画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RD3G07BBGTL1 | 3.0600 | ![]() | 4006 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | RD3G07 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 40 v | 150a | 4.5V 、10V | 2.3mohm @ 70a 、10V | 2.5V @ 1MA | 56 NC @ 10 V | ±20V | 3540 PF @ 20 V | - | 89W | ||||||||||||||
![]() | 2SA1774E3TLQ | 0.3400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | 2SA1774 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 150 Ma | 100na(icbo) | PNP | 500MV @ 5MA 、50mA | 120 @ 1MA 、6V | 140MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DTC123YE3TL | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTC124E | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTC123 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | npn-バイアス +ダイオード前 | 300MV @ 500µA 、10mA | 56 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | DTA114YE3TL | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTA115E | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTA114 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | pnp-バイアス +ダイオード前 | 300MV @ 250µA 、5MA | 82 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 100 Kohms | 100 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | 2SCR502E3TL | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | 2SCR502 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 500 Ma | 200na(icbo) | npn | 300MV @ 10MA、200mA | 200 @ 100MA 、2V | 360MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DTA123YE3TL | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTA114T | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTA123 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | pnp-前バイアス | 300MV @ 1MA 、10ma | 100 @ 1MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | ||||||||||||||||||
![]() | DTA144EE3TL | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTC144E | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTA144 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | npn-バイアス +ダイオード前 | 300MV @ 500µA 、10mA | 68 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | DTA123JE3TL | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTC123J | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTA123 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | npn-バイアス +ダイオード前 | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 2.2 KOHMS | 47 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | DTA115EE3TL | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTA114Y | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTA115 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | pnp-バイアス +ダイオード前 | 300MV @ 250µA 、5MA | 68 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | 2SC5585E3TL | 0.4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | 2SC5585 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 500 Ma | 100na(icbo) | npn | 250mv @ 10ma 、200ma | 270 @ 10ma 、2v | 320MHz | ||||||||||||||||||
![]() | DTC113ZE3TL | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTC143E | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTC113 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | npn-バイアス +ダイオード前 | 300MV @ 500µA 、10mA | 30 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | dta114te3tl | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTA114E | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTA114 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | pnp-バイアス +ダイオード前 | 300MV @ 500µA 、10mA | 30 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | DTC144EE3TL | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTA143T | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTC144 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 100 @ 1MA 、5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||
![]() | DTA123EE3TL | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTA124E | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTA123 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | pnp-バイアス +ダイオード前 | 300MV @ 500µA 、10mA | 56 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | SCT4026DEHRC11 | 22.7600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247N | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 846-SCT4026DEHRC11 | ear99 | 8541.29.0095 | 450 | nチャネル | 750 V | 56a(tc) | 18V | 34mohm @ 29a、18V | 4.8V @ 15.4ma | 94 NC @ 18 V | +21V、-4V | 2320 pf @ 500 v | - | 176W | |||||||||||||
![]() | R6047ENZ4C13 | 14.5600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | R6047 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-R6047ENZ4C13 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 600 V | 47a(tc) | 10V | 72mohm @ 25.8a 、10V | 4V @ 1MA | 145 NC @ 10 V | ±20V | 3850 PF @ 25 V | - | 481W | ||||||||||||
![]() | R6020KNZ4C13 | 7.9200 | ![]() | 442 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | R6020 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-R6020KNZ4C13 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 600 V | 20a(tc) | 10V | 196mohm @ 9.5a 、10V | 5V @ 1MA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 1550 PF @ 25 V | - | 231W | ||||||||||||
![]() | R6006JNXC7G | 2.9700 | ![]() | 874 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | R6006 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-R6006JNXC7G | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 6a(tc) | 15V | 936mohm @ 3a、15V | 7V @ 800µA | 15.5 NC @ 15 V | ±30V | 410 pf @ 100 V | - | 43W | ||||||||||||
![]() | R6030ENZ4C13 | 9.6100 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | R6030 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-R6030ENZ4C13 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 600 V | 30a(tc) | 10V | 130mohm @ 14.5a 、10V | 4V @ 1MA | 85 NC @ 10 V | ±20V | 2100 PF @ 25 V | - | 305W | ||||||||||||
![]() | BSS64AT116 | 0.3500 | ![]() | 401 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | BSS64 | 200 MW | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 V | 100 Ma | 100na(icbo) | npn | 300MV @ 10MA 、100mA | 30 @ 25MA、1V | 140MHz | |||||||||||||||||
![]() | HP8M51TB1 | 2.3200 | ![]() | 8642 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-powertdfn | HP8M51 | モスフェット(金属酸化物) | 3w | 8-HSOP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nおよびpチャネル | 100V | 4.5a(ta) | 170mohm @ 4.5a | 2.5V @ 1MA | 15NC @ 10V、26.2NC @ 10V | 600pf @ 50V、1430pf @ 50V | - | |||||||||||||||
![]() | RD3P200SNTL1 | 2.1600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | RD3P200 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 100 V | 20a(ta) | 4V 、10V | 46mohm @ 20a 、10V | 2.5V @ 1MA | 55 NC @ 10 V | ±20V | 2100 PF @ 25 V | - | 20W (TC) | |||||||||||||
![]() | RF4L055GNTCR | 0.9000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-powerudfn | RF4L055 | モスフェット(金属酸化物) | huml2020l8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 60 V | 5.5a(ta) | 4.5V 、10V | 43mohm @ 5.5a 、10V | 2.7V @ 1MA | 7.8 NC @ 10 V | ±20V | 400 pf @ 30 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||
![]() | RQ3E100ATTB | 0.8800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERVDFN | RQ3E100 | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSMT (3.2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 10a(ta )、 31a(tc) | 4.5V 、10V | 11.4mohm @ 10a 、10v | 2.5V @ 1MA | 42 NC @ 10 V | ±20V | 1900 PF @ 15 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||
![]() | RQ3E110AJTB | 0.7600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERVDFN | RQ3E110 | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSMT (3.2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 11a(タタ24a(tc) | 2.5V 、4.5V | 11.7mohm @ 11a 、4.5V | 1.5V @ 1MA | 13.5 NC @ 4.5 v | ±12V | 1500 PF @ 15 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||
![]() | RQ3L090GNTB | 1.4800 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERVDFN | RQ3L090 | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSMT (3.2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 60 V | 9a(ta )、 30a(tc) | 4.5V 、10V | 13.9mohm @ 9a、10V | 2.7V @ 300µA | 24.5 NC @ 10 V | ±20V | 1260 PF @ 30 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||
![]() | RQ5A040ZPTL | 0.8100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-96 | RQ5A040 | モスフェット(金属酸化物) | TSMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 12 v | 4a(ta) | 1.5V 、4.5V | 30mohm @ 4a 、4.5v | 1V @ 1MA | 30 NC @ 4.5 v | ±10V | 2350 pf @ 6 v | - | 700MW | |||||||||||||
![]() | RQ5C020TPTL | 0.5500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-96 | RQ5C020 | モスフェット(金属酸化物) | TSMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 2a(ta) | 2.5V 、4.5V | 135mohm @ 2a 、4.5V | 2V @ 1MA | 4.9 NC @ 2.5 v | ±12V | 430 pf @ 10 v | - | 700MW | |||||||||||||
![]() | RQ5E015RPTL | 0.5000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-96 | RQ5E015 | モスフェット(金属酸化物) | TSMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 1.5a(ta) | 4V 、10V | 160mohm @ 1.5a 、10V | 2.5V @ 1MA | 3.2 NC @ 5 V | ±20V | 230 PF @ 10 V | - | 700MW | |||||||||||||
![]() | RQ5E065AJTCL | 0.7600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-96 | RQ5E065 | モスフェット(金属酸化物) | TSMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 6.5a(ta) | 2.5V 、4.5V | 18.1mohm @ 6.5a 、4.5V | 1.5V @ 2MA | 12.2 NC @ 4.5 v | ±12V | 1370 PF @ 15 V | - | 760MW |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫