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トランジスタ（ 13833）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	逆回復時間（ trr）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
SMBTA06	0.0500	RFQ	6	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				330 MW		PG-SOT23-3-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0075	6,000																80 v	500 Ma						100NA				250MV @ 10MA 、100mA	100 @ 100MA、1V	100MHz
SPD50N03S2L-06G	1.0000	RFQ	8072	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ										ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
SKA06N06	-	RFQ	6222	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ				SKA06N						-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー				1
SIPC19N80C3	-	RFQ	9533	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ										-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0040	1
BSP373L6327	-	RFQ	8832	Infineon Technologies	SIPMOS®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA			モスフェット（金属酸化物）			PG-SOT223	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル		100 V	1.7a（ta）	10V	300mohm @ 1.7a 、10V	4V @ 1MA		±20V	550 PF @ 25 V	-	1.8W
IPI65R190C	2.0000	RFQ	500	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		650 V	20.2a	10V	190mohm @ 7.3a 、10V	3.5V @ 730µA	73 NC @ 10 V	±20V	1620 pf @ 100 V	-	151W
IMBF170R650M1XTAM1	7.4600	RFQ	592	Infineon Technologies	coolsic™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-8	IMBF170		sicfet （炭化シリコン）			PG-to263-7-13	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル		1700 v	7.4a（tc）	12V、15V	650mohm @ 1.5a、15V	5.7V @ 1.7MA	8 NC @ 12 v	+20V、 -10V	422 PF @ 1000 V	-	88W
IRFCZ44VB	-	RFQ	9434	Infineon Technologies	hexfet®	バルク	廃止	-	表面マウント	死ぬ			モスフェット（金属酸化物）			死ぬ	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	448-IRFCZ44VB	廃止		1		-		60 V	55a	10V	16.5mohm @ 55a、10V	-		-		-	-
IRFC260NB	-	RFQ	1905	Infineon Technologies	hexfet®	バルク	廃止	-	表面マウント	死ぬ			モスフェット（金属酸化物）			死ぬ	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	448-IRFC260NB	廃止		1		-		200 v	50a	10V	40mohm @ 50a 、10V	-		-		-	-
FS800R07A2E3BOSA4	-	RFQ	2627	Infineon Technologies	HybridPack™2	トレイ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール	FS800R07			1500 w	標準	モジュール	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	3	三相インバーター														トレンチフィールドストップ	650 V	700 a		1.6V @ 15V 、550A				5 Ma	はい	52 nf @ 25 v
IPI22N03S4L-15	0.2400	RFQ	3307	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	897		nチャネル		30 V	22a（tc）	4.5V 、10V	14.9mohm @ 22a 、10V	2.2V @ 10µA	14 NC @ 10 V	±16V	980 PF @ 25 V	-	31W （TC）
bsc200p03lsg	0.4300	RFQ	13	Infineon Technologies	Optimos®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn			モスフェット（金属酸化物）			PG-TDSON-8-6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		pチャネル		30 V	9.9a	10V	20mohm @ 12.5a 、10V	1V @ 100µA	48.5 NC @ 10 V	±25V	2430 PF @ 15 V	-	2.5W
IPI60R385CP	1.0300	RFQ	78	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		600 V	9a（tc）	10V	385mohm @ 5.2a 、10V	3.5V @ 340µA	22 NC @ 10 V	±20V	790 PF @ 100 V	-	83W
SPI20N65C3	-	RFQ	6796	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ										-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
IPB80N03S4L03	1.1000	RFQ	2	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3-2	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	295		nチャネル		30 V	80a（tc）	4.5V 、10V	3.7mohm @ 80a 、10V	2.2V @ 45µA	75 NC @ 10 V	±16V	5100 PF @ 25 V	-	94W
SPB10N10LG	0.4200	RFQ	993	Infineon Technologies	SIPMOS®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3-2	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル		100 V	10.3a（tc）	10V	154mohm @ 8.1a 、10V	2V @ 21µA	22 NC @ 10 V	±20V	444 PF @ 25 V	-	50W （TC）
IMW120R220M1HXKSA1	9.4500	RFQ	368	Infineon Technologies	coolsic™	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3	IMW120		sicfet （炭化シリコン）			PG-to247-3-41	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない	SP001946188	ear99	8541.29.0095	30		nチャネル		1200 v	13a（tc）	15V、18V	286mohm @ 4a、18V	5.7V @ 1.6ma	8.5 NC @ 18 V	+23V、-7V	289 PF @ 800 v	-	75W
94-2518pbf	-	RFQ	6904	Infineon Technologies	-	チューブ	廃止	-			94-2518		-	-			-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	-			-	-		-	-	-		-	-
FS50R12KT4B15BOSA1	-	RFQ	2902	Infineon Technologies	Econopack™2	バルク	sicで中止されました	-40°C〜150°C	シャーシマウント	モジュール	FS50R12			280 W	標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	三相インバーター														トレンチフィールドストップ	1200 v	50 a		2.15V @ 15V 、50a				1 Ma	はい	2.8 nf @ 25 v
IKP15N65H5XKSA1718	-	RFQ	7036	Infineon Technologies	TrenchStop™	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3		標準		105 W		PG-to220-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8542.39.0001	1			400V 、7.5a、39ohm、15V											48 ns	トレンチフィールドストップ	650 V	30 a	45 a	2.1V @ 15V、15a	120µj（オン）、50µj （オフ）	38 NC	17ns/160ns
BC807-25B5003	0.0200	RFQ	147	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				330 MW		PG-SOT23-3-11	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0075	3,000																45 v	500 Ma						100na（icbo）			PNP	700mv @ 50ma 、500ma	160 @ 100MA、1V	200MHz
IRG4PH50KDPBF-INF	-	RFQ	6216	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ										-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1
IRGB15B60KDPBF-INF	2.1400	RFQ	2	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3		標準		208 w		TO-220AB	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1			400V、15A 、22OHM 、15V											92 ns	npt	600 V	31 a	62 a	2.2V @ 15V 、15a	220µj（オン）、340µj（オフ）	84 NC	34ns/184ns
IPP120N04S3-02	3.2000	RFQ	30	Infineon Technologies	Optimos®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-220-3			モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		40 v	120a（tc）	10V	2.3mohm @ 80a 、10V	4V @ 230µA	210 NC @ 10 V	±20V	14300 PF @ 25 V	-	300W （TC）
IPA60R299CP	-	RFQ	9069	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-220-3フルパック			モスフェット（金属酸化物）			PG-to220-3-31	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	0000.00.0000	1		nチャネル		600 V	11a（tc）	10V	299mohm @ 6.6a 、10V	3.5V @ 440µA	29 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	33W （TC）
BC857CB5000	0.0200	RFQ	540	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ				BC857						ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー		ear99	8541.21.0075	10,000
BSZ0702LSATMA1	1.2600	RFQ	10	Infineon Technologies	Optimos™	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn	BSZ0702		モスフェット（金属酸化物）			PG-TDSON-8 FL	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	5,000		nチャネル		60 V	17a	4.5V 、10V	4mohm @ 20a 、10v	2.3V @ 36µA	22 NC @ 4.5 v	±20V	3100 PF @ 30 V	-	2.1W
IPW65R115CFD7AXKSA1	6.6600	RFQ	6446	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q101、CoolMos™CFD7A	チューブ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-247-3	IPW65R115		モスフェット（金属酸化物）			PG-to247-3-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30		nチャネル		650 V	21a（tc）	10V	115mohm @ 9.7a 、10V	4.5V @ 490µA	41 NC @ 10 V	±20V	1950 pf @ 400 v	-	114W
IPW65R075CFD7AXKSA1	11.0800	RFQ	6714	Infineon Technologies	Automotive 、AEC-Q101、CoolMos™CFD7A	チューブ	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-247-3	IPW65R075		モスフェット（金属酸化物）			PG-to247-3-41	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30		nチャネル		650 V	32a	10V	75mohm @ 16.4a 、10V	4.5V @ 820µA	68 NC @ 10 V	±20V	3288 PF @ 400 v	-	171W
IKW40N65ET7XKSA1	5.8500	RFQ	2051	Infineon Technologies	Automotive	チューブ	アクティブ	-40°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3	IKW40N65	標準		230.8 w		PG-to247-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	30			400V 、40a 、10ohm15V											85 ns	トレンチフィールドストップ	650 V	76 a	120 a	1.65V @ 15V 、40a	1.05MJ	235 NC	20ns/310ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（ 13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²