画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 現在の評価( amp) | 現在 -テスト | 電力 -出力 | 得 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | ノイズ図 | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | vce(on max) @ vge | 電圧 -テスト | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IMT65R163M1HXTMA1 | - | ![]() | 2086 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | IMT65R | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 2,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA60R750E6XKSA1 | - | ![]() | 1997年年 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | IPA60R750 | モスフェット(金属酸化物) | PG〜220-FP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 600 V | 5.7a(tc) | 10V | 750mohm @ 2a 、10V | 3.5V @ 170µA | 17.2 NC @ 10 V | ±20V | 373 PF @ 100 V | - | 27W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSP 60 E6433 | - | ![]() | 5597 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | BSP 60 | 1.5 w | PG-SOT223-4 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 45 v | 1 a | 10µA | pnp-ダーリントン | 1.8V @ 1MA、1a | 2000 @ 500MA 、10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB200N15N3GATMA1 | 3.1500 | ![]() | 109 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | IPB200 | モスフェット(金属酸化物) | PG-to263-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 150 v | 50a(tc) | 8V 、10V | 20mohm @ 50a 、10V | 4V @ 90µA | 31 NC @ 10 V | ±20V | 1820 pf @ 75 v | - | 150W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP65R099C6XKSA1 | - | ![]() | 6061 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | IPP65R | モスフェット(金属酸化物) | PGから220-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 650 V | 38a(tc) | 10V | 99mohm @ 12.8a 、10V | 3.5V @ 1.2MA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 2780 PF @ 100 V | - | 278W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO080P03SNTMA1 | - | ![]() | 1978年年 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | PG-DSO-8 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 12.6a(ta) | 10V | 8mohm @ 14.9a 、10V | 2.2V @ 250µA | 136 NC @ 10 V | ±25V | 5890 PF @ 25 V | - | 1.79W | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSD314SPEL6327HTSA1 | - | ![]() | 6790 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363 | モスフェット(金属酸化物) | pg-sot363-po | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 1.5a(ta) | 4.5V 、10V | 140mohm @ 1.5a 、10V | 2V @ 6.3µA | 2.9 NC @ 10 V | ±20V | 294 PF @ 15 V | - | 500MW | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB60R600P6ATMA1 | - | ![]() | 4354 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos™P6 | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-263-3 | IPB60R | モスフェット(金属酸化物) | PG-to263-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP001313874 | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 600 V | 7.3a(tc) | 10V | 600mohm @ 2.4a 、10V | 4.5V @ 200µA | 12 NC @ 10 V | ±20V | 557 PF @ 100 V | - | 63W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB039N10N3GE8197ATMA1 | 0.8800 | ![]() | 7149 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™3 | バルク | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-7 | モスフェット(金属酸化物) | PG-to263-7-3 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.29.0095 | 3 | nチャネル | 100 V | 160a(tc) | 6V 、10V | 3.9mohm @ 100a 、10V | 3.5V @ 160µA | 117 NC @ 10 V | ±20V | 8410 PF @ 50 V | - | 214W | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSP299 E6327 | - | ![]() | 3004 | 0.00000000 | Infineon Technologies | SIPMOS® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | モスフェット(金属酸化物) | PG-SOT223-4-21 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 500 V | 400ma(ta) | 10V | 4OHM @ 400MA 、10V | 4V @ 1MA | ±20V | 400 pf @ 25 V | - | 1.8W | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IQD063N15NM5ATMA1 | 2.2578 | ![]() | 6779 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 448-IQD063N15NM5ATMA1TR | 5,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FB30R06W1E3BOMA1 | 44.2700 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Easypim™ | トレイ | アクティブ | -40°C〜150°C | シャーシマウント | モジュール | FB30R06 | 115 W | 標準 | モジュール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 適用できない | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 三相インバーター | トレンチフィールドストップ | 600 V | 39 a | 2V @ 15V、30A | 1 Ma | はい | 1.65 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPA60R180C7XKSA1 | 3.3800 | ![]() | 434 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™c7 | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | IPA60R | モスフェット(金属酸化物) | PG-to220フルパック | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 9a(tc) | 10V | 180mohm @ 5.3a 、10V | 4V @ 260µA | 24 NC @ 10 V | ±20V | 1080 PF @ 400 v | - | 29W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSZ042N04NS | 0.2900 | ![]() | 4367 | 0.00000000 | Infineon Technologies | * | バルク | アクティブ | - | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | 2156-BSZ042N04NS | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR116SE6327BTSA1 | - | ![]() | 3737 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 表面マウント | 6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363 | BCR116 | 250MW | pg-sot363-po | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | - | 2 npn- バイアス(デュアル) | 300MV @ 500µA 、10mA | 70 @ 5MA 、5V | 150MHz | 4.7kohms | 47kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP100N06S3-03 | - | ![]() | 2450 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3 | IPP100N | モスフェット(金属酸化物) | PG-to220-3-1 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 55 v | 100a(tc) | 10V | 3.3mohm @ 80a 、10V | 4V @ 230µA | 480 NC @ 10 V | ±20V | 21620 PF @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR35PNH6433 | - | ![]() | 6305 | 0.00000000 | Infineon Technologies | aec-q101 | バルク | アクティブ | 表面マウント | 6-VSSOP 、SC-88 、SOT-363 | BCR35 | 250MW | PG-SOT363-6-1 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 100mA | 100na(icbo) | 1 npn、1 pnp- バイアス前(デュアル) | 300MV @ 500µA 、10mA | 70 @ 5MA 、5V | 150MHz | 10kohms | 47kohms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF2030-E6327 | - | ![]() | 7196 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | バルク | アクティブ | 8 v | to-253-4、to-253aa | 1GHz | モスフェット | SOT143 | ダウンロード | 適用できない | 1 (無制限) | 未定義のベンダー | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | - | 10 Ma | - | 23dB | 1.5dB | 5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPW35N60C3FKSA1 | 11.9100 | ![]() | 5293 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™ | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | SPW35N60 | モスフェット(金属酸化物) | PG-to247-3-1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 650 V | 34.6a | 10V | 100mohm @ 21.9a 、10V | 3.9V @ 1.9ma | 200 NC @ 10 V | ±20V | 4500 PF @ 25 V | - | 313W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IMBG65R163M1HXTMA1 | 7.1700 | ![]() | 2986 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolSic™M1 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-8 | IMBG65R | sicfet (炭化シリコン) | PG-to263-7-12 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 448-IMBG65R163M1HXTMA1CT | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 650 V | 17a(tc) | 18V | 217mohm @ 5.7a、18V | 5.7V @ 1.7MA | 10 NC @ 18 V | +23V、-5V | 320 pf @ 400 v | - | 85W | |||||||||||||||||||||||||
![]() | IPP65R380E6 | - | ![]() | 3455 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolmos™ | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3 | モスフェット(金属酸化物) | PG-to220-3-1 | ダウンロード | 0000.00.0000 | 1 | nチャネル | 650 V | 10.6a(tc) | 10V | 380mohm @ 3.2a 、10V | 3.5V @ 320µA | 39 NC @ 10 V | ±20V | 710 PF @ 100 V | - | 83W | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IAUC50N08S5N102ATMA1 | 0.6636 | ![]() | 8176 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | 8-powertdfn | モスフェット(金属酸化物) | PG-TDSON-8-33 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | nチャネル | 80 v | 50a(tj) | 6V 、10V | 10.2mohm @ 25a 、10V | 3.8V @ 24µA | 21 NC @ 10 V | ±20V | 1394 PF @ 40 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FP35R12N2T7B11BPSA1 | 93.5100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Infineon Technologies | econopim™2 | トレイ | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | FP35R12 | 20 MW | 三相ブリッジ整流器 | ag-econo2b | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 10 | 三相インバーター | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 35 a | 1.6V @ 15V、35a | 7 µA | はい | 6.62 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IPB039N10N3GE8187ATMA1 | - | ![]() | 3172 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-7 | IPB039 | モスフェット(金属酸化物) | PG-to263-7 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 100 V | 160a(tc) | 6V 、10V | 3.9mohm @ 100a 、10V | 3.5V @ 160µA | 117 NC @ 10 V | ±20V | 8410 PF @ 50 V | - | 214W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FF17MR12W1M1HB70BPSA1 | 148.3900 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Infineon Technologies | coolsic™ | トレイ | アクティブ | - | シャーシマウント | モジュール | FF17MR12 | モスフェット(金属酸化物) | - | ag-easy1b | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 24 | - | 1200V(1.2kv) | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRL6342PBF | - | ![]() | 2139 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | チューブ | sicで中止されました | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8-SO | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | SP001558090 | ear99 | 8541.29.0095 | 95 | nチャネル | 30 V | 9.9a | 2.5V 、4.5V | 14.6mohm @ 9.9a 、4.5V | 1.1V @ 10µA | 11 NC @ 4.5 v | ±12V | 1025 PF @ 25 V | - | 2.5W | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7523D1 | - | ![]() | 1228 | 0.00000000 | Infineon Technologies | fetky™ | チューブ | 廃止 | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-TSSOP 、8-MSOP (0.118 "、3.00mm 幅) | モスフェット(金属酸化物) | micro8™ | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 95 | nチャネル | 30 V | 2.7a(ta) | 4.5V 、10V | 130mohm @ 1.7a 、10V | 1V @ 250µA | 12 NC @ 10 V | ±20V | 210 PF @ 25 V | ショットキーダイオード(分離) | 1.25W | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SPD30N03S2L-10 | - | ![]() | 9300 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos™ | テープ&リール( tr) | 廃止 | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | SPD30N | モスフェット(金属酸化物) | PG-to252-3-11 | ダウンロード | ROHS非準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 30a(tc) | 4.5V 、10V | 10mohm @ 30a 、10V | 2V @ 50µA | 41.8 NC @ 10 V | ±20V | 1550 PF @ 25 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCP5610E6327HTSA1 | - | ![]() | 9800 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | BCP56 | 2 W | PG-SOT223-4-10 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80 v | 1 a | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 50MA 、500MA | 63 @ 150MA 、2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR8314TRPBF | 1.7000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hexfet® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜175°C | 表面マウント | to-252-3 | IRFR8314 | モスフェット(金属酸化物) | d-pak(to-252aa) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | nチャネル | 30 V | 90a | 4.5V 、10V | 2.2mohm @ 90a 、10V | 2.2V @ 100µA | 54 NC @ 4.5 v | ±20V | 4945 PF @ 15 V | - | 125W |
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