画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | テクノロジー | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | ステータスに到達します | その他の名前 | 標準パッケージ | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | P3M173K0F3 | 5.0800 | ![]() | 8624 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3m | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220F-2 | sicfet (炭化シリコン) | TO-220F-2L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3M173K0F3 | 1 | nチャネル | 1700 v | 1.97a | 15V | 3.6OHM @ 0.25A、15V | 2.2V @ 1.5MA (タイプ) | +19V、-8V | - | 19W | |||
![]() | P3M06060L8 | 10.3800 | ![]() | 5762 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3m | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | sicfet (炭化シリコン) | 通行料金 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3M06060L8TR | 1 | nチャネル | 650 V | 40a | 15V | 79mohm @ 20a、15V | 2.4V @ 5MA(タイプ) | +20V、 -8V | - | 188W | ||||
![]() | P3M06300K3 | 4.9800 | ![]() | 3261 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3m | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-3L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3M06300K3 | 1 | nチャネル | 650 V | 9a | 15V | 500mohm @ 4.5a、15V | 2.2V @ 5MA(タイプ) | 904 NC @ 15 V | +20V、 -8V | 338 PF @ 400 v | - | 38W | |
![]() | P3M06060T3 | 10.3800 | ![]() | 8146 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3m | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-2 | sicfet (炭化シリコン) | TO-220-2L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3M06060T3 | 1 | nチャネル | 650 V | 46a | 15V | 79mohm @ 20a、15V | 2.2V @ 20MA(タイプ) | +20V、 -8V | - | 170W | |||
![]() | P3M12080K3 | 11.9000 | ![]() | 1973年年 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3m | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-3L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3M12080K3 | 1 | nチャネル | 1200 v | 47a | 15V | 96mohm @ 20a、15V | 2.4V @ 5MA(タイプ) | +21V、-8V | - | 221W | |||
![]() | P3M171K0T3 | 6.1000 | ![]() | 9441 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3m | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-2 | sicfet (炭化シリコン) | TO-220-2L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3M171K0T3 | 1 | nチャネル | 1700 v | 6a | 15V | 1.4OHM @ 2A、15V | 2.2V @ 2MA(タイプ) | +19V、-8V | - | 100W | |||
![]() | P3M06040K4 | 12.1700 | ![]() | 2233 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3m | チューブ | アクティブ | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-4 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-4L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3M06040K4 | 1 | nチャネル | 650 V | 68a | 15V | 50mohm @ 40a、15V | 2.4V @ 7.5ma | +20V、 -8V | - | 254W | |||
![]() | P3M06300D5 | 4.9800 | ![]() | 4032 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3m | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | DFN5*6 | sicfet (炭化シリコン) | DFN5*6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3M06300D5TR | 1 | nチャネル | 650 V | 9a | 15V | 500mohm @ 4.5a、15V | 2.2V @ 5MA | +20V、 -8V | - | 26W | |||
![]() | P3M12040G7 | 20.9800 | ![]() | 8324 | 0.00000000 | pn接合半導体 | p3m | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-8 | sicfet (炭化シリコン) | D2PAK-7 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けた | 4237-P3M12040G7TR | 1 | nチャネル | 1200 v | 69a | 15V | 53mohm @ 40a、15V | 2.2V @ 40ma(タイプ) | +19V、-8V | - | 357W |
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