画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | テスト条件 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 逆回復時間( trr) | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DTC124XEBTL | 0.2600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | SC-89 、SOT-490 | DTC124 | 150 MW | emt3f(SOT-416fl | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 68 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 22 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RGT20TM65DGC9 | 2.7900 | ![]() | 6314 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜175°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | RGT20 | 標準 | 25 W | TO-220NFM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-RGT20TM65DGC9 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V 、10A 、10OHM15V | 42 ns | トレンチフィールドストップ | 650 V | 10 a | 30 a | 2.1V @ 15V 、10a | - | 22 NC | 12ns/32ns | |||||||||||||||||||||
![]() | dta123ymt2l | 0.3500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-723 | DTA123 | 150 MW | VMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 33 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 2.2 KOHMS | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114TU3HZGT106 | 0.3800 | ![]() | 5534 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | DTC114 | 200 MW | UMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | npn-バイアス化 | 300MV @ 1MA 、10ma | 100 @ 1MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA114TU3T106 | 0.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | DTA114 | 200 MW | UMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | pnp-前バイアス | 300MV @ 1MA 、10ma | 100 @ 1MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
2SC4102U3T106S | 0.4900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-261-4、TO-261AA | 2SC4102 | 1.2 w | SOT-223-3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 60 V | 50 Ma | 100na(icbo) | PNP | 300MV @ 600MA 、6a | 150 @ 500MA 、2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM300C12P3E201 | 750.6000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | モジュール | BSM300 | sicfet (炭化シリコン) | モジュール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-BSM300C12P3E201 | ear99 | 8541.29.0095 | 4 | nチャネル | 1200 v | 300a(tc) | - | - | 5.6V @ 80MA | +22V、-4V | 15000 pf @ 10 V | - | 1360W | ||||||||||||||||||||||
![]() | BSM180D12P2E002 | 811.8000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | モジュール | BSM180 | 炭化シリコン(原文) | 1360W | モジュール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-BSM180D12P2E002 | ear99 | 8541.29.0095 | 4 | 2 nチャンネル(ハーフブリッジ) | 1200V(1.2kv) | 204a(tc) | - | 4V @ 35.2MA | - | 18000pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | BSM180C12P3C202 | 590.4000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | モジュール | BSM180 | sicfet (炭化シリコン) | モジュール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-BSM180C12P3C202 | ear99 | 8541.29.0095 | 12 | nチャネル | 1200 v | 180a(tc) | - | - | 5.6V @ 50MA | +22V、-4V | 9000 PF @ 10 V | - | 880W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | BSM120C12P2C201 | 428.4000 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | モジュール | BSM120 | 炭化シリコン(原文) | 935W (TC) | モジュール | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-BSM120C12P2C201 | ear99 | 8541.29.0095 | 12 | 2 nチャネル | 1200V(1.2kv) | 134a(tc) | - | 4V @ 22MA | - | 14000pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | RD3U041AAFRATL | 1.6900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | RD3U041 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 250 v | 4a(tc) | 10V | 1.3OHM @ 2A 、10V | 5.5V @ 1MA | 8.5 NC @ 10 V | ±30V | 350 PF @ 25 V | - | 29W | ||||||||||||||||||||||
![]() | sct3060aw7tl | 18.9700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-8 | SCT3060 | sicfet (炭化シリコン) | TO-263-7 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 650 V | 38a(tc) | 78mohm @ 13a、18V | 5.6V @ 6.67MA | 58 NC @ 18 V | +22V、-4V | 852 PF @ 500 v | - | 159W | |||||||||||||||||||||||
![]() | sct3080aw7tl | 14.5200 | ![]() | 925 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-8 | SCT3080 | sicfet (炭化シリコン) | TO-263-7 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 650 V | 29a | 104mohm @ 10a、18V | 5.6V @ 5MA | 48 NC @ 18 V | +22V、-4V | 571 PF @ 500 v | - | 125W | |||||||||||||||||||||||
![]() | DTC144EEFRATL | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTC144 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 68 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | UM2222AU3HZGT106 | 0.4100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | UM2222 | 200 MW | UMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-UM22222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 40 v | 600 Ma | 100na(icbo) | 1V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSQ030N08HZGTR | 0.8300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | RSQ030 | モスフェット(金属酸化物) | TSMT6(SC-95) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 80 v | 3a(ta) | 4V 、10V | 131mohm @ 3a 、10V | 2.5V @ 1MA | 6.5 NC @ 5 V | ±20V | 550 PF @ 10 V | - | 950MW | ||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114GU3HZGT106 | 0.3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | DTC114 | 200 MW | UMT3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 30 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR586JFRGTLL | 2.1200 | ![]() | 974 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-3 | 2SAR586 | 40 W | LPTL | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 80 v | 5 a | 1µa(icbo) | 320MV @ 100MA 、2a | 120 @ 500MA 、3V | ||||||||||||||||||||||||||||
RRS075P03FRATB | 0.6390 | ![]() | 1578 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | RRS075 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 7.5a(ta) | 4V 、10V | 21mohm @ 7.5a 、10V | 2.5V @ 1MA | 21 NC @ 5 V | ±20V | 1900 pf @ 10 v | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC144TMFHAT2L | 0.0668 | ![]() | 2095 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | SOT-723 | DTC144 | 150 MW | VMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | npn-バイアス化 | 300mv @ 500µa 、5ma | 100 @ 1MA 、5V | 250 MHz | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC114EMFHAT2L | 0.0668 | ![]() | 2100 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | SOT-723 | DTC114 | 150 MW | VMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 30 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB143EKFRAT146 | 0.3489 | ![]() | 4548 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | TO-236-3 | DTB143 | 200 MW | SMT3 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 500 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 2.5MA 、50mA | 47 @ 50MA 、5V | 200 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC113ZEFRATL | 0.3800 | ![]() | 293 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTC113 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-DTC113ZEFRATLTR | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 33 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 1 KOHMS | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143EEFRATL | 0.0683 | ![]() | 6537 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTA143 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 30 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA123YEFRATL | 0.3800 | ![]() | 969 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTA123 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 33 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 2.2 KOHMS | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BC846BHZGT116 | 0.3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | BC846 | 200 MW | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 65 v | 120 Ma | 15NA | 400MV @ 5MA 、100mA | 200 @ 2MA 、5V | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RRQ030P03HZGTR | 0.6600 | ![]() | 806 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | RRQ030 | モスフェット(金属酸化物) | TSMT6(SC-95) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 3a(ta) | 4V 、10V | 125mohm @ 1.5a 、4V | 2.5V @ 1MA | 5.2 NC @ 5 V | ±20V | 480 PF @ 10 V | - | 950MW | ||||||||||||||||||||||
![]() | R8007and3fratl | 5.2200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | R8007 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 800 V | 7a(tc) | 10V | 1.6OHM @ 3.5a 、10V | 5V @ 1MA | 28 NC @ 10 V | ±30V | 850 PF @ 25 V | - | 140W | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGW60TS65GC11 | 5.0900 | ![]() | 430 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | RGW60 | 標準 | 178 W | TO-247N | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V、30A 、10OHM15V | トレンチフィールドストップ | 650 V | 60 a | 120 a | 1.9V @ 15V 、30a | 480µj(オン490µj(オフ) | 84 NC | 37ns/114ns | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4102U3T106 | 0.5000 | ![]() | 51 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 2SC4102 | 200 MW | UMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 120 v | 50 Ma | 500na(icbo) | npn | 500MV @ 1MA 、10ma | 180 @ 2MA 、6V | 140MHz |
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