画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | テスト条件 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 逆回復時間( trr) | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DTA113ZCAT116 | 0.3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | DTA113 | 200 MW | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 33 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 1 KOHMS | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | R6576ENZ4C13 | 19.4700 | ![]() | 577 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | R6576 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-R6576ENZ4C13 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 650 V | 76a(ta) | 10V | 46mohm @ 44.4a 、10V | 4V @ 2.96MA | 260 NC @ 10 V | ±20V | 6500 PF @ 25 V | - | 735W | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR582D3TL1 | 1.6500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | 10 W | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 30 V | 10 a | 1µa(icbo) | PNP | 400MV @ 200MA 、4a | 200 @ 1a、3V | 230MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | R8002ANJGTL | 3.1100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-3 | R8002 | モスフェット(金属酸化物) | TO-263S | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 800 V | 2a(tc) | 10V | 4.3OHM @ 1A 、10V | 5V @ 1MA | 13 NC @ 10 V | ±30V | 250 PF @ 25 V | - | 62W | ||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4026DEHRC11 | 22.7600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247N | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 846-SCT4026DEHRC11 | ear99 | 8541.29.0095 | 450 | nチャネル | 750 V | 56a(tc) | 18V | 34mohm @ 29a、18V | 4.8V @ 15.4ma | 94 NC @ 18 V | +21V、-4V | 2320 pf @ 500 v | - | 176W | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGW80TK65EGVC11 | 7.3400 | ![]() | 450 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜175°C | 穴を通して | to-3pfm、SC-93-3 | RGW80 | 標準 | 81 w | to-3pfm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-RGW80TK65EGVC11 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V 、40a 、10ohm15V | 102 ns | トレンチフィールドストップ | 650 V | 39 a | 160 a | 1.9V @ 15V 、40a | 760µj(オン)、720µJ | 110 NC | 44ns/143ns | |||||||||||||||||||||
RSS095N05HZGTB | 2.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | RSS095 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 45 v | 9.5a(ta) | 4V 、10V | 16mohm @ 9.5a 、10V | 2.5V @ 1MA | 26.5 NC @ 5 V | ±20V | 1830 pf @ 10 v | - | 1.4W | |||||||||||||||||||||||
![]() | DTA144WCAT116 | 0.3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | DTA144 | 200 MW | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 56 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 47 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA124XEBTL | 0.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-89 、SOT-490 | DTA124 | 150 MW | emt3f(SOT-416fl | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 68 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RGTH60TS65DGC13 | 5.9700 | ![]() | 5787 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | RGTH60 | 標準 | 194 w | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-RGTH60TS65DGC13 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V、30A 、10OHM15V | 58 ns | トレンチフィールドストップ | 650 V | 58 a | 120 a | 2.1V @ 15V 、30a | - | 58 NC | 27ns/105ns | |||||||||||||||||||||
![]() | RGWX5TS65DGC11 | 8.1700 | ![]() | 1971年年 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | RGWX5TS65 | 標準 | 348 W | TO-247N | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-RGWX5TS65DGC11 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V 、75A 、10OHM 、15V | 101 ns | トレンチフィールドストップ | 650 V | 132 a | 300 a | 1.9V @ 15V 、75a | 2.39mj | 213 NC | 64ns/229ns | |||||||||||||||||||||
![]() | RGS80TS65DHRC11 | 8.0400 | ![]() | 4997 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | RGS80 | 標準 | 272 w | TO-247N | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-RGS80TS65DHRC11 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V 、40a 、10ohm15V | 103 ns | トレンチフィールドストップ | 650 V | 73 a | 120 a | 2.1V @ 15V 、40a | 1.05MJ | 48 NC | 37ns/112ns | |||||||||||||||||||||
SP8M24HZGTB | 2.1000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SP8M24 | モスフェット(金属酸化物) | 1.4W | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-SP8M24HZGTBCT | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nおよびpチャネル | 45V | 4.5a | 46mohm @ 4.5a | 2.5V @ 1MA | 9.6NC @ 5V、18.2NC @ 5V | 550pf @ 10V、1700pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC024XEBTL | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-89 、SOT-490 | DTC024 | 150 MW | emt3f(SOT-416fl | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 150MV @ 500µA、5MA | 80 @ 5MA 、10V | 250 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RW4E075AJTCL1 | 1.1600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-powerufdfn | RW4E075 | モスフェット(金属酸化物) | DFN1616-7T | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 7.5a(ta) | 2.5V 、4.5V | 26mohm @ 7.5a 、4.5V | 1.5V @ 2MA | 6.3 NC @ 4.5 v | ±12V | 720 PF @ 15 V | - | 1.5W | ||||||||||||||||||||||
![]() | RQ3E180BNTB1 | 2.0300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERVDFN | RQ3E180 | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSMT (3.2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 18a(ta )、 39a(tc) | 4.5V 、10V | 3.9mohm @ 18a 、10v | 2.5V @ 1MA | 72 NC @ 10 V | ±20V | 3500 PF @ 15 V | - | 2W (TA )、20W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RD3U080AAFRATL | 2.1600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | RD3U080 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 250 v | 8a(tc) | 10V | 300mohm @ 4a 、10V | 5V @ 1MA | 25 NC @ 10 V | ±30V | 1440 PF @ 25 V | - | 85W | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTC123YEBTL | 0.3500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-89 、SOT-490 | DTC123 | 150 MW | emt3f(SOT-416fl | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 33 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 2.2 KOHMS | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | rj1l12cgntll | 6.2700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-3 | RJ1L12 | モスフェット(金属酸化物) | TO-263AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-RJ1L12CGNTLLCT | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 60 V | 120a(ta) | 4.5V 、10V | 3.4mohm @ 50a 、10V | 2.5V @ 200µA | 139 NC @ 10 V | ±20V | 7100 PF @ 30 V | - | 166W | |||||||||||||||||||||
![]() | DTA115EUBTL | 0.3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-85 | DTA115 | 200 MW | umt3f | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 82 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 100 Kohms | 100 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | UT6K3TCR1 | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-powerudfn | UT6K3 | モスフェット(金属酸化物) | 2W (TA) | huml2020l8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 nチャンネル(デュアル) | 30V | 5.5a(ta) | 42mohm @ 5a 、4.5V | 1.5V @ 1MA | 4NC @ 4.5V | 450pf @ 15V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | R6024VNX3C16 | 5.6500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | R6024 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-R6024VNX3C16 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 24a(tc) | 10V、15V | 153mohm @ 6a、15V | 6.5V @ 700µA | 38 NC @ 10 V | ±30V | 1800 pf @ 100 V | - | 245W | |||||||||||||||||||||
![]() | R6035VNXC7G | 5.8200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | R6035 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-R6035VNXC7G | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 17a(tc) | 10V、15V | 114mohm @ 8a、15V | 6.5V @ 1.1MA | 50 NC @ 10 V | ±30V | 2400 PF @ 100 V | - | 81W | |||||||||||||||||||||
![]() | R6018VNXC7G | 3.5600 | ![]() | 62 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | R6018 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-R6018VNXC7G | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 10a(tc) | 10V、15V | 204mohm @ 4a、15V | 6.5V @ 600µA | 27 NC @ 10 V | ±30V | 1250 PF @ 100 V | - | 61W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | R6020Ynxc7g | 3.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | R6020 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-R6020Ynxc7g | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 12a(tc) | 10V、12V | 200mohm @ 6a 、10V | 6V @ 1.65MA | 28 NC @ 10 V | ±30V | 1200 PF @ 100 V | - | 62W | |||||||||||||||||||||
![]() | R6035VNX3C16 | 6.7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | R6035 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-R6035VNX3C16 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 35a(tc) | 10V、15V | 114mohm @ 8a、15V | 6.5V @ 1.1MA | 50 NC @ 10 V | ±30V | 2400 PF @ 100 V | - | 347W | |||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR514RHZGTL | 0.8700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-96 | 500 MW | TSMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 80 v | 700 Ma | 1µa(icbo) | PNP | 400MV @ 15MA、300MA | 120 @ 100MA、3V | 380MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR512RHZGTL | 0.8400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-96 | 500 MW | TSMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-2SAR512RHZGTLCT | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 2 a | 1µa(icbo) | PNP | 400mv @ 35ma 、700ma | 200 @ 100MA 、2V | 430MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT4062KRC15 | 15.1000 | ![]() | 5435 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-4 | SCT4062 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-4L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-SCT4062KRC15 | ear99 | 8541.29.0095 | 450 | nチャネル | 1200 v | 26a(tc) | 18V | 81mohm @ 12a、18V | 4.8V @ 6.45MA | 64 NC @ 18 V | +21V、-4V | 1498 PF @ 800 v | - | 115W | |||||||||||||||||||||
![]() | DTA115EE3HZGTL | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTA115 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-DTA115EE3HZGTLDKR | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 82 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 100 Kohms | 100 Kohms |
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