画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RZF030P01TL | 0.6600 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、フラットリード | RZF030 | モスフェット(金属酸化物) | tumt3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 12 v | 3a(ta) | 1.5V 、4.5V | 39mohm @ 3a 、4.5V | 1V @ 1MA | 18 NC @ 4.5 v | ±10V | 1860 pf @ 6 v | - | 800MW | |||||||||||||
![]() | RZR025P01TL | 0.6000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-96 | RZR025 | モスフェット(金属酸化物) | TSMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 12 v | 2.5a(ta) | 1.5V 、4.5V | 61mohm @ 2.5a 、4.5V | 1V @ 1MA | 13 NC @ 4.5 v | ±10V | 1350 pf @ 6 v | - | 1W | |||||||||||||
![]() | BSS64T116 | - | ![]() | 7304 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 350 MW | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 100 V | 100 Ma | 100na(icbo) | npn | 300MV @ 10MA 、100mA | 30 @ 25MA、1V | 140MHz | ||||||||||||||||||
![]() | RQ3G150GNTB | 1.2900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | 8-POWERVDFN | RQ3G150 | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSMT (3.2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 40 v | 39a | 10V | 7.2mohm @ 15a 、10V | 2.5V @ 1MA | 11.6 NC @ 4.5 v | ±20V | 1450 pf @ 20 v | - | 20W (TC) | |||||||||||||
![]() | R6025JNXC7G | 6.9400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-220-3フルパック | R6025 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 25a(tc) | 15V | 182mohm @ 12.5a、15V | 7V @ 4.5MA | 57 NC @ 15 V | ±30V | 1900 PF @ 100 V | - | 85W | |||||||||||||
![]() | RAQ045P01TCR | 0.4800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | RAQ045 | モスフェット(金属酸化物) | TSMT6(SC-95) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 12 v | 4.5a(ta) | 1.5V 、4.5V | 30mohm @ 4.5a 、4.5V | 1V @ 1MA | 40 NC @ 4.5 v | -8V | 4200 PF @ 6 V | - | 600MW | |||||||||||||
![]() | RD3P050SNTL1 | 0.9100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | RD3P050 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 100 V | 5a(ta) | 4V 、10V | 190mohm @ 5a、10V | 2.5V @ 1MA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 530 PF @ 25 V | - | 15W (TC) | |||||||||||||
![]() | 2SA1774EBTLR | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-89 、SOT-490 | 2SA1774 | 150 MW | emt3f(SOT-416fl | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 150 Ma | 100na(icbo) | PNP | 500MV @ 5MA 、50mA | 120 @ 1MA 、6V | 140MHz | |||||||||||||||||
![]() | DTB114ECHZGT116 | 0.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | DTB114 | 200 MW | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 500 Ma | - | pnp-前バイアス | 300MV @ 2.5MA 、50mA | 56 @ 50MA 、5V | 200 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | 2SD2672TL | 0.2415 | ![]() | 3633 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-96 | 2SD2672 | 500 MW | TSMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 4 a | 100na(icbo) | npn | 250mv @ 40ma 、2a | 270 @ 200MA 、2V | 250MHz | |||||||||||||||||
SP8M2FU6TB | - | ![]() | 6469 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SP8M2 | モスフェット(金属酸化物) | 2W | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nおよびpチャネル | 30V | 3.5a | 83mohm @ 3.5a 、10V | 2.5V @ 1MA | 3.5NC @ 5V | 140pf @ 10V | - | ||||||||||||||||
![]() | 2SB1183TL | 0.4665 | ![]() | 6037 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | 2SB1183 | 1 W | CPT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 40 v | 2 a | 1µa(icbo) | pnp-ダーリントン | 1.5V @ 1.2MA 、600mA | 1000 @ 500MA 、2V | - | |||||||||||||||||
![]() | 2SD2656FRAT106 | 0.4900 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 2SD2656 | 200 MW | UMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 30 V | 1 a | 100na(icbo) | npn | 350mv @ 25ma 、500ma | 270 @ 100MA 、2V | 400MHz | |||||||||||||||||
![]() | RRH050P03TB1 | 0.8700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | RRH050 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 5a(ta) | 4V 、10V | 50mohm @ 5a 、10V | 2.5V @ 1MA | 9.2 NC @ 5 V | ±20V | 850 PF @ 10 V | - | 650MW | |||||||||||||
![]() | R5011FNX | 3.0677 | ![]() | 1887 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | バルク | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | R5011 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-R5011FNX | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 500 V | 11a(タタ)、5.4a(tc) | 10V | 520mohm @ 5.5a 、10V | 4V @ 1MA | 30 NC @ 10 V | ±30V | 950 PF @ 25 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||
![]() | DTC114GU3T106 | 0.2000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | DTC114 | 200 MW | UMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 30 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | DTA143XCAT116 | 0.2700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | DTA143 | 200 MW | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 30 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | R6576KNZ4C13 | 15.3200 | ![]() | 504 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | R6576 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247G | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-R6576KNZ4C13 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 650 V | 76a(tc) | 10V | 46mohm @ 44.4a 、10V | 5V @ 2.96MA | 165 NC @ 10 V | ±20V | 7400 PF @ 25 V | - | 735W | ||||||||||||
![]() | DTC014EEBTL | 0.1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-89 、SOT-490 | DTC014 | 150 MW | emt3f(SOT-416fl | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 50 Ma | - | npn-バイアス化 | 150MV @ 500µA、5MA | 35 @ 5MA 、10V | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | DTA143TCAHZGT116 | 0.2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | DTA143 | 350 MW | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 100 @ 1MA 、5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | DTC124EE3HZGTL | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTC124 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-DTC124EE3HZGTLDKR | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 56 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | SCT3080KLGC11 | 21.1100 | ![]() | 3851 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | SCT3080 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247N | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 1200 v | 31a(tc) | 18V | 104mohm @ 10a、18V | 5.6V @ 5MA | 60 NC @ 18 V | +22V、-4V | 785 PF @ 800 V | - | 165W | |||||||||||||
R6524KNZC17 | 6.3700 | ![]() | 300 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3フルパック | R6524 | モスフェット(金属酸化物) | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-R6524KNZC17 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 650 V | 24a(tc) | 10V | 185mohm @ 11.3a 、10V | 5V @ 750µA | 45 NC @ 10 V | ±20V | 1850 pf @ 25 v | - | 74W | |||||||||||||
![]() | QS8J1TR | 1.1600 | ![]() | 208 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | QS8J1 | モスフェット(金属酸化物) | 1.5W | TSMT8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 12V | 4.5a | 29mohm @ 4.5a 、4.5V | 1V @ 1MA | 31NC @ 4.5V | 2450pf @ 6V | ロジックレベルゲート | |||||||||||||||
![]() | DTD713ZMT2L | 0.3700 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 表面マウント | SOT-723 | DTD713 | 150 MW | VMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 30 V | 200 ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 2.5MA 、50mA | 140 @ 100MA 、2V | 260 MHz | 1 KOHMS | 10 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | R5016FNX | 7.0100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | バルク | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | R5016 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 500 V | 16a(ta) | 10V | 325mohm @ 8a 、10V | 5V @ 1MA | 46 NC @ 10 V | ±30V | 1700 PF @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||||||||
![]() | rs1e200bntb | 0.8300 | ![]() | 6105 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-powertdfn | RS1E | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSOP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 20a(ta) | 4.5V 、10V | 3.9mohm @ 20a 、10V | 2.5V @ 1MA | 59 NC @ 10 V | ±20V | 3100 PF @ 15 V | - | 3W (Ta )、25w(tc) | |||||||||||||
![]() | QST9TR | 0.6300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | QST9 | 1.25W | TSMT6(SC-95) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 30V | 1a | 100na(icbo) | 2 PNP (デュアル) | 350mv @ 25ma 、500ma | 270 @ 100MA 、2V | 320MHz | |||||||||||||||||
SP8K4FU6TB | - | ![]() | 5293 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SP8K4 | モスフェット(金属酸化物) | 2W | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル(デュアル) | 30V | 9a | 17mohm @ 9a 、10v | 2.5V @ 1MA | 21NC @ 5V | 1190pf @ 10V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||||
![]() | 2SD2226KT146V | 0.4400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | 2SD2226 | 200 MW | SMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 150 Ma | 300NA | npn | 300mv @ 5ma 、50ma | 820 @ 1MA 、5V | 250MHz |
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