SIC
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トランジスタ（61）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ フェットタイプ テスト条件 電源（ VDSS ）への排水 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C ドライブ電圧（最大rds onmin rds on rds on max） @ id vgs vgs ゲートチャージ（ QG VGS （最大） ciss ）（ max @ vds フェット機能 電力散逸（最大） 逆回復時間（ trr） IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） 現在 -コレクターパルス（ icm） vce（on max） @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD （オン/オフ） @ 25°C
GA50JT17-247 GeneSiC Semiconductor GA50JT17-247 -
RFQ
 ECAD 5672 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 廃止 175°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） TO-247 ダウンロード 1 （無制限） 1242-1247 ear99 8541.29.0095 30 - 1700 v 100a（tc） - 25mohm @ 50a - - - 583W （TC）
G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J 11.0300
RFQ
 ECAD 9581 0.00000000 遺伝的半導体 G3R™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-8 G3R75 sicfet （炭化シリコン） TO-263-7 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G3R75MT12J ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 1200 v 42a 15V 90mohm @ 20a、15V 2.69V @ 7.5ma 54 NC @ 15 V ±15V 1560 pf @ 800 v - 224W
G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J 18.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 遺伝的半導体 G2R™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-8 G2R1000 sicfet （炭化シリコン） TO-263-7 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G2R1000MT33J ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 3300 v 4a（tc） 20V 1.2OHM @ 2A 、20V 3.5V @ 2MA 21 NC @ 20 V +20V、 -5V 238 PF @ 1000 v - 74W
G3R20MT17K GeneSiC Semiconductor G3R20MT17K 107.2000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 遺伝的半導体 G3R™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-4 G3R20 sicfet （炭化シリコン） TO-247-4 - ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G3R20MT17K ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1700 v 124a（tc） 15V 26mohm @ 75a、15V 2.7V @ 15ma 400 NC @ 15 V ±15V 10187 PF @ 1000 v - 809W
G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J 12.9800
RFQ
 ECAD 1161 0.00000000 遺伝的半導体 G3R™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-8 G3R160 sicfet （炭化シリコン） TO-263-7 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G3R160MT17J ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 1700 v 22a（tc） 15V 208mohm @ 12a、15V 2.7V @ 5MA 51 NC @ 15 V ±15V 1272 PF @ 1000 V - 187W
G3R450MT17J GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J 8.0400
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 遺伝的半導体 G3R™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-8 G3R450 sicfet （炭化シリコン） TO-263-7 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G3R450MT17J ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 1700 v 9a（tc） 15V 585mohm @ 4a、15V 2.7V @ 2MA 18 NC @ 15 V ±15V 454 PF @ 1000 V - 91W
GA20JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA20JT12-263 36.7400
RFQ
 ECAD 4850 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント TO-263-8 GA20JT12 sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） TO-263-7 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 - 1200 v 45a（tc） - 60mohm @ 20a - - 3091 PF @ 800 V - 282W
G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor G3R75MT12D 10.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 遺伝的半導体 G3R™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 G3R75 sicfet （炭化シリコン） TO-247-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G3R75MT12D ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 41a（tc） 15V 90mohm @ 20a、15V 2.69V @ 7.5ma 54 NC @ 15 V ±15V 1560 pf @ 800 v - 207W
GA05JT01-46 GeneSiC Semiconductor GA05JT01-46 -
RFQ
 ECAD 7264 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 -55°C〜225°C 穴を通して to-46-3 sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） to-46 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1251 ear99 8541.29.0095 200 - 100 V 9a（tc） - 240mohm @ 5a - - - 20W （TC）
G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D 4.7400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 遺伝的半導体 G3R™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 G3R350 sicfet （炭化シリコン） TO-247-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G3R350MT12D ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 11a（tc） 15V 420mohm @ 4a、15V 2.69V @ 2MA 12 NC @ 15 V ±15V 334 PF @ 800 v - 74W
GA10SICP12-263 GeneSiC Semiconductor Ga10Sicp12-263 29.3250
RFQ
 ECAD 9279 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ アクティブ 175°C （TJ） 表面マウント TO-263-8 Ga10Sicp12 sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） TO-263-7 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 - 1200 v 25a（tc） - 100mohm @ 10a - - 1403 PF @ 800 v - 170W
G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K 36.0900
RFQ
 ECAD 3655 0.00000000 遺伝的半導体 G3R™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-4 G3R20 sicfet （炭化シリコン） TO-247-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G3R20MT12K ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 128a 15V 24mohm @ 60a、15V 2.69V @ 15ma 219 NC @ 15 V ±15V 5873 PF @ 800 V - 542W
GA35XCP12-247 GeneSiC Semiconductor Ga35xcp12-247 -
RFQ
 ECAD 7101 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 廃止 -40°C〜150°C （TJ 穴を通して TO-247-3 標準 TO-247AB ダウンロード 1 （無制限） 1242-1141 ear99 8541.29.0095 30 800V、35a 36 ns pt 1200 v 35 a 3V @ 15V 、35a 2.66MJ 50 NC -
GA10JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263 -
RFQ
 ECAD 5630 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 廃止 175°C （TJ） 表面マウント - Ga10jt12 sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） - ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 50 - 1200 v 25a（tc） - 120mohm @ 10a - - 1403 PF @ 800 v - 170W
2N7639-GA GeneSiC Semiconductor 2N7639-ga -
RFQ
 ECAD 7360 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 -55°C〜225°C 穴を通して TO-257-3 sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） TO-257 ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 1242-1150 ear99 8541.29.0095 10 - 650 V 15a（tc）（155°C） - 105mohm @ 15a - - 1534 PF @ 35 v - 172W
2N7635-GA GeneSiC Semiconductor 2N7635-ga -
RFQ
 ECAD 9225 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク 廃止 -55°C〜225°C 穴を通して TO-257-3 sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） TO-257 - ROHS非準拠 1 （無制限） 1242-1146 ear99 8541.29.0095 10 - 650 V 4a（tc）（165°C） - 415mohm @ 4a - - 324 PF @ 35 v - 47W （TC）
GA50JT06-258 GeneSiC Semiconductor GA50JT06-258 625.7790
RFQ
 ECAD 9468 0.00000000 遺伝的半導体 - バルク アクティブ -55°C〜225°C 穴を通して TO-258-3、TO-258AA GA50JT06 sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） TO-258 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-1253 ear99 8541.29.0095 10 - 600 V 100a（tc） - 25mohm @ 50a - - - 769W
GA03JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA03JT12-247 -
RFQ
 ECAD 8291 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 廃止 175°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） TO-247AB ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 - 1200 v 3a（tc）（95°C） - 460mohm @ 3a - - - 15W （TC）
G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J 108.0300
RFQ
 ECAD 1567 0.00000000 遺伝的半導体 G2R™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-8 G2R120 sicfet （炭化シリコン） TO-263-7 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G2R120MT33J ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 3300 v 35a 20V 156mohm @ 20a 、20V - 145 NC @ 20 V +25V、-10V 3706 PF @ 1000 V - -
GA100JT12-227 GeneSiC Semiconductor GA100JT12-227 -
RFQ
 ECAD 2862 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 廃止 -55°C〜175°C シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） SOT-227 ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 10 - 1200 v 160a（tc） - 10mohm @ 100a - - 14400 PF @ 800 V - 535W （TC）
GA50JT12-263 GeneSiC Semiconductor GA50JT12-263 -
RFQ
 ECAD 6024 0.00000000 遺伝的半導体 * チューブ 廃止 - 1 （無制限） 廃止 50 - -
G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D 12.2400
RFQ
 ECAD 9458 0.00000000 遺伝的半導体 G3R™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 G3R160 sicfet （炭化シリコン） TO-247-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G3R160MT17D ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1700 v 21a（tc） 15V 208mohm @ 12a、15V 2.7V @ 5MA 51 NC @ 15 V ±15V 1272 PF @ 1000 V - 175W
G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor G3R30MT12K 22.5300
RFQ
 ECAD 844 0.00000000 遺伝的半導体 G3R™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-4 G3R30 sicfet （炭化シリコン） TO-247-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G3R30MT12K ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 90a 15V 36mohm @ 50a、15V 2.69V @ 12MA 155 NC @ 15 V ±15V 3901 PF @ 800 V - 400W （TC）
G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D 7.2100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 遺伝的半導体 G3R™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 G3R450 sicfet （炭化シリコン） TO-247-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G3R450MT17D ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1700 v 9a（tc） 15V 585mohm @ 4a、15V 2.7V @ 2MA 18 NC @ 15 V ±15V 454 PF @ 1000 V - 88W
G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J 5.5100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 遺伝的半導体 G3R™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-8 G3R350 sicfet （炭化シリコン） TO-263-7 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G3R350MT12J ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 1200 v 11a（tc） 15V 420mohm @ 4a、15V 2.69V @ 2MA 12 NC @ 15 V ±15V 334 PF @ 800 v - 75W
G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor G2R50MT33K 295.6700
RFQ
 ECAD 78 0.00000000 遺伝的半導体 G2R™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-4 sicfet （炭化シリコン） TO-247-4 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G2R50MT33K ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 3300 v 63a（tc） 20V 50mohm @ 40a 、20V 3.5V @ 10ma（タイプ） 340 NC @ 20 V +25V、-10V 7301 PF @ 1000 V 標準 536W
G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J 6.4400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 遺伝的半導体 G2R™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント TO-263-8 G2R1000 sicfet （炭化シリコン） TO-263-7 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G2R1000MT17J ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 1700 v 3a（tc） 20V 1.2OHM @ 2A 、20V 4V @ 2MA +20V、 -10V 139 pf @ 1000 v - 54W
G2R1000MT17D GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17D 5.4400
RFQ
 ECAD 717 0.00000000 遺伝的半導体 G2R™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 G2R1000 sicfet （炭化シリコン） TO-247-3 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G2R1000MT17D ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1700 v 5a（tc） 20V 1.2OHM @ 2A 、20V 5.5V @ 500µA 11 NC @ 20 V +25V、-10V 111 pf @ 1000 v - 44W
GA06JT12-247 GeneSiC Semiconductor GA06JT12-247 -
RFQ
 ECAD 6492 0.00000000 遺伝的半導体 - チューブ 廃止 175°C （TJ） 穴を通して TO-247-3 sic （シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ） TO-247AB ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.29.0095 30 - 1200 v 6a （TC）（90°C） - 220mohm @ 6a - - - -
G3R20MT17N GeneSiC Semiconductor G3R20MT17N 135.4600
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 遺伝的半導体 G3R™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック G3R20 sicfet （炭化シリコン） SOT-227 ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） 1242-G3R20MT17N ear99 8541.29.0095 10 nチャネル 1700 v 100a（tc） 15V 26mohm @ 75a、15V 2.7V @ 15ma 400 NC @ 15 V ±15V 10187 PF @ 1000 v - 523W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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