画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GT100N12M | 1.6400 | ![]() | 733 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-263 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 120 v | 70a | 10V | 10mohm @ 35a 、10V | 3.5V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±20V | 3050 pf @ 60 v | - | 120W (TC) | ||||
![]() | G20P10KE | 0.8700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 100 V | 20a(tc) | 10V | 116mohm @ 16a 、10v | 3V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ±20V | 3354 PF @ 50 V | - | 69W (TC) | ||||
![]() | G110N06T | 1.6000 | ![]() | 92 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 100 | nチャネル | 60 V | 110a(tc) | 4.5V 、10V | 6.4mohm @ 20a 、10V | 2.5V @ 250µA | 113 NC @ 10 V | ±20V | 5538 PF @ 25 V | - | 120W (TC) | |||||
![]() | G26P04D5 | 0.6400 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | モスフェット(金属酸化物) | 8-dfn (4.9x5.75) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | pチャネル | 40 v | 26a(tc) | 4.5V 、10V | 18mohm @ 12a 、10V | 2.5V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ±20V | 2479 PF @ 20 V | - | 50W (TC) | ||||
![]() | G040P04T | 1.9400 | ![]() | 4493 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 3141-G040P04T | ear99 | 8541.29.0000 | 50 | pチャネル | 40 v | 222a | 4.5V 、10V | 3.7mohm @ 20a 、10V | 2.5V @ 250µA | 206 NC @ 10 V | ±20V | 15087 PF @ 20 V | - | 312W | ||||
![]() | GT025N06AM6 | 1.3230 | ![]() | 9062 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-7 | モスフェット(金属酸化物) | to263-6 | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 3141-GT025N06AM6TR | ear99 | 8541.29.0000 | 800 | nチャネル | 60 V | 170a(tc) | 4.5V 、10V | 2mohm @ 20a 、10V | 2.5V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ±20V | 5058 PF @ 30 V | - | 215W | ||||
![]() | G2312 | 0.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 5a | 18mohm @ 4.2a 、10V | 1V @ 250µA | 11 NC @ 4.5 v | ±12V | 780 PF @ 10 V | 1.25W | ||||||
![]() | G15P04K | 0.6200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 40 v | 15a | 39mohm @ 10a 、10V | 3V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 930 PF @ 20 V | 50W | ||||||
![]() | G4614 | 0.4700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 1.9W | 8ソップ | ダウンロード | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0000 | 4,000 | nおよびpチャネル | 40V | 6a(tc | 35mohm @ 3a 、10v、35mohm @ 2a 、10v | 2.5V @ 250µA、3V @ 250µA | 15NC @ 10V、25NC @ 10V | 523pf @ 20V 、1217pf @ 20V | 標準 | ||||||
![]() | G1K3N10G | 0.0990 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-243AA | モスフェット(金属酸化物) | SOT-89 | ダウンロード | ROHS準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0000 | 1,000 | nチャネル | 100 V | 5a(tc) | 4.5V 、10V | 130mohm @ 5a、10V | 2V @ 250µA | 20 NC @ 10 V | ±20V | 644 PF @ 50 V | - | 1.5W | |||||
![]() | 18n10 | 0.7200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 100 V | 25a | 53mohm @ 10a 、10V | 3V @ 250µA | 28 NC @ 10 V | ±20V | 1318 PF @ 50 V | 62.5W | ||||||
![]() | G9435S | 0.4400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0000 | 4,000 | pチャネル | 30 V | 5.1a(ta) | 4.5V 、10V | 55mohm @ 5.1a 、10V | 3V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ±20V | 1040 PF @ 15 V | - | 2.5W | ||||
![]() | G7K2N20HE | 0.4900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | モスフェット(金属酸化物) | SOT-223 | ダウンロード | ROHS準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0000 | 2,500 | nチャネル | 200 v | 2a(tc) | 4.5V 、10V | 700mohm @ 1a 、10V | 2.5V @ 250µA | 10.8 NC @ 10 V | ±20V | 568 PF @ 100 V | 標準 | 1.8W | |||||
![]() | G800P06LL | 0.1040 | ![]() | 8171 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23-6L | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 3141-g800p06lltr | ear99 | 8541.29.0000 | 3,000 | pチャネル | 60 V | 3.5a | 4.5V 、10V | 80mohm @ 3.1a 、10V | 3V @ 250µA | 12 NC @ 4.5 v | ±20V | 650 PF @ 30 V | - | 2W (TC) | ||||
![]() | GT100N04D3 | 0.1090 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERVDFN | モスフェット(金属酸化物) | 8-dfn (3.15x3.05) | ダウンロード | ROHS準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0000 | 5,000 | nチャネル | 40 v | 13a(tc) | 4.5V 、10V | 10mohm @ 5a、10v | 2.5V @ 250µA | 32 NC @ 10 V | ±20V | 642 PF @ 20 V | - | 23W (TC) | |||||
![]() | G48N03D3 | 0.6100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERVDFN | モスフェット(金属酸化物) | 8-dfn (3.15x3.05) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 30 V | 48a | 4.5V 、10V | 6mohm @ 20a 、10V | 2.4V @ 250µA | 38 NC @ 10 V | ±20V | 1784 PF @ 15 V | - | 45W | ||||
![]() | 3400L | 0.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23-3L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 5.6a | 59mohm @ 2.8a 、2.5V | 1.4V @ 250µA | 9.5 NC @ 4.5 v | ±12V | 820 PF @ 15 V | 1.4W | ||||||
![]() | G2K8P15S | 0.2280 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0000 | 4,000 | pチャネル | 150 v | 2.2a(tc) | 10V | 310mohm @ 500ma 、10V | 3.5V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ±20V | 966 PF @ 75 v | - | 2.5W | |||||
![]() | 60N06 | 0.7200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 60 V | 50a | 17mohm @ 5a 、10V | 2V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±20V | 2050 PF @ 30 V | 85W | ||||||
![]() | GT095N10D5 | 0.3100 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | モスフェット(金属酸化物) | 8-PDFN (5x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 100 V | 55a(tc) | 4.5V 、10V | 11mohm @ 35a 、10V | 2.5V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ±20V | - | 74W | |||||
![]() | G08N06S | 0.4600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | g | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 60 V | 6a(ta) | 4.5V 、10V | 30mohm @ 3a 、10V | 2.5V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 979 PF @ 30 V | - | 2W (TA) | ||||
![]() | G7P03D2 | 0.1141 | ![]() | 5430 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-wdfn露出パッド | モスフェット(金属酸化物) | 6-dfn (2x2) | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 3141-G7P03D2TR | ear99 | 8541.29.0000 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 7a(tc) | 4.5V 、10V | 20.5mohm @ 1a 、10V | 1.1V @ 250µA | 19 NC @ 4.5 v | ±20V | 1900 PF @ 15 V | - | 1.3W | ||||
![]() | GT080N10M | 1.5200 | ![]() | 788 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-263 | ダウンロード | ROHS準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 100 V | 70a | 4.5V 、10V | 7.5mohm @ 20a 、10V | 3V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ±20V | 2125 PF @ 50 V | - | 100W (TC) | |||||
![]() | G6K8P15KE | 0.6200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0000 | 2,500 | pチャネル | 150 v | 12a(tc) | 10V | 800mohm @ 6a 、10V | 4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ±20V | 1550 pf @ 75 v | - | 60W (TC) |
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