SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) 逆回復時間( trr) IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターパルス( icm) vce(on max) @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD (オン/オフ) @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ(最大) NTCサーミスタ 入力容量( cies @ vce
FP35R12N2T7BPSA2 Infineon Technologies FP35R12N2T7BPSA2 119.8200
RFQ
ECAD 7341 0.00000000 Infineon Technologies econopim™2 トレイ アクティブ -40°C〜175°C シャーシマウント モジュール FP35R12 20 MW 三相ブリッジ整流器 ag-econo2b ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 15 三相インバーター トレンチフィールドストップ 1200 v 35 a 1.6V @ 15V、35a 7 µA はい 6.62 NF @ 25 V
IRF2807Z Infineon Technologies IRF2807Z -
RFQ
ECAD 7281 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 モスフェット(金属酸化物) TO-220AB ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 75 v 75a(tc) 10V 9.4mohm @ 53a 、10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±20V 3270 PF @ 25 V - 170W
IPA70R600P7SXKSA1 Infineon Technologies IPA70R600P7SXKSA1 1.2400
RFQ
ECAD 187 0.00000000 Infineon Technologies coolmos™p7 チューブ アクティブ -40°C〜150°C (TJ 穴を通して TO-220-3フルパック IPA70R600 モスフェット(金属酸化物) PG-to220-3-fp ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 50 nチャネル 700 V 8.5a 10V 600mohm @ 1.8a 、10V 3.5V @ 90µA 10.5 NC @ 10 V ±16V 364 PF @ 400 v - 25W (TC)
SPP80N06S2L-11 Infineon Technologies SPP80N06S2L-11 -
RFQ
ECAD 5782 0.00000000 Infineon Technologies Optimos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 spp80n モスフェット(金属酸化物) PG-to220-3-1 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 500 nチャネル 55 v 80a(tc) 4.5V 、10V 11mohm @ 40a 、10V 2V @ 93µA 80 NC @ 10 V ±20V 2650 PF @ 25 V - 158W
IRF7343QTRPBF Infineon Technologies IRF7343QTRPBF -
RFQ
ECAD 9892 0.00000000 Infineon Technologies - カットテープ(CT) 廃止 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) IRF734 モスフェット(金属酸化物) 2W 8-SO ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 4,000 nおよびpチャネル 55V 4.7a 、3.4a 50mohm @ 4.7a 、10V 1V @ 250µA 36NC @ 10V 740pf @ 25V -
SPP80N08S2-07 Infineon Technologies SPP80N08S2-07 -
RFQ
ECAD 5251 0.00000000 Infineon Technologies Optimos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して TO-220-3 spp80n モスフェット(金属酸化物) PG-to220-3-1 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 500 nチャネル 75 v 80a(tc) 10V 7.4mohm @ 66a 、10V 4V @ 250µA 180 NC @ 10 V ±20V 6130 PF @ 25 V - 300W (TC)
BSC004NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies bsc004ne2ls5atma1 2.6400
RFQ
ECAD 1416 0.00000000 Infineon Technologies Optimos™ テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット(金属酸化物) PG-TDSON-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 25 v 40a(タタ)、479a 4.5V 、10V 0.45mohm @ 30a 、10V 2V @ 10MA 238 NC @ 10 V ±20V 11000 pf @ 12.5 v - 2.5w
IRLU3636PBF Infineon Technologies IRLU3636PBF 2.3200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® チューブ 新しいデザインではありません -55°C〜175°C 穴を通して to-251-3 IRLU3636 モスフェット(金属酸化物) i-pak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない SP001567320 ear99 8541.29.0095 75 nチャネル 60 V 50a(tc) 4.5V 、10V 6.8mohm @ 50a 、10V 2.5V @ 100µA 49 NC @ 4.5 v ±16V 3779 PF @ 50 V - 143W
SPI20N65C3 Infineon Technologies SPI20N65C3 -
RFQ
ECAD 6796 0.00000000 Infineon Technologies * バルク アクティブ - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1
IRF5803D2TRPBF Infineon Technologies IRF5803D2TRPBF -
RFQ
ECAD 9350 0.00000000 Infineon Technologies fetky™ テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) モスフェット(金属酸化物) 8-SO ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 4,000 pチャネル 40 v 3.4a(ta) 4.5V 、10V 112mohm @ 3.4a 、10V 3V @ 250µA 37 NC @ 10 V ±20V 1110 PF @ 25 V ショットキーダイオード(分離) 2W (TA)
BSZ105N04NSGATMA1 Infineon Technologies BSZ105N04NSGATMA1 -
RFQ
ECAD 8822 0.00000000 Infineon Technologies Optimos™ テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット(金属酸化物) PG-TSDSON-8 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 5,000 nチャネル 40 v 11a(タタ)、40a(tc) 10V 10.5mohm @ 20a 、10V 4V @ 14µA 17 NC @ 10 V ±20V 1300 PF @ 20 V - 2.1W
IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies IMZ120R090M1HXKSA1 14.1900
RFQ
ECAD 665 0.00000000 Infineon Technologies coolsic™ チューブ アクティブ -55°C〜175°C 穴を通して TO-247-4 IMZ120 sicfet (炭化シリコン) PG-to247-4-1 ダウンロード ROHS3準拠 適用できない 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 30 nチャネル 1200 v 26a(tc) 15V、18V 117mohm @ 8.5a、18V 5.7V @ 3.7MA 21 NC @ 18 V +23V、-7V 707 PF @ 800 V - 115W
IRF6608 Infineon Technologies IRF6608 -
RFQ
ECAD 5165 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜150°C (TJ 表面マウント directfet™等尺性st モスフェット(金属酸化物) Directfet™st ダウンロード 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 4,800 nチャネル 30 V 13a 4.5V 、10V 9mohm @ 13a 、10v 3V @ 250µA 24 NC @ 4.5 v ±12V 2120 PF @ 15 V - 2.1W(Ta )、42w(TC)
IRGP4263PBF Infineon Technologies IRGP4263PBF -
RFQ
ECAD 5648 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 -40°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 標準 300 W TO-247AC ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 25 400V 、48A 、10OHM15V - 650 V 90 a 192 a 2.1V @ 15V 、48a 1.7MJ 150 NC 70ns/140ns
SPW11N60S5 Infineon Technologies SPW11N60S5 1.8800
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Infineon Technologies coolmos™ バルク アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 モスフェット(金属酸化物) PG-to247-3-21 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 600 V 11a(tc) 10V 380mohm @ 7a、10V 5.5V @ 500µA 54 NC @ 10 V ±20V 1460 PF @ 25 V - 125W
IRG7PH28UD1PBF Infineon Technologies IRG7PH28UD1PBF -
RFQ
ECAD 5921 0.00000000 Infineon Technologies - チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 IRG7PH 標準 115 W TO-247AC ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない SP001536202 ear99 8541.29.0095 25 600V、15a 、22OHM 、15V 1200 v 30 a 100 a 2.3V @ 15V 、15a 543µj (オフ) 90 NC - /229ns
SPD15P10PLGBTMA1 Infineon Technologies SPD15P10PLGBTMA1 2.2600
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Infineon Technologies SIPMOS® テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜175°C 表面マウント to-252-3 SPD15P10 モスフェット(金属酸化物) PG-to252-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 100 V 15a(tc) 4.5V 、10V 200mohm @ 11.3a 、10V 2V @ 1.54MA 62 NC @ 10 V ±20V 1490 PF @ 25 V - 128W (TC)
SKA06N06 Infineon Technologies SKA06N06 -
RFQ
ECAD 6222 0.00000000 Infineon Technologies * バルク アクティブ SKA06N - 適用できない 1 (無制限) 未定義のベンダー 1
F4200R17N3E4B58BPSA1 Infineon Technologies F4200R17N3E4B58BPSA1 371.6300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Infineon Technologies Easypack™3 トレイ アクティブ -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント モジュール F4200R 20 MW 三相ブリッジ整流器 ag-econo3b ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 10 フルブリッジインバーター トレンチフィールドストップ 1700 v 200 a 2.3V @ 15V 、200A 1 Ma はい 16 nf @ 25 v
FZ1800R17HP4B29BOSA2 Infineon Technologies FZ1800R17HP4B29BOSA2 1.0000
RFQ
ECAD 6478 0.00000000 Infineon Technologies IHM-B トレイ アクティブ -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント モジュール FZ1800 11500 w 標準 AG-IHMB190 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 シングルスイッチ トレンチフィールドストップ 1700 v 1800 a 2.25V @ 15V、1.8ka 5 Ma いいえ 145 nf @ 25 v
IPI50R399CPXKSA2 Infineon Technologies IPI50R399CPXKSA2 -
RFQ
ECAD 5521 0.00000000 Infineon Technologies coolmos™ チューブ 廃止 -55°C〜150°C 穴を通して To-262-3 Long Leads IPI50R399 モスフェット(金属酸化物) PG-to262-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 500 nチャネル 500 V 9a(tc) 10V 399mohm @ 4.9a 、10V 3.5V @ 330µA 23 NC @ 10 V ±20V 890 PF @ 100 V - 83W
FZ600R17KE4HOSA1 Infineon Technologies FZ600R17KE4HOSA1 213.7400
RFQ
ECAD 7963 0.00000000 Infineon Technologies c トレイ アクティブ -40°C〜150°C シャーシマウント モジュール FZ600R17 3350 w 標準 モジュール ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 10 シングル トレンチフィールドストップ 1700 v 1200 a 2.3V @ 15V、600a 1 Ma いいえ 49 nf @ 25 v
FP50R12KE3BOSA1 Infineon Technologies FP50R12KE3BOSA1 181.1200
RFQ
ECAD 2007年 0.00000000 Infineon Technologies - トレイ アクティブ -40°C〜125°C シャーシマウント モジュール FP50R12 280 W 標準 モジュール ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 10 シングル npt 1200 v 75 a 2.15V @ 15V 、50a 5 Ma いいえ 3.5 nf @ 25 v
IRG4CC50WC Infineon Technologies IRG4CC50WC -
RFQ
ECAD 4254 0.00000000 Infineon Technologies - バルク 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 死ぬ IRG4CC 標準 死ぬ ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 廃止 1 - 33 ns - 600 V 27 a - - -
FF225R12ME4PB11BPSA1 Infineon Technologies FF225R12ME4PB11BPSA1 177.0133
RFQ
ECAD 8861 0.00000000 Infineon Technologies econodual™3 トレイ アクティブ -40°C〜150°C シャーシマウント モジュール FF225R12 20 MW 標準 モジュール ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 6 ハーフブリッジ トレンチフィールドストップ 1200 v 450 a 2.15V @ 15V 、225a 3 Ma はい 13 nf @ 25 v
FZ1800R45HL4S7BPSA1 Infineon Technologies FZ1800R45HL4S7BPSA1 4.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Infineon Technologies IHM-B トレイ アクティブ -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント モジュール FZ1800 4000000 w 標準 AG-IHVB190 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 - トレンチフィールドストップ 4500 v 1800 a 2.6V @ 25V、1800A 5 Ma いいえ 297 NF @ 25 V
IPI120N06S403AKSA1 Infineon Technologies IPI120N06S403AKSA1 -
RFQ
ECAD 4754 0.00000000 Infineon Technologies Optimos™ チューブ 廃止 -55°C〜175°C 穴を通して To-262-3 Long Leads IPI120N モスフェット(金属酸化物) PG-to262-3-1 ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 500 nチャネル 60 V 120a(tc) 10V 3.2mohm @ 100a 、10V 4V @ 120µA 160 NC @ 10 V ±20V 13150 PF @ 25 V - 167W (TC)
IRFHM8337TRPBF Infineon Technologies IRFHM8337TRPBF -
RFQ
ECAD 5125 0.00000000 Infineon Technologies hexfet® テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント 8-powertdfn モスフェット(金属酸化物) 8-PQFN(3.3x3.3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 4,000 nチャネル 30 V 12a(ta) 4.5V 、10V 12.4mohm @ 12a 、10V 2.35V @ 25µA 8.1 NC @ 4.5 v ±20V 755 PF @ 15 V - 2.8W (TA )、25W(TC)
ISK036N03LM5AULA1 Infineon Technologies ISK036N03LM5AULA1 -
RFQ
ECAD 4852 0.00000000 Infineon Technologies Optimos™5 テープ&リール( tr) sicで中止されました -55°C〜150°C 表面マウント 6-POWERVDFN ISK036N モスフェット(金属酸化物) PG-VSON-6-1 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 448-yisk036n03lm5aula1dkr ear99 8541.29.0095 3,000 nチャネル 30 V 44a(tc) 4.5V 、10V 3.6mohm @ 20a 、10v 2V @ 250µA 21.5 NC @ 10 V ±16V 1400 PF @ 15 V - 11W (TC)
BUZ30A E3045A Infineon Technologies BUZ30A E3045A -
RFQ
ECAD 8900 0.00000000 Infineon Technologies SIPMOS® テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜150°C 表面マウント TO-263-3 モスフェット(金属酸化物) PG-to263-3 ダウンロード ROHS非準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 200 v 21a(tc) 10V 130mohm @ 13.5a 、10V 4V @ 1MA ±20V 1900 pf @ 25 v - 125W
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫