画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSS4130AT116 | 0.4400 | ![]() | 418 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | BSS4130 | 200 MW | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 1 a | 100na(icbo) | npn | 350mv @ 25ma 、500ma | 270 @ 100MA 、2V | 400MHz | ||||||||||||||||
![]() | DTA124EU3HZGT106 | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | DTA124 | 200 MW | UMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 56 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||
![]() | DTA143TU3HZGT106 | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | DTA143 | 200 MW | UMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 100 @ 1MA 、5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | DTA143ZU3HZGT106 | 0.3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | DTA143 | 200 MW | UMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||
![]() | DTC124EU3HZGT106 | 0.0683 | ![]() | 5543 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | DTC124 | 200 MW | UMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 56 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||
![]() | DTD143EKFRAT146 | 0.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | TO-236-3 | DTD143 | 200 MW | SMT3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 500 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 2.5MA 、50mA | 47 @ 50MA 、5V | 200 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||
![]() | umt18ntr | 0.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | UMT18 | 150MW | UMT6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12V | 500mA | 100na(icbo) | 2 PNP (デュアル) | 250mv @ 10ma 、200ma | 270 @ 10ma 、2v | 260MHz | ||||||||||||||||
![]() | SCT2080KEHRC11 | 39.8900 | ![]() | 9310 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | SCT2080 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247N | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | sct2080kehrc11z | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 1200 v | 40a(tc) | 18V | 117mohm @ 10a、18V | 4V @ 4.4ma | 106 NC @ 18 V | +22V、-6V | 2080 PF @ 800 v | - | - | |||||||||||
![]() | SCT3040KLHRC11 | 56.3400 | ![]() | 886 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | SCT3040 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247N | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 1200 v | 55a(ta) | 18V | 52mohm @ 20a、18V | 5.6V @ 10MA | 107 NC @ 18 V | +22V、-4V | 1337 PF @ 800 V | - | 262W | ||||||||||||
![]() | SCT3120ALHRC11 | 10.3400 | ![]() | 1782 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | チューブ | 新しいデザインではありません | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | SCT3120 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247N | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 650 V | 21a(tc) | 18V | 156mohm @ 6.7a、18V | 5.6V @ 3.33MA | 38 NC @ 18 V | +22V、-4V | 460 pf @ 500 v | - | 103W | ||||||||||||
![]() | 2SCR553RTL | 0.4500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-96 | 2SCR553 | 500 MW | TSMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 2 a | 1µa(icbo) | npn | 350MV @ 35MA 、700MA | 180 @ 50ma 、2v | 360MHz | ||||||||||||||||
![]() | SCT3022KLGC11 | 52.3500 | ![]() | 260 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | SCT3022 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247N | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 1200 v | 95a | 18V | 28.6mohm @ 36a、18V | 5.6V @ 18.2MA | 178 NC @ 10 V | +22V、-4V | 2879 PF @ 800 V | - | 427W | ||||||||||||
![]() | LP8M3FP8TB1 | - | ![]() | 6873 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | LP8M3 | - | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 846-LP8M3FP8TB1TR | 廃止 | 2,500 | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSS070N05FW4TB1 | - | ![]() | 5107 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 846-RSS070N05FW4TB1TR | 廃止 | 2,500 | - | |||||||||||||||||||||||||||||
RSS090P03MB3TB1 | - | ![]() | 2149 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 846-RSS090P03MB3TB1TR | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 9a(ta) | 4V 、10V | 14mohm @ 9a 、10V | 2.5V @ 1MA | 39 NC @ 5 V | ±20V | 4000 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||
![]() | SP8J62TB1 | - | ![]() | 4034 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | SP8J62 | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 846-SP8J62TB1TR | 廃止 | 2,500 | - | |||||||||||||||||||||||||||
RSS100N03TB1 | - | ![]() | 1719 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 846-RSS100N03TB1TR | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 10a(ta) | 4V 、10V | 13.3mohm @ 10a 、10V | 2.5V @ 1MA | 20 NC @ 5 V | 20V | 1070 PF @ 10 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||
![]() | RSS065N06FW6TB1 | - | ![]() | 9949 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 846-RSS065N06FW6TB1TR | 廃止 | 2,500 | 6.5a | |||||||||||||||||||||||||||||
R6520ENZC17 | 6.1700 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3フルパック | R6520 | モスフェット(金属酸化物) | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-R6520ENZC17 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 650 V | 20a(tc) | 10V | 205mohm @ 9.5a 、10V | 4V @ 630µA | 61 NC @ 10 V | ±20V | 1400 PF @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||||||||
R6530ENZC17 | 6.5000 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3フルパック | R6530 | モスフェット(金属酸化物) | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-R6530ENZC17 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 650 V | 30a(tc) | 10V | 140mohm @ 14.5a 、10V | 4V @ 960µA | 90 NC @ 10 V | ±20V | 2100 PF @ 25 V | - | 86W | ||||||||||||
R6515KNZC17 | 4.9800 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3フルパック | R6515 | モスフェット(金属酸化物) | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-R6515KNZC17 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 650 V | 15a(tc) | 10V | 315mohm @ 6.5a 、10V | 5V @ 430µA | 27.5 NC @ 10 V | ±20V | 1050 PF @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||
R6535KNZC17 | 7.8500 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3フルパック | R6535 | モスフェット(金属酸化物) | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-R6535KNZC17 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 650 V | 35a(tc) | 10V | 115mohm @ 18.1a 、10V | 5V @ 1.21MA | 72 NC @ 10 V | ±20V | 3000 pf @ 25 v | - | 102W | ||||||||||||
R6524ENZC17 | 6.3700 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3フルパック | R6524 | モスフェット(金属酸化物) | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-R6524ENZC17 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 650 V | 24a(tc) | 10V | 185mohm @ 11.3a 、10V | 4V @ 750µA | 70 NC @ 10 V | ±20V | 1650 PF @ 25 V | - | 74W | ||||||||||||
R6050JNZC8 | - | ![]() | 7204 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3フルパック | R6050 | モスフェット(金属酸化物) | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | 846-R6050JNZC8 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 600 V | 50a(tc) | 15V | 83mohm @ 25a、15V | 7V @ 5MA | 120 NC @ 15 V | ±30V | 4500 PF @ 100 V | - | 120W (TC) | ||||||||||||
R6535ENZC8 | - | ![]() | 4858 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3フルパック | R6535 | モスフェット(金属酸化物) | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | 846-R6535ENZC8 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 650 V | 35a(tc) | 10V | 115mohm @ 18.1a 、10V | 4V @ 1.21MA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 2600 PF @ 25 V | - | 102W | ||||||||||||
R6025ANZFL1C8 | - | ![]() | 8796 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3フルパック | R6025 | モスフェット(金属酸化物) | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | 846-R6025ANZFL1C8 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 600 V | 25a(tc) | 10V | 150mohm @ 12.5a 、10V | 4.5V @ 1MA | 88 NC @ 10 V | ±30V | 3250 PF @ 10 V | - | 150W | ||||||||||||
R6020ANZFL1C8 | - | ![]() | 4337 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | 廃止 | 150°C | 穴を通して | to-3p-3フルパック | R6020 | モスフェット(金属酸化物) | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | 846-R6020ANZFL1C8 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 600 V | 20a(ta) | 10V | 220mohm @ 10a 、10V | 4.15V @ 1MA | 65 NC @ 10 V | ±30V | 2040 PF @ 25 V | - | 120W (TC) | ||||||||||||
R6030ENZM12C8 | - | ![]() | 1373 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3フルパック | R6030 | モスフェット(金属酸化物) | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | 846-R6030ENZM12C8 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 600 V | 30a(tc) | 10V | 130mohm @ 14.5a 、10V | 4V @ 1MA | 85 NC @ 10 V | ±20V | 2100 PF @ 25 V | - | 120W (TC) | ||||||||||||
R6530ENZC8 | - | ![]() | 7267 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3フルパック | R6530 | モスフェット(金属酸化物) | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | 846-R6530ENZC8 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 650 V | 30a(tc) | 10V | 140mohm @ 14.5a 、10V | 4V @ 960µA | 90 NC @ 10 V | ±20V | 2100 PF @ 25 V | - | 86W | ||||||||||||
R6524ENZC8 | - | ![]() | 1704 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3フルパック | R6524 | モスフェット(金属酸化物) | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | 846-R6524ENZC8 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 650 V | 24a(tc) | 10V | 185mohm @ 11.3a 、10V | 4V @ 750µA | 70 NC @ 10 V | ±20V | 1650 PF @ 25 V | - | 74W |
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