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トランジスタ（ 13833）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
SPI12N50C3IN	1.1300	RFQ	480	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		500 V	11.6a（tc）	10V	380mohm @ 7a、10V	3.9V @ 500µA	49 NC @ 10 V	±20V	1200 PF @ 25 V	-	125W
IPI144N12N3G	-	RFQ	4028	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ										ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1
IPI22N03S4L-15	0.2400	RFQ	3307	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	897		nチャネル		30 V	22a（tc）	4.5V 、10V	14.9mohm @ 22a 、10V	2.2V @ 10µA	14 NC @ 10 V	±16V	980 PF @ 25 V	-	31W （TC）
BSR302KL6327	0.0900	RFQ	4943	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ										ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	3,000
IPI60R385CP	1.0300	RFQ	78	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		600 V	9a（tc）	10V	385mohm @ 5.2a 、10V	3.5V @ 340µA	22 NC @ 10 V	±20V	790 PF @ 100 V	-	83W
SPI20N65C3	-	RFQ	6796	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ										-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1
SPB10N10LG	0.4200	RFQ	993	Infineon Technologies	SIPMOS®	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3			モスフェット（金属酸化物）			PG-to263-3-2	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル		100 V	10.3a（tc）	10V	154mohm @ 8.1a 、10V	2V @ 21µA	22 NC @ 10 V	±20V	444 PF @ 25 V	-	50W （TC）
BSS223PWL6327	-	RFQ	4062	Infineon Technologies	Optimos®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	SC-70、SOT-323			モスフェット（金属酸化物）			PG-SOT323-3-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0095	3,000		pチャネル		20 v	390ma（ta）	2.5V 、4.5V	1.2OHM @ 390MA 、4.5V	1.2V @ 1.5µA	0.62 NC @ 4.5 v	±12V	56 PF @ 15 V	-	250MW
IPI65R190C	2.0000	RFQ	500	Infineon Technologies	coolmos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	To-262-3 Long Leads			モスフェット（金属酸化物）			PG-to262-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		650 V	20.2a	10V	190mohm @ 7.3a 、10V	3.5V @ 730µA	73 NC @ 10 V	±20V	1620 pf @ 100 V	-	151W
BSS119NH7978XTSA1	0.1200	RFQ	15	Infineon Technologies	Optimos™	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-236-3			モスフェット（金属酸化物）			PG-SOT23-3-5	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.21.0095	3,000		nチャネル		100 V	190ma（ta）	4.5V 、10V	6OHM @ 190MA 、10V	2.3V @ 13µA	0.6 NC @ 10 V	±20V	20.9 pf @ 25 v	-	500MW
BCW61A	-	RFQ	4016	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				330 MW		PG-SOT23	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0075	9,000															32 v	100 Ma						20na（icbo）			PNP	550MV @ 1.25MA 、50mA	120 @ 2MA 、5V	250MHz
IGB30N60H3XKSA1	-	RFQ	8197	Infineon Technologies	TrenchStop™	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	表面マウント	TO-263-3		標準		187 w		PG-to263-3-2	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1,000			400V、30A 、10.5OHM 、15V											トレンチフィールドストップ	600 V	60 a	120 a	2.4V @ 15V、30a	730µj （440µj （オフ）	165 NC	18ns/207ns
BCW60FE6327	-	RFQ	6244	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				330 MW		PG-SOT23-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.21.0075	3,000															32 v	100 Ma						20na（icbo）			npn	550MV @ 1.25MA 、50mA	-	250MHz
IGP03N120H2	1.0000	RFQ	8948	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	穴を通して	TO-220-3		標準		62.5 w		PG-to220-3-1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1			800V、3a											-	1200 v	9.6 a	9.9 a	2.8V @ 15V、3a	290µj	22 NC	9.2ns/281ns
BSB012N03LX3GXUMA1	1.0800	RFQ	4	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ										ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	5,000
FZ1800R12KF4S1	1.0000	RFQ	77	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール				10500 w	標準	AG-IHMB190	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1	シングルスイッチ													溝	1200 v	2700 a		2.05V @ 15V、1.8ka				5 Ma	いいえ	110 nf @ 25 v
FZ1200R12KE3NOSA1	822.1000	RFQ	58	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-40°C〜125°C	シャーシマウント	モジュール				5600 w	標準	-	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1	シングルスイッチ													-	1200 v	1700 a		2.15V @ 15V 、1.2ka				5 Ma	いいえ	86 nf @ 25 v
bsc886n03lsg	-	RFQ	6367	Infineon Technologies	Optimos™3	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn			モスフェット（金属酸化物）			PG-TDSON-8	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	5,000		nチャネル		30 V	13a	4.5V 、10V	6mohm @ 30a 、10V	2.2V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 15 V	-	2.5w
BSB053N03LPG	0.4000	RFQ	5	Infineon Technologies	Optimos™	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	表面マウント	3-wdson			モスフェット（金属酸化物）			MG-WDSON-2、CanpakM™	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル		30 V	17a（タタ71a（tc）	4.5V 、10V	5.3mohm @ 30a 、10V	2.2V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 15 V	-	2.3w
bsc200p03lsg	0.4300	RFQ	13	Infineon Technologies	Optimos®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	8-powertdfn			モスフェット（金属酸化物）			PG-TDSON-8-6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1		pチャネル		30 V	9.9a	10V	20mohm @ 12.5a 、10V	1V @ 100µA	48.5 NC @ 10 V	±25V	2430 PF @ 15 V	-	2.5W
BSS88	1.0000	RFQ	3605	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ				BSS8						ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1
BSP373L6327	-	RFQ	8832	Infineon Technologies	SIPMOS®	バルク	アクティブ	-55°C〜150°C	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA			モスフェット（金属酸化物）			PG-SOT223	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル		100 V	1.7a（ta）	10V	300mohm @ 1.7a 、10V	4V @ 1MA		±20V	550 PF @ 25 V	-	1.8W
SKW04N120FKSA1	-	RFQ	2817	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ				skw04n						-	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8542.39.0001	1
SMBTA14E6327XT	0.1000	RFQ	30	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				330 MW		PG-SOT23	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.21.0075	3,112															30 V	300 Ma						100na（icbo）			npn-ダーリントン	1.5V @ 100µA 、100mA	20000 @ 100MA 、5V	125MHz
SPD50N03S2L-06G	1.0000	RFQ	8072	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ										ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	1
FS150R07N3E4_B11	182.3800	RFQ	68	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	モジュール				430 W	標準	モジュール	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.29.0095	2	三相インバーター													トレンチフィールドストップ	650 V	150 a		1.95V @ 15V 、150A				1 Ma	はい	9.3 nf @ 25 v
FS300R120E4B0SA1	-	RFQ	5062	Infineon Technologies	*	バルク	アクティブ										ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0095	1
BC818K-40E6327	0.0400	RFQ	32	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3				500 MW		PG-SOT23	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	影響を受けていない	ear99	8541.21.0075	7,532															25 v	500 Ma						100na（icbo）				700mv @ 50ma 、500ma	250 @ 100MA、1V	170MHz
BFN39H6327	0.2000	RFQ	11	Infineon Technologies	-	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-261-4、TO-261AA				1.5 w		SOT-223	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.29.0075	1,615															300 V	200 ma						100na（icbo）			PNP	500MV @ 2MA 、20MA	40 @ 10ma 、10V	100MHz
BC818-40WE6327	0.0200	RFQ	24	Infineon Technologies	aec-q101	バルク	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323				500 MW		PG-SOT323-3-1	ダウンロード	適用できない	1 （無制限）	未定義のベンダー	ear99	8541.21.0075	15,000															25 v	500 Ma						100na（icbo）				700mv @ 50ma 、500ma	250 @ 100MA、1V	170MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（ 13833）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²