SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) 逆回復時間( trr) IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターパルス( icm) vce(on max) @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD (オン/オフ) @ 25°C 現在 -コレクターカットオフ(最大) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移 抵抗 -ベース(r1) 抵抗 -エミッターベース(r2)
DTC124XEBTL Rohm Semiconductor DTC124XEBTL 0.2600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません 表面マウント SC-89 、SOT-490 DTC124 150 MW emt3f(SOT-416fl ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 68 @ 5MA 、5V 250 MHz 22 Kohms 47 Kohms
RGT20TM65DGC9 Rohm Semiconductor RGT20TM65DGC9 2.7900
RFQ
ECAD 6314 0.00000000 Rohm Semiconductor - チューブ アクティブ -40°C〜175°C 穴を通して TO-220-3フルパック RGT20 標準 25 W TO-220NFM ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 846-RGT20TM65DGC9 ear99 8541.29.0095 50 400V 、10A 、10OHM15V 42 ns トレンチフィールドストップ 650 V 10 a 30 a 2.1V @ 15V 、10a - 22 NC 12ns/32ns
DTA123YMT2L Rohm Semiconductor dta123ymt2l 0.3500
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SOT-723 DTA123 150 MW VMT3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 33 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS 10 Kohms
DTC114TU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTC114TU3HZGT106 0.3800
RFQ
ECAD 5534 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 DTC114 200 MW UMT3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na(icbo) npn-バイアス化 300MV @ 1MA 、10ma 100 @ 1MA 、5V 250 MHz 10 Kohms
DTA114TU3T106 Rohm Semiconductor DTA114TU3T106 0.3100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-70、SOT-323 DTA114 200 MW UMT3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na(icbo) pnp-前バイアス 300MV @ 1MA 、10ma 100 @ 1MA 、5V 250 MHz 10 Kohms
2SC4102U3T106S Rohm Semiconductor 2SC4102U3T106S 0.4900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-261-4、TO-261AA 2SC4102 1.2 w SOT-223-3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0075 3,000 60 V 50 Ma 100na(icbo) PNP 300MV @ 600MA 、6a 150 @ 500MA 、2V 100MHz
BSM300C12P3E201 Rohm Semiconductor BSM300C12P3E201 750.6000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Rohm Semiconductor - バルク アクティブ -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント モジュール BSM300 sicfet (炭化シリコン) モジュール ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 846-BSM300C12P3E201 ear99 8541.29.0095 4 nチャネル 1200 v 300a(tc) - - 5.6V @ 80MA +22V、-4V 15000 pf @ 10 V - 1360W
BSM180D12P2E002 Rohm Semiconductor BSM180D12P2E002 811.8000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Rohm Semiconductor - バルク アクティブ -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント モジュール BSM180 炭化シリコン(原文) 1360W モジュール ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 846-BSM180D12P2E002 ear99 8541.29.0095 4 2 nチャンネル(ハーフブリッジ) 1200V(1.2kv) 204a(tc) - 4V @ 35.2MA - 18000pf @ 10V -
BSM180C12P3C202 Rohm Semiconductor BSM180C12P3C202 590.4000
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Rohm Semiconductor - バルク アクティブ -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント モジュール BSM180 sicfet (炭化シリコン) モジュール ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 846-BSM180C12P3C202 ear99 8541.29.0095 12 nチャネル 1200 v 180a(tc) - - 5.6V @ 50MA +22V、-4V 9000 PF @ 10 V - 880W (TC)
BSM120C12P2C201 Rohm Semiconductor BSM120C12P2C201 428.4000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Rohm Semiconductor - バルク アクティブ -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント モジュール BSM120 炭化シリコン(原文) 935W (TC) モジュール ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 846-BSM120C12P2C201 ear99 8541.29.0095 12 2 nチャネル 1200V(1.2kv) 134a(tc) - 4V @ 22MA - 14000pf @ 10V -
RD3U041AAFRATL Rohm Semiconductor RD3U041AAFRATL 1.6900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント to-252-3 RD3U041 モスフェット(金属酸化物) TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 250 v 4a(tc) 10V 1.3OHM @ 2A 、10V 5.5V @ 1MA 8.5 NC @ 10 V ±30V 350 PF @ 25 V - 29W
SCT3060AW7TL Rohm Semiconductor sct3060aw7tl 18.9700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ 175°C (TJ) 表面マウント TO-263-8 SCT3060 sicfet (炭化シリコン) TO-263-7 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 650 V 38a(tc) 78mohm @ 13a、18V 5.6V @ 6.67MA 58 NC @ 18 V +22V、-4V 852 PF @ 500 v - 159W
SCT3080AW7TL Rohm Semiconductor sct3080aw7tl 14.5200
RFQ
ECAD 925 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ 175°C (TJ) 表面マウント TO-263-8 SCT3080 sicfet (炭化シリコン) TO-263-7 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 650 V 29a 104mohm @ 10a、18V 5.6V @ 5MA 48 NC @ 18 V +22V、-4V 571 PF @ 500 v - 125W
DTC144EEFRATL Rohm Semiconductor DTC144EEFRATL 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 DTC144 150 MW EMT3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 68 @ 5MA 、5V 250 MHz 47 Kohms 47 Kohms
UM2222AU3HZGT106 Rohm Semiconductor UM2222AU3HZGT106 0.4100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント SC-70、SOT-323 UM2222 200 MW UMT3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 846-UM22222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 ear99 8541.21.0095 3,000 40 v 600 Ma 100na(icbo) 1V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V
RSQ030N08HZGTR Rohm Semiconductor RSQ030N08HZGTR 0.8300
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 RSQ030 モスフェット(金属酸化物) TSMT6(SC-95) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 80 v 3a(ta) 4V 、10V 131mohm @ 3a 、10V 2.5V @ 1MA 6.5 NC @ 5 V ±20V 550 PF @ 10 V - 950MW
DTC114GU3HZGT106 Rohm Semiconductor DTC114GU3HZGT106 0.3700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません 表面マウント SC-70、SOT-323 DTC114 200 MW UMT3 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 3,000 50 v 100 Ma 500na(icbo) npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 30 @ 5MA 、5V 250 MHz 10 Kohms
2SAR586JFRGTLL Rohm Semiconductor 2SAR586JFRGTLL 2.1200
RFQ
ECAD 974 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-263-3 2SAR586 40 W LPTL ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 80 v 5 a 1µa(icbo) 320MV @ 100MA 、2a 120 @ 500MA 、3V
RRS075P03FRATB Rohm Semiconductor RRS075P03FRATB 0.6390
RFQ
ECAD 1578 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -55°C〜150°C 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) RRS075 モスフェット(金属酸化物) 8ソップ ダウンロード 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 pチャネル 30 V 7.5a(ta) 4V 、10V 21mohm @ 7.5a 、10V 2.5V @ 1MA 21 NC @ 5 V ±20V 1900 pf @ 10 v - 2W (TA)
DTC144TMFHAT2L Rohm Semiconductor DTC144TMFHAT2L 0.0668
RFQ
ECAD 2095 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません 表面マウント SOT-723 DTC144 150 MW VMT3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 Ma 500na(icbo) npn-バイアス化 300mv @ 500µa 、5ma 100 @ 1MA 、5V 250 MHz 47 Kohms
DTC114EMFHAT2L Rohm Semiconductor DTC114EMFHAT2L 0.0668
RFQ
ECAD 2100 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません 表面マウント SOT-723 DTC114 150 MW VMT3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 8,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 30 @ 5MA 、5V 250 MHz 10 Kohms 10 Kohms
DTB143EKFRAT146 Rohm Semiconductor DTB143EKFRAT146 0.3489
RFQ
ECAD 4548 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません 表面マウント TO-236-3 DTB143 200 MW SMT3 - 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 2.5MA 、50mA 47 @ 50MA 、5V 200 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
DTC113ZEFRATL Rohm Semiconductor DTC113ZEFRATL 0.3800
RFQ
ECAD 293 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 DTC113 150 MW EMT3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 846-DTC113ZEFRATLTR ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na npn-バイアス化 300MV @ 500µA 、10mA 33 @ 5MA 、5V 250 MHz 1 KOHMS 10 Kohms
DTA143EEFRATL Rohm Semiconductor DTA143EEFRATL 0.0683
RFQ
ECAD 6537 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません 表面マウント SC-75、SOT-416 DTA143 150 MW EMT3 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 30 @ 10ma 、5v 250 MHz 4.7 Kohms 4.7 Kohms
DTA123YEFRATL Rohm Semiconductor DTA123YEFRATL 0.3800
RFQ
ECAD 969 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 表面マウント SC-75、SOT-416 DTA123 150 MW EMT3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 Ma 500na pnp-前バイアス 300MV @ 500µA 、10mA 33 @ 10ma 、5v 250 MHz 2.2 KOHMS 10 Kohms
BC846BHZGT116 Rohm Semiconductor BC846BHZGT116 0.3500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント TO-236-3 BC846 200 MW SST3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 65 v 120 Ma 15NA 400MV @ 5MA 、100mA 200 @ 2MA 、5V
RRQ030P03HZGTR Rohm Semiconductor RRQ030P03HZGTR 0.6600
RFQ
ECAD 806 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 RRQ030 モスフェット(金属酸化物) TSMT6(SC-95) ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 pチャネル 30 V 3a(ta) 4V 、10V 125mohm @ 1.5a 、4V 2.5V @ 1MA 5.2 NC @ 5 V ±20V 480 PF @ 10 V - 950MW
R8007AND3FRATL Rohm Semiconductor R8007and3fratl 5.2200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Rohm Semiconductor aec-q101 テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント to-252-3 R8007 モスフェット(金属酸化物) TO-252 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 2,500 nチャネル 800 V 7a(tc) 10V 1.6OHM @ 3.5a 、10V 5V @ 1MA 28 NC @ 10 V ±30V 850 PF @ 25 V - 140W
RGW60TS65GC11 Rohm Semiconductor RGW60TS65GC11 5.0900
RFQ
ECAD 430 0.00000000 Rohm Semiconductor - チューブ 新しいデザインではありません -40°C〜175°C 穴を通して TO-247-3 RGW60 標準 178 W TO-247N ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 30 400V、30A 、10OHM15V トレンチフィールドストップ 650 V 60 a 120 a 1.9V @ 15V 、30a 480µj(オン490µj(オフ) 84 NC 37ns/114ns
2SC4102U3T106 Rohm Semiconductor 2SC4102U3T106 0.5000
RFQ
ECAD 51 0.00000000 Rohm Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ 150°C (TJ) 表面マウント SC-70、SOT-323 2SC4102 200 MW UMT3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0075 3,000 120 v 50 Ma 500na(icbo) npn 500MV @ 1MA 、10ma 180 @ 2MA 、6V 140MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

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    標準製品ユニット

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