画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | フェットタイプ | テスト条件 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 逆回復時間( trr) | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RGTV00TK65DGC11 | 7.7700 | ![]() | 2190 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜175°C | 穴を通して | to-3pfm、SC-93-3 | RGTV00 | 標準 | 94 W | to-3pfm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V、50a 、10ohm15V | 102 ns | トレンチフィールドストップ | 650 V | 45 a | 200 a | 1.9V @ 15V 、50a | 1.17MJ | 104 NC | 41ns/142ns | |||||||||||||||||||||
![]() | RGTV60TK65DGVC11 | 6.4100 | ![]() | 7339 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜175°C | 穴を通して | to-3pfm、SC-93-3 | RGTV60 | 標準 | 76 W | to-3pfm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V、30A 、10OHM15V | 95 ns | トレンチフィールドストップ | 650 V | 33 a | 120 a | 1.9V @ 15V 、30a | 570µj(オン)、500µJ | 64 NC | 33ns/105ns | |||||||||||||||||||||
![]() | RGTV60TK65GVC11 | 5.9100 | ![]() | 436 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜175°C | 穴を通して | to-3pfm、SC-93-3 | RGTV60 | 標準 | 76 W | to-3pfm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V、30A 、10OHM15V | トレンチフィールドストップ | 650 V | 33 a | 120 a | 1.9V @ 15V 、30a | 570µj(オン)、500µJ | 64 NC | 33ns/105ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGTV60TS65DGC11 | 6.3700 | ![]() | 8356 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | RGTV60 | 標準 | 194 w | TO-247N | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V、30A 、10OHM15V | 95 ns | トレンチフィールドストップ | 650 V | 60 a | 120 a | 1.9V @ 15V 、30a | 570µj(オン)、500µJ | 64 NC | 33ns/105ns | |||||||||||||||||||||
![]() | RGW80TK65DGVC11 | 6.5700 | ![]() | 440 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜175°C | 穴を通して | to-3pfm、SC-93-3 | RGW80 | 標準 | 81 w | to-3pfm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V 、40a 、10ohm15V | 92 ns | トレンチフィールドストップ | 650 V | 39 a | 160 a | 1.9V @ 15V 、40a | 760µj(オン)、720µJ | 110 NC | 44ns/143ns | |||||||||||||||||||||
![]() | RGW80TK65GVC11 | 6.4000 | ![]() | 450 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜175°C | 穴を通して | to-3pfm、SC-93-3 | RGW80 | 標準 | 81 w | to-3pfm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V 、40a 、10ohm15V | トレンチフィールドストップ | 650 V | 39 a | 160 a | 1.9V @ 15V 、40a | 760µj(オン)、720µJ | 110 NC | 44ns/143ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGW80TS65DGC11 | 6.5400 | ![]() | 438 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜175°C | 穴を通して | TO-247-3 | RGW80 | 標準 | 214 w | TO-247N | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V 、40a 、10ohm15V | 92 ns | トレンチフィールドストップ | 650 V | 78 a | 160 a | 1.9V @ 15V 、40a | 760µj(オン)、720µJ | 110 NC | 44ns/143ns | |||||||||||||||||||||
![]() | BSS84T116 | 0.4300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | BSS84 | モスフェット(金属酸化物) | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 60 V | 230ma(ta) | 4.5V 、10V | 5.3OHM @ 230MA 、10V | 2.5V @ 100µA | ±20V | 34 PF @ 30 V | - | 200MW | ||||||||||||||||||||||
![]() | uml23ntr | 0.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363 | UML23 | 150MW | UMT6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 150ma | 100na(icbo) | npn +ツェナーダイオード(分離) | 400mv @ 5ma 、50ma | 120 @ 1MA 、6V | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VT6T1T2R | 0.1045 | ![]() | 8869 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-SMD 、フラットリード | VT6T1 | 150MW | VMT6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 20V | 200mA | 100na(icbo) | 2 PNP (デュアル) | 300MV @ 10MA 、100mA | 120 @ 1MA 、6V | 350MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VT6X12T2R | 0.1117 | ![]() | 8873 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 前回購入します | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-SMD 、フラットリード | VT6x12 | 150MW | VMT6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50V | 100mA | 100na(icbo) | 2 NPN (デュアル) | 300mv @ 5ma 、50ma | 120 @ 1MA 、6V | 350MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3017ALHRC11 | 125.3200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | SCT3017 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247N | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 450 | nチャネル | 650 V | 118a(tc) | 18V | 22.1mohm @ 47a、18V | 5.6V @ 23.5MA | 172 NC @ 18 V | +22V、-4V | 2884 PF @ 500 V | - | 427W | |||||||||||||||||||||
![]() | SCT3022KLHRC11 | 132.6100 | ![]() | 6771 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | SCT3022 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247N | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 1200 v | 95a | 18V | 28.6mohm @ 36a、18V | 5.6V @ 18.2MA | 178 NC @ 18 V | +22V、-4V | 2879 PF @ 800 V | - | 427W | |||||||||||||||||||||
![]() | SCT3030ALHRC11 | 53.3200 | ![]() | 478 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | SCT3030 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247N | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 650 V | 70a | 18V | 39mohm @ 27a、18V | 5.6V @ 13.3MA | 104 NC @ 18 V | +22V、-4V | 1526 PF @ 500 V | - | 262W | |||||||||||||||||||||
![]() | R6022ynz4C13 | 6.8500 | ![]() | 3211 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | R6022 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247G | ダウンロード | 1 (無制限) | 846-R6022INZ4C13 | 30 | nチャネル | 600 V | 22a(tc) | 10V、12V | 165mohm @ 6.5a、12v | 6V @ 1.8ma | 33 NC @ 10 V | ±30V | 1400 PF @ 100 V | - | 205W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC013ZUBTL | 0.2700 | ![]() | 143 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-85 | DTC013 | 200 MW | umt3f | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 150MV @ 500µA、5MA | 30 @ 5ma 、10V | 250 MHz | 1 KOHMS | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RW1A013ZPT2R | - | ![]() | 1161 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-SMD 、フラットリード | RW1A013 | モスフェット(金属酸化物) | 6-WEMT | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | pチャネル | 12 v | 1.5a(ta) | 1.5V 、4.5V | 260mohm @ 1.3a 、4.5V | 1V @ 1MA | 2.4 NC @ 4.5 v | ±10V | 290 PF @ 6 V | - | 400MW | |||||||||||||||||||||
![]() | SST2222AT116 | 0.3900 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | SST2222 | 350 MW | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40 v | 600 Ma | 100na(icbo) | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RD3L150SNFRATL | 1.6800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | RD3L150 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 60 V | 15a(ta) | 4V 、10V | 40mohm @ 15a 、10V | 3V @ 1MA | 18 NC @ 10 V | ±20V | 930 pf @ 10 v | - | 20W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | US6T6TR | 0.2628 | ![]() | 4415 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-SMD 、フラットリード | US6T6 | 1 W | tumt6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 30 V | 2 a | 100na(icbo) | PNP | 180mv @ 50ma、1a | 270 @ 200MA 、2V | 360MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1768STPR | - | ![]() | 3604 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | SC-72はリードを形成しました | 300 MW | spt | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 80 v | 1 a | 1µa(icbo) | npn | 400mv @ 20ma 、500ma | 120 @ 500MA 、3V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC113ZKAT146 | 0.2600 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | DTC113 | 200 MW | SMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 33 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 1 KOHMS | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTB113ZCHZGT116 | 0.2700 | ![]() | 5142 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | DTB113 | 200 MW | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 500 Ma | - | pnp-前バイアス | 300MV @ 2.5MA 、50mA | 56 @ 50MA 、5V | 200 MHz | 1 KOHMS | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SAR562F3TR | 0.8400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 3-udfn露出パッド | 2SAR562 | 1 W | huml2020l3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 30 V | 6 a | 100na(icbo) | PNP | 300MV @ 150ma、3a | 200 @ 500MA 、2V | 180MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | rtq030p02tr | 0.2409 | ![]() | 9435 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | RTQ030 | モスフェット(金属酸化物) | TSMT6(SC-95) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 3a(ta) | 2.5V 、4.5V | 80mohm @ 3a 、4.5V | 2V @ 1MA | 9 NC @ 4.5 v | ±12V | 800 PF @ 10 V | - | 1.25W | |||||||||||||||||||||
![]() | DTA143XMT2L | 0.0615 | ![]() | 2313 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SOT-723 | DTA143 | 150 MW | VMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 30 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC143XUBTL | 0.2000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | SC-85 | DTC143 | 200 MW | umt3f | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 30 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RS1P600BHTB1 | 2.9600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-powertdfn | rs1p | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSOP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 100 V | 18a(ta )、 60a(tc) | 6V 、10V | 8.8mohm @ 18a 、10V | 4V @ 1MA | 64 NC @ 10 V | ±20V | 4080 PF @ 50 V | - | 3W (TA)、35W(TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | dta123jefratl | 0.2400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTA123 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 Ma | - | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 2.2 KOHMS | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||
![]() | EML20T2R | 0.1282 | ![]() | 1677 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | EML20 | 150 MW | EMT6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス +ダイオード前 | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 2.2 KOHMS | 47 Kohms |
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