画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AS3401 | 0.2900 | ![]() | 61 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 4.4a(ta) | 2.5V 、10V | 55mohm @ 4.4a 、10V | 1.4V @ 250µA | 7.2 NC @ 10 V | ±12V | 680 PF @ 15 V | - | 1.2W | |||||||||||
![]() | AS2302 | 0.1900 | ![]() | 34 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 3a(ta) | 2.5V 、4.5V | 55mohm @ 3a 、4.5V | 1.25V @ 250µA | 3.81 NC @ 4.5 v | ±10V | 220 PF @ 10 V | - | 700MW | |||||||||||
![]() | MMBT5401 | 0.1200 | ![]() | 27 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 150 v | 600 Ma | 50na(icbo) | PNP | 500MV @ 5MA 、50mA | 60 @ 10ma 、5v | 300MHz | |||||||||||||||
![]() | MMBT4403 | 0.1200 | ![]() | 126 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SOT-23-3L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 40 v | 600 Ma | 100NA | PNP | 750mv @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、2V | 200MHz | |||||||||||||||
![]() | MMBT2222a | 0.1600 | ![]() | 37 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBT2222 | 350 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 40 v | 600 Ma | 10na | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | 300MHz | ||||||||||||||
![]() | BC847B | 0.1000 | ![]() | 127 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 200 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45 v | 100 Ma | 100NA | npn | 500MV @ 5MA 、100mA | 200 @ 2MA 、5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | AS1M025120P | 39.5400 | ![]() | 128 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 4530-AS1M025120P | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 1200 v | 90a | 20V | 34mohm @ 50a 、20V | 4V @ 15MA | 195 NC @ 20 V | +25V、-10V | 3600 pf @ 1000 v | - | 463W (TC) | ||||||||||
![]() | AS1M040120T | 21.5300 | ![]() | 27 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-4 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 4530-AS1M040120T | ear99 | 8541.21.0095 | 30 | nチャネル | 1200 v | 60a(tc) | 20V | 55mohm @ 40a、20V | 4V @ 10MA | 142 NC @ 20 V | +25V、-10V | 2946 PF @ 1000 V | - | 330W | ||||||||||
![]() | AS3400 | 0.2900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 4530-AS3400DKR | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 5.6a(ta) | 2.5V 、10V | 27mohm @ 5.6a 、10V | 1.5V @ 250µA | 4.8 NC @ 4.5 v | ±12V | 535 PF @ 15 V | - | 1.2W | ||||||||||
![]() | BSS123 | 0.1400 | ![]() | 73 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 100 V | 200ma(ta) | 4.5V 、10V | 5OHM @ 200MA 、10V | 2.5V @ 250µA | 1.8 NC @ 10 V | ±20V | 14 pf @ 50 v | - | 350MW | |||||||||||
![]() | MMBT5551 | 0.1200 | ![]() | 36 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SOT-23-3L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 4530-MMBT5551TR | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 160 v | 600 Ma | 50na(icbo) | npn | 200mV @ 5MA 、50mA | 80 @ 10ma 、5v | 100MHz | ||||||||||||||
![]() | AS2312 | 0.2800 | ![]() | 33 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 6.8a(ta) | 1.8V 、4.5V | 18mohm @ 6.8a 、4.5V | 1V @ 250µA | 11.05 NC @ 4.5 v | ±10V | 888 PF @ 10 V | - | 1.2W | |||||||||||
![]() | AS2M040120P | 21.5100 | ![]() | 7607 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 1200 v | 60a(tc) | 20V | 55mohm @ 40a、20V | 4V @ 10MA | 142 NC @ 20 V | +25V、-10V | 2946 PF @ 1000 V | - | 330W | |||||||||||
![]() | AS2324 | 0.2900 | ![]() | 36 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 100 V | 2a(ta) | 4.5V 、10V | 280mohm @ 2a 、10V | 3V @ 250µA | 5.3 NC @ 10 V | ±20V | 330 PF @ 50 V | - | 1.2W | |||||||||||
![]() | BCP56-16 | 0.4300 | ![]() | 15 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | 1.6 W | SOT-223 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 80 v | 1 a | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 50MA 、500MA | 100 @ 150ma 、2V | - | |||||||||||||||
![]() | MMBT2907A | 0.1200 | ![]() | 40 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SOT-23-3L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 60 V | 800 Ma | 20na | PNP | 1.6V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | 200MHz | |||||||||||||||
![]() | AS1M025120T | 39.5600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-4 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-4 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 4530-AS1M025120T | ear99 | 8541.21.0095 | 30 | nチャネル | 1200 v | 65a(tc) | 20V | 34mohm @ 50a 、20V | 4V @ 15MA | 195 NC @ 20 V | +25V、-10V | 4200 PF @ 1000 V | - | 370W (TC) | ||||||||||
![]() | BSS138 | 0.1700 | ![]() | 95 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 50 v | 220ma(ta) | 4.5V 、10V | 3OHM @ 500MA 、10V | 1.6V @ 250µA | ±20V | 27 pf @ 25 v | - | 350MW | ||||||||||||
![]() | 2N7002E | 0.1400 | ![]() | 44 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 2N7002 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 4530-2N7002etr | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 60 V | 340ma(ta) | 4.5V 、10V | 5OHM @ 300MA 、10V | 2.5V @ 250µA | 2.4 NC @ 10 V | ±20V | 18 pf @ 30 v | - | 350MW | |||||||||
![]() | BSS84 | 0.1900 | ![]() | 153 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 50 v | 130ma(ta) | 4.5V 、10V | 8ohm @ 150ma 、10V | 2.5V @ 250µA | ±20V | 30 pf @ 30 V | - | 225MW | ||||||||||||
![]() | AS6004 | 0.5000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23-3L | ダウンロード | ROHS準拠 | 1 (無制限) | 3,000 | pチャネル | 60 V | 4a(ta) | 4.5V 、10V | 120mohm @ 4a 、10V | 3V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 930 PF @ 30 V | - | 1.5W | |||||||||||||
![]() | AS1M080120P | 11.9700 | ![]() | 128 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 4530-AS1M080120P | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 1200 v | 36a(tc) | 20V | 98mohm @ 20a 、20V | 4V @ 5MA | 79 NC @ 20 V | +25V、-10V | 1475 PF @ 1000 v | - | 192W | ||||||||||
![]() | MMBT4401 | 0.1200 | ![]() | 162 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SOT-23-3L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 40 v | 600 Ma | 100NA | npn | 750mv @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma、1V | 250MHz | |||||||||||||||
![]() | MMBT3904 | 0.1000 | ![]() | 194 | 0.00000000 | anbon半導体(int'l limited | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-236-3 | MMBT390 | 300 MW | SOT-23 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 v | 200 ma | 50NA | npn | 300mv @ 5ma 、50ma | 100 @ 10ma、1V | 250MHz |
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