画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SC4115STPS | - | ![]() | 7788 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | SC-72はリードを形成しました | 2SC4115 | 400 MW | spt | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 20 v | 2 a | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 100MA 、2a | 270 @ 100MA 、2V | 290MHz | |||||||||||||||||
![]() | DTA123EMT2L | 0.0615 | ![]() | 2482 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-723 | DTA123 | 150 MW | VMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 20 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 2.2 KOHMS | 2.2 KOHMS | ||||||||||||||||
![]() | DTA143TKAT146 | 0.3100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | DTA143 | 200 MW | SMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 100 @ 1MA 、5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | DTA124EKAT146 | 0.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | DTA124 | 200 MW | SMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 30 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 56 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | DTA114EKAT146 | 0.2700 | ![]() | 70 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | DTA114 | 200 MW | SMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 50 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 30 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | BC858BWT106 | 0.3600 | ![]() | 3850 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | BC858 | 350 MW | UMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 100 Ma | 100na(icbo) | PNP | 650mv @ 5ma 、100ma | 210 @ 2MA 、5V | 250MHz | |||||||||||||||||
SP8M7FU6TB | - | ![]() | 2256 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SP8M7 | モスフェット(金属酸化物) | 2W | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nおよびpチャネル | 30V | 5a 、7a | 51mohm @ 5a 、10V | 2.5V @ 1MA | 5.5NC @ 5V | 230pf @ 10V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||||
RSS070N05TB1 | - | ![]() | 8087 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 846-RSS070N05TB1TR | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 45 v | 7a(ta) | 4.5V 、10V | 25mohm @ 7a 、10V | 2.5V @ 1MA | 16.8 NC @ 5 V | ±20V | 1000 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||
![]() | 2SB1132T100Q | 0.1730 | ![]() | 7700 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 2SB1132 | 2 W | MPT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 32 v | 1 a | 500na(icbo) | PNP | 500MV @ 50MA 、500MA | 120 @ 100MA、3V | 150MHz | |||||||||||||||||
![]() | DTA114EUAT106 | 0.2600 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | DTA114 | 200 MW | UMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 50 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 30 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | RSF014N03TL | 0.6500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、フラットリード | RSF014 | モスフェット(金属酸化物) | tumt3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 1.4a(ta) | 4V 、10V | 240mohm @ 1.4a 、10V | 2.5V @ 1MA | 2 NC @ 5 V | 20V | 70 pf @ 10 v | - | 800MW | |||||||||||||
![]() | R5016Anx | 3.7684 | ![]() | 9811 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | バルク | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | R5016 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 500 V | 16a(ta) | 10V | 270mohm @ 8a、10V | 4.5V @ 1MA | 50 NC @ 10 V | ±30V | 1800 pf @ 25 v | - | 50W (TC) | |||||||||||||
![]() | MMSTA28T146 | 0.4100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | MMSTA28 | 200 MW | SMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 80 v | 300 Ma | 500na | npn-ダーリントン | 1.5V @ 100µA 、100mA | 10000 @ 100MA 、5V | 200MHz | |||||||||||||||||
![]() | DTC143TMT2L | 0.4700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-723 | DTC143 | 150 MW | VMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | npn-バイアス化 | 300MV @ 250µA 、5MA | 100 @ 1MA 、5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | RSR020P05FRATL | 0.3334 | ![]() | 1340 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-96 | RSR020 | モスフェット(金属酸化物) | TSMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 45 v | 2a(ta) | 4V 、10V | 190mohm @ 2a 、10V | 3V @ 1MA | 4.5 NC @ 4.5 v | ±20V | 500 PF @ 10 V | - | 540MW | |||||||||||||
![]() | R8002ANX | - | ![]() | 5448 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | バルク | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | R8002 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 800 V | 2a(tc) | 10V | 4.3OHM @ 1A 、10V | 5V @ 1MA | 12.7 NC @ 10 V | ±30V | 210 PF @ 25 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||
![]() | dta114yebtl | 0.0488 | ![]() | 9192 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-89 、SOT-490 | DTA114 | 150 MW | emt3f(SOT-416fl | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 68 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | DTA115TMT2L | 0.0615 | ![]() | 1619 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-723 | DTA115 | 150 MW | VMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | pnp-前バイアス | 300MV @ 100µA、1MA | 100 @ 1MA 、5V | 250 MHz | 100 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | SCT4036KRC15 | 22.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-4 | SCT4036 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-4L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-SCT4036KRC15 | ear99 | 8541.29.0095 | 450 | nチャネル | 1200 v | 43a(tc) | 18V | 47mohm @ 21a、18V | 4.8V @ 11.1MA | 91 NC @ 18 V | +21V、-4V | 2335 PF @ 800 V | - | 176W | ||||||||||||
![]() | IMX9T110 | 0.3900 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-74、SOT-457 | IMX9 | 300MW | SMT6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 20V | 500mA | 500na(icbo) | 2 NPN (デュアル) | 400mv @ 20ma 、500ma | 560 @ 10ma 、3V | 350MHz | |||||||||||||||||
![]() | rhu002N06T106 | 0.4200 | ![]() | 56 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | rhu002 | モスフェット(金属酸化物) | UMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 60 V | 200ma(ta) | 4V 、10V | 2.4OHM @ 200MA 、10V | - | 4.4 NC @ 10 V | ±20V | 15 pf @ 10 v | - | 200MW | |||||||||||||
R6035ENZC8 | - | ![]() | 7301 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 360 | nチャネル | 600 V | 35a(tc) | 10V | 102mohm @ 18.1a 、10V | 4V @ 1MA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 2720 pf @ 25 v | - | 120W (TC) |
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