SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターカットオフ(最大) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
AS3401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3401 0.2900
RFQ
ECAD 61 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 モスフェット(金属酸化物) SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 3,000 pチャネル 30 V 4.4a(ta) 2.5V 、10V 55mohm @ 4.4a 、10V 1.4V @ 250µA 7.2 NC @ 10 V ±12V 680 PF @ 15 V - 1.2W
AS2302 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2302 0.1900
RFQ
ECAD 34 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 モスフェット(金属酸化物) SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 3a(ta) 2.5V 、4.5V 55mohm @ 3a 、4.5V 1.25V @ 250µA 3.81 NC @ 4.5 v ±10V 220 PF @ 10 V - 700MW
MMBT5401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT5401 0.1200
RFQ
ECAD 27 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 150 v 600 Ma 50na(icbo) PNP 500MV @ 5MA 、50mA 60 @ 10ma 、5v 300MHz
MMBT4403 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT4403 0.1200
RFQ
ECAD 126 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3L ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 40 v 600 Ma 100NA PNP 750mv @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、2V 200MHz
MMBT2222A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT2222a 0.1600
RFQ
ECAD 37 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBT2222 350 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 40 v 600 Ma 10na npn 1V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 300MHz
BC847B ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BC847B 0.1000
RFQ
ECAD 127 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 200 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 45 v 100 Ma 100NA npn 500MV @ 5MA 、100mA 200 @ 2MA 、5V 100MHz
AS1M025120P ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M025120P 39.5400
RFQ
ECAD 128 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 sicfet (炭化シリコン) TO-247-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 4530-AS1M025120P ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 90a 20V 34mohm @ 50a 、20V 4V @ 15MA 195 NC @ 20 V +25V、-10V 3600 pf @ 1000 v - 463W (TC)
AS1M040120T ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M040120T 21.5300
RFQ
ECAD 27 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-4 sicfet (炭化シリコン) TO-247-4 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 4530-AS1M040120T ear99 8541.21.0095 30 nチャネル 1200 v 60a(tc) 20V 55mohm @ 40a、20V 4V @ 10MA 142 NC @ 20 V +25V、-10V 2946 PF @ 1000 V - 330W
AS3400 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS3400 0.2900
RFQ
ECAD 8 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 モスフェット(金属酸化物) SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 4530-AS3400DKR ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 5.6a(ta) 2.5V 、10V 27mohm @ 5.6a 、10V 1.5V @ 250µA 4.8 NC @ 4.5 v ±12V 535 PF @ 15 V - 1.2W
BSS123 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BSS123 0.1400
RFQ
ECAD 73 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 モスフェット(金属酸化物) SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 100 V 200ma(ta) 4.5V 、10V 5OHM @ 200MA 、10V 2.5V @ 250µA 1.8 NC @ 10 V ±20V 14 pf @ 50 v - 350MW
MMBT5551 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT5551 0.1200
RFQ
ECAD 36 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3L ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 4530-MMBT5551TR ear99 8541.21.0095 3,000 160 v 600 Ma 50na(icbo) npn 200mV @ 5MA 、50mA 80 @ 10ma 、5v 100MHz
AS2312 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2312 0.2800
RFQ
ECAD 33 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 モスフェット(金属酸化物) SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 20 v 6.8a(ta) 1.8V 、4.5V 18mohm @ 6.8a 、4.5V 1V @ 250µA 11.05 NC @ 4.5 v ±10V 888 PF @ 10 V - 1.2W
AS2M040120P ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2M040120P 21.5100
RFQ
ECAD 7607 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 sicfet (炭化シリコン) TO-247-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 60a(tc) 20V 55mohm @ 40a、20V 4V @ 10MA 142 NC @ 20 V +25V、-10V 2946 PF @ 1000 V - 330W
AS2324 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS2324 0.2900
RFQ
ECAD 36 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 モスフェット(金属酸化物) SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 100 V 2a(ta) 4.5V 、10V 280mohm @ 2a 、10V 3V @ 250µA 5.3 NC @ 10 V ±20V 330 PF @ 50 V - 1.2W
BCP56-16 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BCP56-16 0.4300
RFQ
ECAD 15 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-261-4、TO-261AA 1.6 W SOT-223 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.29.0095 2,500 80 v 1 a 100na(icbo) npn 500MV @ 50MA 、500MA 100 @ 150ma 、2V -
MMBT2907A ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT2907A 0.1200
RFQ
ECAD 40 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3L ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 60 V 800 Ma 20na PNP 1.6V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V 200MHz
AS1M025120T ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M025120T 39.5600
RFQ
ECAD 30 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-4 sicfet (炭化シリコン) TO-247-4 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 4530-AS1M025120T ear99 8541.21.0095 30 nチャネル 1200 v 65a(tc) 20V 34mohm @ 50a 、20V 4V @ 15MA 195 NC @ 20 V +25V、-10V 4200 PF @ 1000 V - 370W (TC)
BSS138 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BSS138 0.1700
RFQ
ECAD 95 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 モスフェット(金属酸化物) SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 50 v 220ma(ta) 4.5V 、10V 3OHM @ 500MA 、10V 1.6V @ 250µA ±20V 27 pf @ 25 v - 350MW
2N7002E ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED 2N7002E 0.1400
RFQ
ECAD 44 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 2N7002 モスフェット(金属酸化物) SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 4530-2N7002etr ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 60 V 340ma(ta) 4.5V 、10V 5OHM @ 300MA 、10V 2.5V @ 250µA 2.4 NC @ 10 V ±20V 18 pf @ 30 v - 350MW
BSS84 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED BSS84 0.1900
RFQ
ECAD 153 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 モスフェット(金属酸化物) SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 50 v 130ma(ta) 4.5V 、10V 8ohm @ 150ma 、10V 2.5V @ 250µA ±20V 30 pf @ 30 V - 225MW
AS6004 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS6004 0.5000
RFQ
ECAD 15 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 モスフェット(金属酸化物) SOT-23-3L ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) 3,000 pチャネル 60 V 4a(ta) 4.5V 、10V 120mohm @ 4a 、10V 3V @ 250µA 25 NC @ 10 V ±20V 930 PF @ 30 V - 1.5W
AS1M080120P ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED AS1M080120P 11.9700
RFQ
ECAD 128 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 sicfet (炭化シリコン) TO-247-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 4530-AS1M080120P ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 36a(tc) 20V 98mohm @ 20a 、20V 4V @ 5MA 79 NC @ 20 V +25V、-10V 1475 PF @ 1000 v - 192W
MMBT4401 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT4401 0.1200
RFQ
ECAD 162 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 350 MW SOT-23-3L ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0095 3,000 40 v 600 Ma 100NA npn 750mv @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma、1V 250MHz
MMBT3904 ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED MMBT3904 0.1000
RFQ
ECAD 194 0.00000000 anbon半導体(int'l limited - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-236-3 MMBT390 300 MW SOT-23 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) ear99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 ma 50NA npn 300mv @ 5ma 、50ma 100 @ 10ma、1V 250MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫