画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | テスト条件 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SCT3160KW7HRTL | 10.7900 | ![]() | 5086 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-8 | SCT3160 | sic (シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ) | TO-263-7L | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 1200 v | 17a(tc) | 18V | 208mohm @ 5a、18V | 5.6V @ 2.5MA | 42 NC @ 18 V | +22V、-4V | 398 PF @ 800 v | - | - | |||||||||||||||||||||
![]() | RD3R05BBHTL1 | 3.1000 | ![]() | 8073 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | RD3R05 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 150 v | 50a(ta) | 6V 、10V | 29mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | 37 NC @ 10 V | ±20V | 2150 pf @ 75 v | - | 89W | |||||||||||||||||||||
![]() | RH6R025BHTB1 | 1.8900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERVDFN | RH6R025 | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSMT (3.2x3) | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 150 v | 25a(ta) | 6V 、10V | 60mohm @ 25a 、10V | 4V @ 1MA | 16.7 NC @ 10 V | ±20V | 1010 pf @ 75 v | - | 2W (TA )、59W(TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | DTA124EE3TL | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTA143X | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTA124 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | pnp-バイアス +ダイオード前 | 300MV @ 500µA 、10mA | 30 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC124XE3TL | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTC124X | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTC124 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 68 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114EE3TL | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTA114E | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTA114 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 20 @ 20ma 、5v | 250 MHz | 2.2 KOHMS | 2.2 KOHMS | ||||||||||||||||||||||||
![]() | dtc114te3tl | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTC143T | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTC114 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | npn-バイアス化 | 300MV @ 250µA 、5MA | 100 @ 1MA 、5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114YE3TL | 0.3600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTA144E | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTC114 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | pnp-バイアス +ダイオード前 | 300MV @ 500µA 、10mA | 68 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143EE3TL | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTC143E | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTC143 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 33 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 1 KOHMS | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | rd3p01battl1 | 1.2400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | RD3P01 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 100 V | 10a(ta) | 6V 、10V | 240mohm @ 5a、10V | 4V @ 1MA | 19.4 NC @ 10 V | ±20V | 660 PF @ 50 V | - | 25w(ta) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RS1P090ATTB1 | 2.9100 | ![]() | 1024 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-powertdfn | RS1P090 | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSOP | ダウンロード | 1 (無制限) | 2,500 | pチャネル | 100 V | 9a | 4.5V 、10V | 34mohm @ 9a、10V | 2.5V @ 1MA | 125 NC @ 10 V | ±20V | 5650 PF @ 50 V | - | 3W (TA)、40W(TC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM450D12PG102 | 1.0000 | ![]() | 6512 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | 箱 | アクティブ | 175°C (TJ) | シャーシマウント | モジュール | BSM450 | 炭化シリコン(原文) | 1.45kW | モジュール | ダウンロード | 1 (無制限) | 846-BSM450D12PG102 | 4 | 2 nチャネル | 1200V | 447a(tc) | - | 4.8V @ 218.4ma | - | 44000pf @ 10V | 標準 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | R6020ynz4C13 | 6.5700 | ![]() | 600 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | R6020 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 846-R6020ynz4C13 | 30 | nチャネル | 600 V | 20a(tc) | 10V、12V | 185mohm @ 6a、12v | 6V @ 1.65MA | 28 NC @ 10 V | ±30V | 1200 PF @ 100 V | - | 182W | ||||||||||||||||||||||
![]() | R6014ynd3tl1 | 2.9100 | ![]() | 7545 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | R6014 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | 1 (無制限) | 2,500 | nチャネル | 600 V | 14a(tc) | 10V、12V | 260mohm @ 5a、12v | 6V @ 1.4MA | 20 NC @ 10 V | ±30V | 890 PF @ 100 V | - | 132W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM600D12PG103 | 1.0000 | ![]() | 5523 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | 箱 | アクティブ | 175°C (TJ) | シャーシマウント | モジュール | BSM600 | 炭化シリコン(原文) | 1.78KW | モジュール | ダウンロード | 1 (無制限) | 846-BSM600D12PG103 | 4 | 2 nチャネル | 1200V | 567a | - | 4.8V @ 291.2MA | - | 59000PF @ 10V | 標準 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114EU3T106 | 0.2000 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | DTC114 | 200 MW | UMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 Ma | - | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 30 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
SP8M24FRATB | 1.8100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SP8M24 | モスフェット(金属酸化物) | 2W | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nおよびpチャネル | 45V | 4.5a | 46mohm @ 4.5a | 2.5V @ 1MA | 9.6NC @ 5V、18.2NC @ 5V | 550pf @ 10V、1700pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR513P5T100 | 0.4800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 2SAR513 | 500 MW | MPT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 50 v | 1 a | 1µa(icbo) | PNP | 400MV @ 25MA 、500mA | 180 @ 50ma 、2v | 400MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | VT6T2T2R | 0.5000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-SMD 、フラットリード | VT6T2 | 150MW | VMT6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100mA | 100na(icbo) | 2 PNP (デュアル) | 400mv @ 5ma 、50ma | 120 @ 1MA 、6V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114EUBHZGTL | 0.2200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | SC-85 | DTA114 | 200 MW | umt3f | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 Ma | - | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 30 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | QS8M11TCR | 0.9000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | - | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | QS8M11 | - | - | TSMT8 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nおよびpチャネル | 30V | 3.5a | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGPR20NS43HRTL | 1.8900 | ![]() | 84 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜175°C | 表面マウント | TO-263-3 | RGPR20 | 標準 | 107 W | LPDS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 300V 、8A 、100OHM 、5V | - | 460 v | 20 a | 2.0V @ 5V、10a | - | 14 NC | 500ns/4µs | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTA015EMT2L | 0.2400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-723 | DTA015 | 150 MW | VMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 v | 20 ma | - | pnp-前バイアス | 150MV @ 500µA、5MA | 80 @ 5MA 、10V | 250 MHz | 100 Kohms | 100 Kohms | |||||||||||||||||||||||
![]() | sct3030aw7tl | 39.5900 | ![]() | 437 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-8 | SCT3030 | sicfet (炭化シリコン) | TO-263-7 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 650 V | 70a | 39mohm @ 27a、18V | 5.6V @ 13.3MA | 104 NC @ 18 V | +22V、-4V | 1526 PF @ 500 V | - | 267W | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR554PHZGT100 | 0.6800 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 500 MW | SOT-89 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 80 v | 1.5 a | 1µa(icbo) | PNP | 400MV @ 25MA 、500mA | 120 @ 100MA、3V | 340MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | QS8J11TCR | 0.2327 | ![]() | 8818 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | QS8J11 | モスフェット(金属酸化物) | 550MW | TSMT8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 12V | 3.5a | 43mohm @ 3.5a 、4.5V | 1V @ 1MA | 22NC @ 4.5V | 2600pf @ 6V | ロジックレベルゲート、1.5Vドライブ | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114ECAHZGT116 | 0.1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | DTC114 | 350 MW | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 Ma | - | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 30 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | umx1ntn | 0.4100 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | UMX1 | 150MW | UMT6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 150ma | 100na(icbo) | 2 NPN (デュアル) | 400mv @ 5ma 、50ma | 120 @ 1MA 、6V | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2103T100 | 0.7700 | ![]() | 72 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 2SK2103 | モスフェット(金属酸化物) | MPT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | nチャネル | 30 V | 2a(ta) | 4V 、10V | 400mohm @ 1a 、10V | 2.5V @ 1MA | ±20V | 230 PF @ 10 V | - | 500MW | |||||||||||||||||||||
![]() | DTC123JE3TL | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTA143Z | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTC123 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | pnp-バイアス +ダイオード前 | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms |
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