画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DTA115EE3HZGTL | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTA115 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-DTA115EE3HZGTLDKR | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 82 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 100 Kohms | 100 Kohms | |||||||||||||||
![]() | 2SA1774E3HZGTLQ | 0.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | 2SA1774 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 150 Ma | 100na(icbo) | npn | 500MV @ 50MA 、500MA | 120 @ 1MA 、6V | 140MHz | |||||||||||||||||
![]() | DTC143ZE3HZGTL | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTC143 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | 2SC4617E3HZGTLQ | 0.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | 2SC4617 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 150 Ma | 100na(icbo) | PNP | 400mv @ 5ma 、50ma | 120 @ 1MA 、6V | 180MHz | |||||||||||||||||
![]() | SCT4018KW7TL | 38.7800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-8 | sicfet (炭化シリコン) | TO-263-7L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 1200 v | 75a | 18V | 23.4mohm @ 42a、18V | 4.8V @ 22.2MA | 170 NC @ 18 V | +21V、-4V | 4532 PF @ 800 V | - | 267W | |||||||||||||
![]() | DTA143XE3HZGTL | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTA143 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-DTA143XE3HZGTLDKR | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 30 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||
![]() | 2SAR502E3HZGTL | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | 2SAR502 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 30 V | 500 Ma | 200na(icbo) | PNP | 400mv @ 10ma 、200ma | 200 @ 100MA 、2V | 520MHz | |||||||||||||||||
![]() | SCT4036KW7TL | 20.3600 | ![]() | 974 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-8 | sicfet (炭化シリコン) | TO-263-7L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 1200 v | 40a(tj) | 18V | 47mohm @ 21a、18V | 4.8V @ 11.1MA | 91 NC @ 18 V | +21V、-4V | 2335 PF @ 800 V | - | 150W | |||||||||||||
![]() | RV2E014AJT2CL | 0.5500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 3-xfdfn | モスフェット(金属酸化物) | DFN1006-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | nチャネル | 30 V | 700ma(ta) | 2.5V 、4.5V | 290mohm @ 1.4a 、4.5V | 1.5V @ 1MA | ±12V | 105 PF @ 15 V | - | 400MW | |||||||||||||||
![]() | DTA124EE3HZGTL | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTA124 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-DTA124EE3HZGTLCT | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 56 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||
![]() | BSS138WT106 | 0.5000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Optimos® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | モスフェット(金属酸化物) | UMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 60 V | 310ma(ta) | 2.5V 、10V | 2.4OHM @ 310MA 、10V | 2.3V @ 1MA | ±20V | 15 pf @ 30 v | - | 200MW | |||||||||||||||
![]() | RS6P100BHTB1 | 3.2200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-powertdfn | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSOP | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-RS6P100BHTB1DKR | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 100 V | 100a(tc) | 6V 、10V | 5.9mohm @ 90a 、10V | 4V @ 1MA | 45 NC @ 10 V | ±20V | 2880 PF @ 50 V | - | 104W | |||||||||||||
![]() | BSS84WAHZGT106 | 0.5000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | モスフェット(金属酸化物) | UMT3 | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 60 V | 210ma(ta) | 4.5V 、10V | 5.3OHM @ 210MA 、10V | 2.5V @ 100µA | ±20V | 34 PF @ 30 V | - | 300MW | |||||||||||||||
![]() | DTC144EE3HZGTL | 0.4100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTC144 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 250µA 、5MA | 68 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | SCT4062KW7TL | 12.7000 | ![]() | 985 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-8 | sicfet (炭化シリコン) | TO-263-7L | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 1200 v | 24a(tj) | 18V | 81mohm @ 12a、18V | 4.8V @ 6.45MA | 64 NC @ 18 V | +21V、-4V | 1498 PF @ 800 v | - | 93W | ||||||||||||||
![]() | dtc114te3hzgtl | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTC114 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-DTC114TE3HZGTLCT | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | npn-バイアス化 | 300MV @ 1MA 、10ma | 100 @ 1MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | DTA123EE3HZGTL | 0.3800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTA123 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-DTA123EE3HZGTLTR | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 20 @ 20ma 、5v | 250 MHz | 2.2 KOHMS | 2.2 KOHMS | |||||||||||||||
![]() | RD3L07BBGTL1 | 2.9400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | RD3L07 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 60 V | 70a | 4.5V 、10V | 3.9mohm @ 70a 、10V | 2.5V @ 1MA | 47 NC @ 10 V | ±20V | 2950 PF @ 30 V | - | 102W | ||||||||||||||
![]() | DTB513ZE3TL | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTB513 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 500 Ma | 500na | pnp-バイアス +ダイオード前 | 300MV @ 5MA 、100mA | 140 @ 100MA 、2V | 260 MHz | 1 KOHMS | 10 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | DTB523YE3TL | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTB523 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 500 Ma | 500na | pnp-バイアス +ダイオード前 | 300MV @ 5MA 、100mA | 140 @ 100MA 、2V | 260 MHz | 2.2 KOHMS | 10 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | DTD543EE3TL | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTD543 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 500 Ma | 500na | npn-バイアス +ダイオード前 | 300MV @ 5MA 、100mA | 115 @ 100MA 、2V | 260 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | RS6G100BGTB1 | 1.8700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-powertdfn | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSOP | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 40 v | 100a(tc) | 4.5V 、10V | 3.4mohm @ 90a 、10V | 2.5V @ 1MA | 24 NC @ 10 V | ±20V | 1510 pf @ 20 v | - | 3W (TA )、59W(TC) | |||||||||||||||
![]() | DTD513ZE3TL | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTD513 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 500 Ma | 500na | npn-バイアス +ダイオード前 | 300MV @ 5MA 、100mA | 140 @ 100MA 、2V | 260 MHz | 1 KOHMS | 10 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | RD3L03BBGTL1 | 1.6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | RD3L03 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 60 V | 35a(tc) | 4.5V 、10V | 11.3mohm @ 35a 、10V | 2.5V @ 1MA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 970 PF @ 30 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||
R6055VNZC17 | 10.7100 | ![]() | 420 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3フルパック | R6055VN | モスフェット(金属酸化物) | to-3pf | ダウンロード | 1 (無制限) | 846-R6055VNZC17 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 600 V | 23a(tc) | 10V、15V | 71mohm @ 16a、15V | 6.5V @ 1.5MA | 80 NC @ 10 V | ±30V | 3700 PF @ 100 V | - | 99W | ||||||||||||||
![]() | R6013VNXC7G | 3.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | R6013VN | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | 1 (無制限) | 846-R6013VNXC7G | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 8a(tc) | 10V、15V | 300mohm @ 3a、15V | 6.5V @ 500µA | 21 NC @ 10 V | ±30V | 900 pf @ 100 V | - | 54W | |||||||||||||
R6077VNZC17 | 11.9600 | ![]() | 120 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3フルパック | R6077 | モスフェット(金属酸化物) | to-3pf | ダウンロード | 1 (無制限) | 846-R6077VNZC17 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 600 V | 29a | 10V、15V | 51mohm @ 23a、15V | 6.5V @ 1.9ma | 108 NC @ 10 V | ±30V | 5200 PF @ 100 V | - | 113W | ||||||||||||||
![]() | R6009RND3TL1 | 1.6400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | R6009 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | - | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 600 V | 9a(tc) | 15V | 665mohm @ 4.5a、15V | 7V @ 5.5MA | 22 NC @ 15 V | ±30V | 640 PF @ 100 V | - | 125W | ||||||||||||||
![]() | mp6x3tr | - | ![]() | 1217 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-SMD 、フラットリード | mp6x3 | 1.4W | MPT6 | - | ROHS3準拠 | 846-MP6X3TR | 1,000 | 60V | 3a | 1µa(icbo) | 2 npn | 500MV @ 200MA 、2a | 120 @ 100MA 、2V | 200MHz | |||||||||||||||||||
![]() | 2SC2389STPR | - | ![]() | 4292 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&ボックス( TB) | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | SC-72はリードを形成しました | 2SC2389 | 300 MW | spt | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 846-2SC2389STPRTB | 5,000 | 120 v | 50 Ma | 500na | npn | 300mv @ 5ma 、50ma | 820 @ 1MA 、5V |
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