画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GC11N65D5 | 0.6760 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | g | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | モスフェット(金属酸化物) | 8-dfn (4.9x5.75) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 5,000 | nチャネル | 650 V | 11a(tc) | 10V | 360mohm @ 5.5a 、10V | 4V @ 250µA | ±30V | 901 PF @ 50 V | - | 78W (TC) | ||||||||
![]() | G13P04S | 0.6800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 4,000 | pチャネル | 40 v | 13a(tc) | 10V | 15mohm @ 12a 、10V | 2.5V @ 250µA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 3271 PF @ 20 V | 標準 | 3W (TC) | |||||||
![]() | G2K2P10SE | 0.5300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | pチャネル | 100 V | 3.5a | 4.5V 、10V | 200mohm @ 3a 、10V | 2.5V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±20V | 1653 PF @ 50 V | - | 3.1W | |||||
![]() | GT250P10T | 1.7500 | ![]() | 2111 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 3141-GT250P10T | ear99 | 8541.29.0000 | 50 | pチャネル | 100 V | 56a(tc) | 10V | 30mohm @ 10a 、10V | 4V @ 250µA | 73 NC @ 10 V | ±20V | 4059 PF @ 50 V | - | 173.6W | |||||
![]() | G700P06LL | 0.0750 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23-6L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0000 | 3,000 | pチャネル | 60 V | 5a(tc) | 4.5V 、10V | 75mohm @ 3.2a 、10V | 3V @ 250µA | 15.8 NC @ 10 V | ±20V | 1456 PF @ 30 V | - | 3.1W | ||||||
![]() | 6706 | 0.1247 | ![]() | 9765 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 2W (TA) | 8ソップ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 3141-6706tr | ear99 | 8541.29.0000 | 4,000 | - | 20V | 6.5a | 18mohm @ 5a | 1V @ 250µA | 5.2NC @ 10V、9.2NC @ 10V | 255pf @ 15v、520pf @ 15v | 標準 | |||||||
![]() | 9926 | 0.4900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 20 v | 6a | 25mohm @ 4.5a 、4.5V | 1.2V @ 250µA | 10 NC @ 4.5 v | ±10V | 640 PF @ 10 V | 1.25W | |||||||
![]() | G2003A | 0.0740 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | g | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 190 v | 3a(ta) | 4.5V 、10V | 540mohm @ 2a 、10V | 3V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ±20V | 580 PF @ 25 V | - | 1.8W | ||||||
![]() | G300P06S | 0.5900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0000 | 4,000 | pチャネル | 60 V | 12a(tc) | 10V | 30mohm @ 8a 、10v | 3V @ 250µA | 49 NC @ 10 V | ±20V | 2719 PF @ 30 V | - | 3W (TC) | |||||
![]() | GT110N06D3 | 0.7200 | ![]() | 7051 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | 軍曹 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERVDFN | モスフェット(金属酸化物) | 8-dfn (3.15x3.05) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 60 V | 35a(tc) | 4.5V 、10V | 11mohm @ 14a 、10v | 2.4V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±20V | 1059 PF @ 30 V | 標準 | 25W (TC) | ||||||
![]() | GT019N04D5 | 0.3418 | ![]() | 1302 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | モスフェット(金属酸化物) | 8-dfn (4.9x5.75) | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 3141-GT019N04D5TR | ear99 | 8541.29.0000 | 5,000 | nチャネル | 40 v | 120a(tc) | 4.5V 、10V | 2.8mohm @ 10a 、10V | 2.5V @ 250µA | 95 NC @ 10 V | ±20V | 2840 PF @ 20 V | - | 120W (TC) | |||||
![]() | G1NP02LLE | 0.0430 | ![]() | 150 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6 | モスフェット(金属酸化物) | 1.25W | SOT-23-6L | ダウンロード | ROHS準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0000 | 3,000 | - | 20V | 1.3a | 210mohm @ 650ma 、4.5V 、460mohm @ 500ma 、4.5v | 1V @ 250µA、800mv @ 250µA | 1NC @ 4.5V、1.22nc @ 4.5V | 146pf @ 10v、177pf @ 10V | 標準 | ||||||||
![]() | G06N06S | 0.1430 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 4,000 | nチャネル | 60 V | 8a | 22mohm @ 6a 、10V | 2.4V @ 250µA | 46 NC @ 10 V | ±20V | 1600 PF @ 30 V | 2.1W | |||||||
![]() | GT045N10M | 1.8200 | ![]() | 754 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | 軍曹 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-263 | ダウンロード | ROHS準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 100 V | 120a(tc) | 10V | 4.5mohm @ 30a 、10V | 4V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 4198 PF @ 50 V | 標準 | 180W | ||||||
![]() | GT105N10F | 0.3700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | TO-220F | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 100 | nチャネル | 100 V | 25a(tc) | 4.5V 、10V | 10.5mohm @ 11a 、10V | 2.5V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ±20V | - | 20.8W | |||||||
![]() | GC11N65M | 1.7300 | ![]() | 778 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-263 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 800 | nチャネル | 650 V | 11a(tc) | 10V | 360mohm @ 5.5a 、10V | 4V @ 250µA | 21 NC @ 10 V | ±30V | 768 PF @ 50 V | - | 78W (TC) | |||||
![]() | G3035L | 0.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 4.1a(ta) | 4.5V 、10V | 59mohm @ 2.1a 、10V | 2V @ 250µA | 12.5 NC @ 10 V | ±20V | 650 PF @ 15 V | - | 1.4W | |||||
![]() | G1003A | 0.4300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 100 V | 3a(tc) | 4.5V 、10V | 210mohm @ 3a 、10V | 3V @ 250µA | 18.2 NC @ 10 V | ±20V | 622 PF @ 25 V | - | 5W (TC) | |||||
![]() | G65P06D5 | 1.1300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | モスフェット(金属酸化物) | 8-dfn (4.9x5.75) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | pチャネル | 60 V | 60a(tc) | 10V | 18mohm @ 20a 、10v | 3.5V @ 250µA | 75 NC @ 10 V | ±20V | 5814 PF @ 25 V | - | 130W | |||||
![]() | GT100N12T | 1.5500 | ![]() | 198 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 120 v | 70a | 10V | 10mohm @ 35a 、10V | 3.5V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | ±20V | 3050 pf @ 60 v | - | 120W (TC) | ||||||
![]() | GC11N65T | 1.6400 | ![]() | 98 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 650 V | 11a(tc) | 10V | 360mohm @ 5.5a 、10V | 4V @ 250µA | 21 NC @ 10 V | ±30V | 901 PF @ 50 V | - | 78W (TC) | ||||||
![]() | G06P01E | 0.4300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 12 v | 4a(tc) | 1.8V 、4.5V | 28mohm @ 3a 、4.5V | 1V @ 250µA | 14 NC @ 4.5 v | ±10V | 1087 PF @ 6 V | - | 1.8W | |||||
![]() | GT088N06T | 0.9800 | ![]() | 40 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 60 V | 60a(tc) | 4.5V 、10V | 9mohm @ 14a 、10V | 2.4V @ 250µA | 24 NC @ 10 V | ±20V | 1620 pf @ 30 v | - | 75W | ||||||
![]() | GT035N06T | 1.9400 | ![]() | 148 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 60 V | 170a(tc) | 4.5V 、10V | 3.5mohm @ 20a 、10V | 2.5V @ 250µA | 70 NC @ 10 V | ±20V | 5064 PF @ 30 V | - | 215W | |||||
![]() | G60N04D52 | 0.8700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | trenchfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-powertdfn | G60 | モスフェット(金属酸化物) | 20W (TC) | 8-dfn (4.9x5.75) | ダウンロード | ROHS準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0000 | 5,000 | 40V | 35a(tc) | 9mohm @ 20a 、10V | 2.5V @ 250µA | 27NC @ 10V | 1998pf @ 20V | 標準 | ||||||||
![]() | G08N02H | 0.1141 | ![]() | 1671 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | モスフェット(金属酸化物) | SOT-223 | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 3141-G08N02HTR | ear99 | 8541.29.0000 | 2,500 | nチャネル | 20 v | 12a(tc) | 2.5V 、4.5V | 11.3mohm @ 1a 、4.5V | 900MV @ 250µA | 12.5 NC @ 4.5 v | ±12V | 1255 PF @ 10 V | - | 1.7W | |||||
![]() | G09N06S2 | 0.4557 | ![]() | 9668 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 2.6W | 8ソップ | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 3141-G09N06S2TR | ear99 | 8541.29.0000 | 4,000 | 2 nチャネル | 60V | 9a(tc) | 18mohm @ 9a 、10V | 2.2V @ 250µA | 47NC @ 10V | 2180pf @ 30V | 標準 | |||||||
![]() | 1216d2 | 0.1085 | ![]() | 9958 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-wdfn露出パッド | モスフェット(金属酸化物) | 6-dfn (2x2) | - | ROHS準拠 | 影響を受けていない | 3141-1216d2tr | ear99 | 8541.29.0000 | 3,000 | pチャネル | 12 v | 16a(tc) | 2.5V 、4.5V | 21mohm @ 1a 、4.5v | 1.2V @ 250µA | 48 NC @ 4.5 v | ±8V | 2700 PF @ 10 V | - | 18W (TC) | |||||
![]() | G12P04K | 0.5300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 40 v | 12a(tc) | 4.5V 、10V | 35mohm @ 6a 、10V | 2.5V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 930 PF @ 20 V | - | 50W (TC) | |||||
![]() | G130N06S | 0.1950 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Goford Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0000 | 4,000 | nチャネル | 60 V | 9a(tc) | 4.5V 、10V | 12mohm @ 10a 、10V | 2.5V @ 250µA | 67 NC @ 10 V | ±20V | 3068 PF @ 30 V | - | 2.6W |
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