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トランジスタ（ 13833）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
IRFC048N	-	RFQ	2345	Infineon Technologies	*	バルク	廃止										-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001577740	廃止		1
IPB65R380C6	0.9200	RFQ	3	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けた		ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル		650 V	10.6a（tc）	10V	380mohm @ 3.2a 、10V	3.5V @ 320µA	39 NC @ 10 V	±20V	710 PF @ 100 V	-	83W
BCP68E6327	0.0500	RFQ	6	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ										ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0075	6,000
IPI80N04S3-04	-	RFQ	8281	Infineon Technologies	*	バルク	廃止										ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	370
BSB012N03LX3GXUMA1	1.0800	RFQ	4	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ										ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000
bsc886n03lsg	-	RFQ	6367	Infineon Technologies	Optimos™3	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn			モスフェット（金属酸化物）			PG-TDSON-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000		nチャネル		30 V	13a	4.5V 、10V	6mohm @ 30a 、10V	2.2V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 15 V	-	2.5w
BCP69-16	-	RFQ	6851	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA				3 W		PG-SOT223-4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1,000															20 v	1 a						100na（icbo）				500MV @ 100MA、1a	100 @ 500MA、1V	100MHz
BSO080P03NS3 g	-	RFQ	3987	Infineon Technologies	Optimos™3	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）			モスフェット（金属酸化物）			PG-DSO-8	ダウンロード	適用できない	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500		pチャネル		30 V	12a（ta）	6V 、10V	8mohm @ 14.8a 、10V	3.1V @ 150µA	81 NC @ 10 V	±25V	6750 PF @ 15 V	-	1.6W
BC847CWH6327	1.0000	RFQ	8620	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323				250 MW		PG-SOT323-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0075	3,000															45 v	100 Ma						15NA			npn	600MV @ 5MA 、100mA	420 @ 2MA 、5V	250MHz
BSB053N03LPG	0.4000	RFQ	5	Infineon Technologies	Optimos™	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	3-wdson			モスフェット（金属酸化物）			MG-WDSON-2、CanpakM™	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル		30 V	17a（タタ71a（tc）	4.5V 、10V	5.3mohm @ 30a 、10V	2.2V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 15 V	-	2.3w
BC818K-40E6327	0.0400	RFQ	32	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				500 MW		PG-SOT23	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	7,532															25 v	500 Ma						100na（icbo）				700mv @ 50ma 、500ma	250 @ 100MA、1V	170MHz
BC818-40WE6327	0.0200	RFQ	24	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323				500 MW		PG-SOT323-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0075	15,000															25 v	500 Ma						100na（icbo）				700mv @ 50ma 、500ma	250 @ 100MA、1V	170MHz
BC817K-16WH6327	-	RFQ	3355	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323	BC817			500 MW		PG-SOT323-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,000															45 v	500 Ma						100na（icbo）				700mv @ 50ma 、500ma	100 @ 100MA、1V	170MHz
BC808-40	0.0200	RFQ	15	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3				310 MW		SOT-23-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	15,000															25 v	800 Ma						100na（icbo）			PNP	700mv @ 50ma 、500ma	250 @ 100MA、1V	100MHz
IPI144N12N3G	-	RFQ	4028	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ										ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1
SPB04N50C3	0.5900	RFQ	24	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル		500 V	4.5a	10V	950mohm @ 2.8a 、10V	3.9V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	470 PF @ 25 V	-	50W （TC）
SGP20N60HS	1.2500	RFQ	520	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3	SGP20N	標準		178 W		PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			400V 、20A 、16OHM15V											npt	600 V	36 a	80 a	3.15V @ 15V 、20a	690µj	100 NC	18ns/207ns
SKW04N120FKSA1	-	RFQ	2817	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ				skw04n						-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1
SMBTA14E6327XT	0.1000	RFQ	30	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				330 MW		PG-SOT23	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0075	3,112															30 V	300 Ma						100na（icbo）			npn-ダーリントン	1.5V @ 100µA 、100mA	20000 @ 100MA 、5V	125MHz
SMBTA06	0.0500	RFQ	6	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				330 MW		PG-SOT23-3-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	6,000															80 v	500 Ma						100NA				250MV @ 10MA 、100mA	100 @ 100MA、1V	100MHz
SPD50N03S2L-06G	1.0000	RFQ	8072	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ										ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
SKA06N06	-	RFQ	6222	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ				SKA06N						-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー				1
SIPC19N80C3	-	RFQ	9533	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ										-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0040	1
BSP373L6327	-	RFQ	8832	Infineon Technologies	SIPMOS®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA			モスフェット（金属酸化物）			PG-SOT223	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル		100 V	1.7a（ta）	10V	300mohm @ 1.7a 、10V	4V @ 1MA		±20V	550 PF @ 25 V	-	1.8W
IPI65R190C	2.0000	RFQ	500	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		650 V	20.2a	10V	190mohm @ 7.3a 、10V	3.5V @ 730µA	73 NC @ 10 V	±20V	1620 pf @ 100 V	-	151W
IMBF170R650M1XTAM1	7.4600	RFQ	592	Infineon Technologies	coolsic™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-8	IMBF170		sicfet （炭化シリコン）			PG-to263-7-13	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル		1700 v	7.4a（tc）	12V、15V	650mohm @ 1.5a、15V	5.7V @ 1.7MA	8 NC @ 12 v	+20V、 -10V	422 PF @ 1000 V	-	88W
IRFCZ44VB	-	RFQ	9434	Infineon Technologies	hexfet®	バルク	廃止	-	表面マウント	死ぬ			モスフェット（金属酸化物）			死ぬ	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	448-IRFCZ44VB	廃止		1		-		60 V	55a	10V	16.5mohm @ 55a、10V	-		-		-	-
IRFC260NB	-	RFQ	1905	Infineon Technologies	hexfet®	バルク	廃止	-	表面マウント	死ぬ			モスフェット（金属酸化物）			死ぬ	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	448-IRFC260NB	廃止		1		-		200 v	50a	10V	40mohm @ 50a 、10V	-		-		-	-
FS800R07A2E3BOSA4	-	RFQ	2627	Infineon Technologies	HybridPack™2	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	FS800R07			1500 w	標準	モジュール	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3	三相インバーター													トレンチフィールドストップ	650 V	700 a		1.6V @ 15V 、550A				5 Ma	はい	52 nf @ 25 v
IPI22N03S4L-15	0.2400	RFQ	3307	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	897		nチャネル		30 V	22a（tc）	4.5V 、10V	14.9mohm @ 22a 、10V	2.2V @ 10µA	14 NC @ 10 V	±16V	980 PF @ 25 V	-	31W （TC）

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（ 13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²