画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | テスト条件 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 逆回復時間( trr) | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) | 電流排水( id) -最大 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RF4E080GNTR | 0.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-powerudfn | RF4E080 | モスフェット(金属酸化物) | huml2020l8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 8a(ta) | 4.5V 、10V | 17.6mohm @ 8a 、10V | 2.5V @ 250µA | 5.8 NC @ 10 V | ±20V | 295 PF @ 15 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | ES6U41T2R | - | ![]() | 7634 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-SMD 、フラットリード | モスフェット(金属酸化物) | 6-WEMT | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | nチャネル | 30 V | 1.5a(ta) | 2.5V 、4.5V | 240mohm @ 1.5a 、4.5V | 1.5V @ 1MA | 2.2 NC @ 4.5 v | ±12V | 80 pf @ 10 v | ショットキーダイオード(分離) | 700MW | ||||||||||||||||||||||||
RRH090P03GZETB | 1.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | RRH090 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 9a(ta) | 4V 、10V | 15.4mohm @ 9a、10V | 2.5V @ 1MA | 56 NC @ 10 V | ±20V | 3000 pf @ 10 V | - | 650MW | ||||||||||||||||||||||||
![]() | UT6MC5TCR | 0.8900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-powerudfn | UT6M | モスフェット(金属酸化物) | 2W (TA) | huml2020l8 | ダウンロード | 1 (無制限) | 3,000 | - | 60V | 3.5a | 95mohm @ 3.5a | 2.5V @ 1MA | - | - | 標準 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QS6U22TR | 0.2390 | ![]() | 7730 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | QS6U22 | モスフェット(金属酸化物) | TSMT6(SC-95) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 1.5a(ta) | 2.5V 、4.5V | 215mohm @ 1.5a 、4.5V | 2V @ 1MA | 3 NC @ 4.5 v | ±12V | 270 pf @ 10 v | ショットキーダイオード(分離) | 1.25W | |||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114EMFHAT2L | 0.3900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-723 | DTA114 | 150 MW | VMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 30 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ1C075UNTR | 0.2801 | ![]() | 7826 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | RQ1C075 | モスフェット(金属酸化物) | TSMT8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 7.5a(ta) | 1.5V 、4.5V | 16mohm @ 7.5a 、4.5V | 1V @ 1MA | 18 NC @ 4.5 v | ±10V | 1400 PF @ 10 V | - | 700MW | |||||||||||||||||||||||
![]() | EM6K31GT2R | 0.3700 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | EM6K31 | モスフェット(金属酸化物) | 120MW | EMT6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 60V | 250ma | 2.4OHM @ 250MA 、10V | 2.3V @ 1MA | - | 15pf @ 25V | ロジックレベルゲート、2.5Vドライブ | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RQ1A060ZPTR | 0.9600 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | RQ1A060 | モスフェット(金属酸化物) | TSMT8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 12 v | 6a(ta) | 1.5V 、4.5V | 23mohm @ 6a 、4.5v | 1V @ 1MA | 34 NC @ 4.5 v | ±10V | 2800 pf @ 6 v | - | 700MW | |||||||||||||||||||||||
![]() | QS5U13TR | 0.6100 | ![]() | 120 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-23-5薄い、TSOT-23-5 | QS5U13 | モスフェット(金属酸化物) | TSMT5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 2a(ta) | 2.5V 、4.5V | 100mohm @ 2a 、4.5v | 1.5V @ 1MA | 3.9 NC @ 4.5 v | ±12V | 175 pf @ 10 v | ショットキーダイオード(分離) | 1.25W | |||||||||||||||||||||||
![]() | BSM300D12PG101 | 965.0400 | ![]() | 5353 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | 箱 | アクティブ | 175°C (TJ) | シャーシマウント | モジュール | BSM300 | 炭化シリコン(原文) | 925W | モジュール | ダウンロード | 1 (無制限) | 846-BSM300D12PG101 | 4 | 2 nチャネル | 1200V | 291a(tc) | - | 4.8V @ 145.6ma | - | 30000PF @ 10V | 標準 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RRH090P03TB1 | 1.5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | RRH090 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 9a(ta) | 4V 、10V | 15.4mohm @ 9a、10V | 2.5V @ 1MA | 30 NC @ 5 V | ±20V | 3000 pf @ 10 V | - | 650MW | |||||||||||||||||||||||
R6524KNZC8 | - | ![]() | 5371 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3フルパック | R6524 | モスフェット(金属酸化物) | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | 846-R6524KNZC8 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 650 V | 24a(tc) | 10V | 185mohm @ 11.3a 、10V | 5V @ 750µA | 45 NC @ 10 V | ±20V | 1850 pf @ 25 v | - | 74W | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR586D3TL1 | 1.2400 | ![]() | 737 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | 2SAR586 | 10 W | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 80 v | 5 a | 1µa(icbo) | PNP | 320MV @ 100MA 、2a | 120 @ 500MA 、3V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | R4008ANDTL | 0.9781 | ![]() | 8373 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | R4008 | モスフェット(金属酸化物) | CPT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 400 V | 8a(ta) | 10V | 950mohm @ 4a 、10V | 4.5V @ 1MA | 15 NC @ 10 V | ±30V | 500 PF @ 25 V | - | 20W (TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RP1A090ZPTR | - | ![]() | 2756 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-SMD 、フラットリード | RP1A090 | モスフェット(金属酸化物) | MPT6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | pチャネル | 12 v | 9a(ta) | 1.5V 、4.5V | 12mohm @ 9a 、4.5V | 1V @ 1MA | 59 NC @ 4.5 v | ±10V | 7400 PF @ 6 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143XE3TL | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTC143X | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTA143 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | npn-バイアス +ダイオード前 | 300MV @ 500µA 、10mA | 30 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB523YE3TL | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTB523 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 500 Ma | 500na | pnp-バイアス +ダイオード前 | 300MV @ 5MA 、100mA | 140 @ 100MA 、2V | 260 MHz | 2.2 KOHMS | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSH070P05TB1 | 1.9000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | RSH070 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 45 v | 7a(ta) | 4V 、10V | 27mohm @ 7a 、10V | 2.5V @ 1MA | 47.6 NC @ 5 V | ±20V | 4100 PF @ 10 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SCR502E3TL | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | 2SCR502 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 500 Ma | 200na(icbo) | npn | 300MV @ 10MA、200mA | 200 @ 100MA 、2V | 360MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | dta123ymt2l | 0.3500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-723 | DTA123 | 150 MW | VMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 33 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 2.2 KOHMS | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6030ENXC7G | 6.5600 | ![]() | 982 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | R6030 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-R6030ENXC7G | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 30a(ta) | 10V | 130mohm @ 14.5a 、10V | 4V @ 1MA | 85 NC @ 10 V | ±20V | 2100 PF @ 25 V | - | 86W | ||||||||||||||||||||||
RSS095N05HZGTB | 2.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | RSS095 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 45 v | 9.5a(ta) | 4V 、10V | 16mohm @ 9.5a 、10V | 2.5V @ 1MA | 26.5 NC @ 5 V | ±20V | 1830 pf @ 10 v | - | 1.4W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RZF013P01TL | 0.4300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、フラットリード | RZF013 | モスフェット(金属酸化物) | tumt3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 12 v | 1.3a(ta) | 1.5V 、4.5V | 260mohm @ 1.3a 、4.5V | 1V @ 1MA | 2.4 NC @ 4.5 v | ±10V | 290 PF @ 6 V | - | 800MW | |||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114YE3TL | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTA115E | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTA114 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | pnp-バイアス +ダイオード前 | 300MV @ 250µA 、5MA | 82 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 100 Kohms | 100 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | US6T5TR | 0.2120 | ![]() | 2223 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-SMD 、フラットリード | US6T5 | 400 MW | tumt6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 2 a | 100na(icbo) | PNP | 370MV @ 75MA 、1.5a | 270 @ 200MA 、2V | 280MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | DSK9J01Q0L | - | ![]() | 5838 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | SC-89 、SOT-490 | 125 MW | SSMINI3-F3-B | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 846-DSK9J01Q0LTR | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 6pf @ 10V | 30 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | QH8JC5TCR | 1.2600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | QH8JC5 | モスフェット(金属酸化物) | 1.1W | TSMT8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 60V | 3.5a(ta) | 91mohm @ 3.5a 、10V | 2.5V @ 1MA | 17.3NC @ 10V | 850pf @ 30V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RGS30TSX2DHRC11 | 8.2600 | ![]() | 543 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | RGS30 | 標準 | 267 W | TO-247N | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-RGS30TSX2DHRC11 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 600V、15A 、10OHM 、15V | 157 ns | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 30 a | 45 a | 2.1V @ 15V、15a | 740µj(オン)、600µJ | 41 NC | 30ns/70ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | R6535KNX3C16 | 6.8600 | ![]() | 165 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | R6535 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-R6535KNX3C16 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 650 V | 35a(tc) | 10V | 115mohm @ 18.1a 、10V | 5V @ 1.3MA | 72 NC @ 10 V | ±20V | 3000 pf @ 25 v | - | 370W (TC) |
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