 1.5V @ 50ma 、500ma | 100 @ 100MA 、5V | 100MHz | ||||||||
![]() | 2SC5171 | - | ![]() | 1872年 | 0.00000000 | 東芝の半導体と貯蔵 | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | 2SC5171 | 2 W | TO-220NIS | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 180 v | 2 a | 5µa(icbo) | npn | 1V @ 100MA、1a | 100 @ 100MA 、5V | 200MHz | ||||||||
![]() | PDTB113ZU135 | 0.0300 | ![]() | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | バルク | アクティブ | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0075 | 10,000 |
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