RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

トランジスタ（ 13833）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	テスト条件	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	逆回復時間（ trr）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
F475R06W1E3BOMA1	50.7600	RFQ	22	Infineon Technologies	Easypack™	トレイ	アクティブ		-40°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	F475R06				275 W	標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	24	三相インバーター																			トレンチフィールドストップ	600 V	100 a		1.9V @ 15V 、75a					1 Ma	はい	4.6 nf @ 25 v
IRFP4468PBFXKMA1	9.1000	RFQ	2746	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3				モスフェット（金属酸化物）			TO-247AC	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	25		nチャネル						100 V	290a	10V	2.6mohm @ 180a 、10V	4V @ 250µA	540 NC @ 10 V	±20V	19860 PF @ 50 V	-	520W
FB20R06YE3B1BOMA1	34.7600	RFQ	20	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール					77 W	標準	-	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1	三相インバーター																			-	600 V	27 a		2V @ 15V、 20a					1 Ma	はい	1.1 nf @ 25 v
BCW61CE6327	0.0400	RFQ	48	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3					330 MW		PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	7,454																					32 v	100 Ma							20na（icbo）			PNP	550MV @ 1.25MA 、50mA	250 @ 2MA 、5V	250MHz
IRFU2307ZPBF	-	RFQ	6593	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	穴を通して	to-251-3				モスフェット（金属酸化物）			IPAK（TO-251AA）	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	SP001565178	ear99	8541.29.0095	75		nチャネル						75 v	42a	10V	16mohm @ 32a 、10V	4V @ 100µA	75 NC @ 10 V	±20V	2190 PF @ 25 V	-	110W
IPS70R950CEAKMA1	-	RFQ	3021	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	廃止		-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-251-3 スタブリード、IPAK	IPS70R950			モスフェット（金属酸化物）			PG-to251-3-11	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	75		nチャネル						700 V	7.4a（tc）	10V	950mohm @ 1.5a 、10V	3.5V @ 150µA	15.3 NC @ 10 V	±20V	328 PF @ 100 V	-	68W （TC）
IRF6708S2TRPBF	-	RFQ	6254	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	directfet™s1				モスフェット（金属酸化物）			directfet™s1	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,800		nチャネル						30 V	13a（tc）	4.5V 、10V	8.9mohm @ 13a 、10V	2.35V @ 25µA	10 NC @ 4.5 v	±20V	1010 PF @ 15 V	-	2.5W
BG3430RE6327HTSA1	-	RFQ	9214	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	8 v		表面マウント	6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363			800MHz	モスフェット			pg-sot363-po	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	3,000	2 nチャンネル（デュアル）		25ma		14 Ma	-	25dB											1.3db										5 v
SPB100N04S2L-03	-	RFQ	6802	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	SPB100N			モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3-2	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル						40 v	100a（tc）	4.5V 、10V	3mohm @ 80a 、10V	2V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	8000 pf @ 25 V	-	300W （TC）
IRF9Z34NPBF	1.1600	RFQ	85	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	アクティブ		-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3	IRF9Z34			モスフェット（金属酸化物）			TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		pチャネル						55 v	19a（tc）	10V	100mohm @ 10a 、10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	620 PF @ 25 V	-	68W （TC）
BCW 61D E6327	0.0400	RFQ	30	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3					330 MW		PG-SOT23	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	6,869																					32 v	100 Ma							20na（icbo）			PNP	550MV @ 1.25MA 、50mA	380 @ 2MA 、5V	250MHz
IPB26CN10N	-	RFQ	4443	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3				モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						100 V	35a（tc）	10V	26mohm @ 35a 、10V	4V @ 39µA	31 NC @ 10 V	±20V	2070 PF @ 50 V	-	71W
BC857SE6327	0.0300	RFQ	4391	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ		150°C （TJ）	表面マウント	6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363	BC857				250MW		SOT-363	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	3,475																					45V	100mA							15NA			2 PNP （デュアル）	650mv @ 5ma 、100ma	200 @ 2MA 、5V	250MHz
IRF7820PBF	-	RFQ	7291	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました		-55°C〜150°C （TJ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）				モスフェット（金属酸化物）			8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001570478	ear99	8541.29.0095	95		nチャネル						200 v	3.7a（ta）	10V	78mohm @ 2.2a 、10V	5V @ 100µA	44 NC @ 10 V	±20V	1750 PF @ 100 V	-	2.5W
IRFS3004-7PPBF	-	RFQ	2470	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-7				モスフェット（金属酸化物）			d2pak（7 リード）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50		nチャネル						40 v	240a	10V	1.25mohm @ 195a 、10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9130 PF @ 25 V	-	380W
IPP65R310CFDXKSA2	2.7800	RFQ	4861	Infineon Technologies	coolmos™cfd2	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-220-3	IPP65R310			モスフェット（金属酸化物）			PGから220-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500		nチャネル						650 V	11.4a（tc）	10V	310mohm @ 4.4a 、10V	4.5V @ 400µA	41 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	104.2W
BC847PNB6327XT	-	RFQ	7298	Infineon Technologies	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました		150°C （TJ）	表面マウント	6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363	BC847				250MW		pg-sot363-po	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	30,000																					45V	100mA							15NA			NPN、PNP	650mv @ 5ma 、100ma	200 @ 2MA 、5V	250MHz
IRF7316PBF	-	RFQ	7164	Infineon Technologies	hexfet®	チューブ	sicで中止されました		-55°C〜150°C （TJ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF731			モスフェット（金属酸化物）	2W		8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	SP001559786	ear99	8541.29.0095	95	2 P-Channel （デュアル）							30V	4.9a		58mohm @ 4.9a 、10V	1V @ 250µA	34NC @ 10V		710pf @ 25V	ロジックレベルゲート
IRF7902TRPBF	-	RFQ	5597	Infineon Technologies	hexfet®	テープ＆リール（ tr）	廃止		-55°C〜150°C （TJ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	IRF7902			モスフェット（金属酸化物）	1.4W 、2W		8-SO	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	4,000	2 nチャンネル（デュアル）							30V	6.4a、9.7a		22.6mohm @ 6.4a 、10V	2.25V @ 25µA	6.9NC @ 4.5V		580pf @ 15V	ロジックレベルゲート
DF15MR12W1M1B67BOMA1	-	RFQ	1571	Infineon Technologies	-	バルク	廃止					DF15MR12			-				-					廃止		1																-
IRG4PC40KPBF	-	RFQ	8166	Infineon Technologies	-	バッグ	廃止		-55°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-247-3	IRG4PC40	標準			160 W		TO-247AC	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	400				480v																-	600 V	42 a	84 a	2.6V @ 15V 、25a	620µj（on 330µj（オフ）	120 NC	30ns/140ns
IPD70R600CEAUMA1	-	RFQ	6902	Infineon Technologies	coolmos™ce	テープ＆リール（ tr）	廃止		-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	to-252-3	IPD70			モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500		nチャネル						700 V	10.5a	10V	600mohm @ 1a 、10V	3.5V @ 210µA	22 NC @ 10 V	±20V	474 PF @ 100 V	-	86W
FF11MR12W1M1PB11BPSA1	-	RFQ	2479	Infineon Technologies	EasyDual™	トレイ	廃止		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	FF11MR12			炭化シリコン（原文）	20MW		ag-easy1b-2	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	30	2 nチャンネル（デュアル）							1200V（1.2kv）	100A （TJ）		11.3mohm @ 100a、15V	5.55V @ 40MA	248NC @ 15V		7360pf @ 800V	-
IPG20N04S4-08	-	RFQ	6522	Infineon Technologies	Optimos™T2	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	8-POWERVDFN	IPG20N			モスフェット（金属酸化物）	65W		PG-TDSON-8-4	ダウンロード					ear99	8542.39.0001	1	2 nチャンネル（デュアル）							40V	20a（tc）		7.6mohm @ 17a 、10V	4V @ 30µA	36NC @ 10V		2940pf @ 25V	-
FF300R12ME3BOSA1	219.7480	RFQ	6001	Infineon Technologies	econodual™	トレイ	新しいデザインではありません		-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール	FF300R12				1450 w	標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	ハーフブリッジインバーター																			トレンチフィールドストップ	1200 v	500 a		2.15V @ 15V 、300A					5 Ma	はい	20 nf @ 25 v
IPB120P04PL03ATMA1	2.0699	RFQ	8093	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IPB120			モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		pチャネル						40 v	120a（tc）	4.5V 、10V	3.1mohm @ 100a 、10V	2.2V @ 340µA	234 NC @ 10 V	±16V	15000 PF @ 25 V	-	136W
IPD80R900P7ATMA1	1.6300	RFQ	6	Infineon Technologies	coolmos™p7	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C （TJ	表面マウント	to-252-3	IPD80R900			モスフェット（金属酸化物）			PG-to252-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,500		nチャネル						800 V	6a（tc）	10V	900mohm @ 2.2a 、10V	3.5V @ 110µA	15 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 500 v	-	45W
IPI65R280C6XKSA1	-	RFQ	2239	Infineon Technologies	coolmos™	チューブ	廃止		-55°C〜150°C （TJ	穴を通して	To-262-3 Long Leads	IPI65R			モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	500		nチャネル						650 V	13.8a	10V	280mohm @ 4.4a 、10V	3.5V @ 440µA	45 NC @ 10 V	±20V	950 PF @ 100 V	-	104W
IRGS4B60KD1PBF	-	RFQ	9864	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3	IRGS4B	標準			63 W		d2pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50				400V 、4a 、100OHM、15V															93 ns	npt	600 V	11 a	22 a	2.5V @ 15V 、4a	73µj （47µj （オフ）	12 NC	22ns/100ns
BSZ0908NDXTMA1	-	RFQ	8235	Infineon Technologies	Optimos®	バルク	アクティブ		-55°C〜150°C （TJ	表面マウント	8-POWERVDFN	BSZ0908			モスフェット（金属酸化物）	700MW		PG-Wison-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000	2 nチャンネル（デュアル）							30V	4.8a		18mohm @ 9a	2V @ 250µA	3NC @ 4.5V 、6.4NC @ 4.5V		340pf @ 15v、730pf @ 15v	ロジックレベルゲート、4.5Vドライブ

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（ 13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²