画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | G45P40T | 0.9400 | ![]() | 399 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | pチャネル | 40 v | 45a(tc) | 4.5V 、10V | 16mohm @ 30a 、10v | 2.5V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ±20V | 3269 PF @ 20 V | - | 80W | |||||
![]() | G35N02K | 0.4700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 20 v | 35a(tc) | 2.5V 、4.5V | 13mohm @ 20a 、4.5v | 1.2V @ 250µA | 24 NC @ 4.5 v | ±12V | 1380 PF @ 10 V | - | 40W (TC) | |||||
![]() | G7K2N20LLE | 0.0690 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23-6L | ダウンロード | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0000 | 3,000 | nチャネル | 200 v | 2a(tc) | 4.5V 、10V | 700mohm @ 1a 、100V | 2.5V @ 250µA | 10.8 NC @ 10 V | ±20V | 577 PF @ 100 V | - | 1.8W | |||||
![]() | GT110N06D5 | 0.9100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | GT | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | モスフェット(金属酸化物) | 8-dfn (4.9x5.75) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 5,000 | nチャネル | 60 V | 45a(tc) | 4.5V 、10V | 11mohm @ 14a 、10v | 2.4V @ 250µA | 31 NC @ 10 V | ±20V | 1202 PF @ 30 V | - | 69W (TC) | |||||||
![]() | G3035 | 0.4300 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.33.0001 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 4.6a(tc) | 4.5V 、10V | 59mohm @ 4a、10V | 2V @ 250µA | 13 NC @ 10 V | ±20V | 650 PF @ 15 V | - | 1.4W | |||||
![]() | G230P06F | 0.9800 | ![]() | 50 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F | ダウンロード | ROHS準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | 3141-G230P06F | ear99 | 8541.29.0000 | 50 | pチャネル | 60 V | 42a | 10V | 23mohm @ 10a 、10V | 4V @ 250µA | 62 NC @ 10 V | ±20V | 4669 PF @ 30 V | - | 67.57W | ||||
![]() | G10P03 | 0.4900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERVDFN | モスフェット(金属酸化物) | 8-dfn (3.15x3.05) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | pチャネル | 30 V | 10a | 1.5V @ 250µA | 27 NC @ 4.5 v | ±12V | 1550 PF @ 15 V | 20W | ||||||||
![]() | 2301 | 0.0270 | ![]() | 120 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 3a(ta) | 2.5V 、4.5V | 56mohm @ 1.7a 、4.5V | 900MV @ 250µA | 12 NC @ 2.5 v | ±10V | 405 PF @ 10 V | - | 1W | |||||
![]() | GT080N10KI | 0.7012 | ![]() | 8022 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 3141-GT080N10KITR | ear99 | 8541.29.0000 | 2,500 | nチャネル | 100 V | 65a(tc) | 4.5V 、10V | 8mohm @ 20a 、10V | 2.5V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ±20V | 2394 PF @ 50 V | - | 79W | |||||
![]() | GT6K2P10KH | - | ![]() | 7588 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0000 | 2,500 | pチャネル | 100 V | 4.3a(tc) | 10V | 670mohm @ 1a 、10V | 3V @ 250µA | 10 NC @ 10 V | ±20V | 247 PF @ 50 V | - | 25W (TC) | ||||||
![]() | G250N03IE | 0.3600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23-6L | ダウンロード | ROHS準拠 | ear99 | 8541.29.0000 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 5.3a(tc) | 2.5V 、10V | 25mohm @ 4a 、10V | 1.3V @ 250µA | 9.1 NC @ 4.5 v | ±10V | 573 PF @ 15 V | - | 1.4W | |||||||
![]() | G900P15D5 | 1.5800 | ![]() | 1988年年 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | モスフェット(金属酸化物) | 8-dfn (4.9x5.75) | ダウンロード | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0000 | 5,000 | pチャネル | 150 v | 60a(tc) | 10V | 80mohm @ 5a 、10V | 4V @ 250µA | 27 NC @ 10 V | ±20V | 4050 PF @ 75 V | - | 100W (TC) | |||||
![]() | GT55N06D5 | 0.8000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | モスフェット(金属酸化物) | 8-dfn (4.9x5.75) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 60 V | 53a(ta) | 4.5V 、10V | 9mohm @ 14a 、10V | 2.5V @ 250µA | 31 NC @ 10 V | ±20V | 1988 PF @ 30 V | - | 70W | |||||
![]() | GT105N10T | 0.3820 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 100 | nチャネル | 100 V | 55a(tc) | 4.5V 、10V | 10.5mohm @ 35a 、10V | 2.5V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ±20V | - | 74W | ||||||
![]() | G05P06L | 0.0790 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23-3 | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 60 V | 5a(tc) | 4.5V 、10V | 120mohm @ 4a 、10V | 2.5V @ 250µA | 37 NC @ 10 V | ±20V | 1366 PF @ 50 V | - | 4.3W | ||||||
![]() | G80N03K | 0.8300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.29.0000 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 80a(tc) | 4.5V 、10V | 6.5mohm @ 25a 、10V | 2V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ±20V | 1950 PF @ 15 V | - | 69W (TC) | ||||||
![]() | GC20N65F | 2.7000 | ![]() | 79 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 100 | nチャネル | 650 V | 20a(tc) | 10V | 170mohm @ 10a 、10V | 4.5V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ±30V | 1724 PF @ 100 V | - | 34W (TC) | ||||||
![]() | 630A | 0.8000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 200 v | 11a | 10V | 280mohm @ 4.5a 、10V | 3V @ 250µA | 11.8 NC @ 10 V | ±20V | 509 PF @ 25 V | - | 83W | |||||
![]() | G7P03L | 0.0670 | ![]() | 150 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 7a(tc) | 4.5V 、10V | 23mohm @ 3a 、10V | 2.5V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ±20V | 1500 PF @ 15 V | - | 1.9W | |||||
![]() | G69F | 0.1247 | ![]() | 4161 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-udfn露出パッド | モスフェット(金属酸化物) | 6-dfn (2x2) | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0000 | 3,000 | pチャネル | 12 v | 16a(tc) | 2.5V 、4.5V | 18mohm @ 4.5a 、4.5V | 1V @ 250µA | 48 NC @ 4.5 v | ±8V | 2700 PF @ 10 V | - | 18W (TC) | ||||||
![]() | G18P03D3 | 0.8000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERVDFN | モスフェット(金属酸化物) | 8-dfn (3.15x3.05) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 28a(tc) | 4.5V 、10V | 10mohm @ 10a 、10v | 2.5V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±20V | 2060 PF @ 15 V | - | 40W (TC) | |||||
![]() | 630AT | - | ![]() | 4712 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 100 | nチャネル | 200 v | 9a(tc) | 4.5V 、10V | 250mohm @ 1a 、10V | 2.2V @ 250µA | 11.8 NC @ 10 V | ±20V | 509 PF @ 25 V | - | 83W | ||||||
![]() | G75P04KI | 0.3822 | ![]() | 3046 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 3141-G75P04KITR | ear99 | 8541.29.0000 | 2,500 | pチャネル | 40 v | 70a | 4.5V 、10V | 6.5mohm @ 20a 、10V | 2.5V @ 250µA | 106 NC @ 10 V | ±20V | 6586 PF @ 20 V | - | 130W | |||||
![]() | 03N06 | 0.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 60 V | 3a | 100mohm @ 2a 、10V | 1.2V @ 250µA | 14.6 NC @ 30 V | ±20V | 510 pf @ 30 V | 1.7W | |||||||
![]() | 2301H | 0.0290 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 2a(ta) | 4.5V 、10V | 125mohm @ 3a、10V | 2V @ 250µA | 12 NC @ 2.5 v | ±12V | 405 PF @ 10 V | - | 1W | |||||
![]() | G12P04K | 0.5300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 40 v | 12a(tc) | 4.5V 、10V | 35mohm @ 6a 、10V | 2.5V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 930 PF @ 20 V | - | 50W (TC) | |||||
![]() | GT035N06T | 1.9400 | ![]() | 148 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 60 V | 170a(tc) | 4.5V 、10V | 3.5mohm @ 20a 、10V | 2.5V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ±20V | 5064 PF @ 30 V | - | 215W | |||||
![]() | G130N06S | 0.1950 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0000 | 4,000 | nチャネル | 60 V | 9a(tc) | 4.5V 、10V | 12mohm @ 10a 、10V | 2.5V @ 250µA | 67 NC @ 10 V | ±20V | 3068 PF @ 30 V | - | 2.6W | |||||
![]() | G20N06D52 | 0.1920 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-powertdfn | G20N | モスフェット(金属酸化物) | 45W | 8-dfn (4.9x5.75) | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 60V | 20a(ta) | 30mohm @ 20a 、10V | 2.5V @ 250µA | 25NC @ 10V | 1220pf @ 30V | - | |||||||
![]() | G2305 | 0.0350 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 4.8a(ta) | 2.5V 、4.5V | 50mohm @ 4.1a 、4.5V | 1V @ 250µA | 7.8 NC @ 4.5 v | ±12V | - | 1.7W |
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