画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | R6011ENX | 3.0700 | ![]() | 500 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | R6011 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 600 V | 11a(tc) | 10V | 390mohm @ 3.8a 、10V | 4V @ 1MA | 32 NC @ 10 V | ±20V | 670 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||
![]() | R6015ENX | 3.8100 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | R6015 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 600 V | 15a(tc) | 10V | 290mohm @ 6.5a 、10V | 4V @ 1MA | 40 NC @ 10 V | ±20V | 910 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||
![]() | RCX081N20 | 1.1200 | ![]() | 173 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | バルク | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | RCX081 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 200 v | 8a(tc) | 10V | 770mohm @ 4a 、10V | 5.25V @ 1MA | 8.5 NC @ 10 V | ±30V | 330 PF @ 25 V | - | 2.23W (TA)、40W(TC) | |||||||||||
![]() | R6004ENDTL | 1.4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | R6004 | モスフェット(金属酸化物) | CPT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 600 V | 4a(tc) | 10V | 980mohm @ 1.5a 、10V | 4V @ 1MA | 15 NC @ 10 V | ±20V | 250 PF @ 25 V | - | 20W (TC) | |||||||||||
![]() | R6007ENJTL | 1.9600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-3 | R6007 | モスフェット(金属酸化物) | LPTS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 600 V | 7a(tc) | 10V | 620mohm @ 2.4a 、10V | 4V @ 1MA | 20 NC @ 10 V | ±20V | 390 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||
![]() | RCD100N19TL | 1.4000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | RCD100 | モスフェット(金属酸化物) | CPT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 190 v | 10a(tc) | 4V 、10V | 182mohm @ 5a 、10V | 2.5V @ 1MA | 52 NC @ 10 V | ±20V | 2000 PF @ 25 V | - | 850MW | |||||||||||
![]() | RQ1C065UNTR | 0.6800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | RQ1C065 | モスフェット(金属酸化物) | TSMT8 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 20 v | 6.5a(ta) | 1.5V 、4.5V | 22mohm @ 6.5a 、4.5V | 1V @ 1MA | 11 NC @ 4.5 v | ±10V | 870 PF @ 10 V | - | 700MW | |||||||||||
![]() | RQ3E100BNTB | 0.4300 | ![]() | 103 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERVDFN | RQ3E100 | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSMT (3.2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 10a(ta) | 4.5V 、10V | 10.4mohm @ 10a 、10v | 2.5V @ 1MA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 1100 PF @ 15 V | - | 2W (TA) | |||||||||||
![]() | RQ3E120ATTB | 0.7700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERVDFN | RQ3E120 | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSMT (3.2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 12a(ta) | 4.5V 、10V | 8mohm @ 12a 、10V | 2.5V @ 1MA | 62 NC @ 10 V | ±20V | 3200 PF @ 15 V | - | 2W (TA) | |||||||||||
![]() | RQ5E035BNTCL | 0.4900 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-96 | RQ5E035 | モスフェット(金属酸化物) | TSMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 3.5a(ta) | 4.5V 、10V | 37mohm @ 3.5a 、10V | 2.5V @ 1MA | 6 NC @ 10 V | ±20V | 250 pf @ 15 V | - | 1W | |||||||||||
![]() | RQ6E035ATTCR | 0.4000 | ![]() | 5609 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | RQ6E035 | モスフェット(金属酸化物) | TSMT6(SC-95) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 3.5a(ta) | 4.5V 、10V | 50mohm @ 3.5a 、10V | 2.5V @ 1MA | 10 NC @ 10 V | ±20V | 475 PF @ 15 V | - | 1.25W | |||||||||||
![]() | RSC002P03T316 | 0.3200 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | RSC002 | モスフェット(金属酸化物) | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 250ma(ta) | 4V 、10V | 1.4OHM @ 250MA 、10V | 2.5V @ 1MA | ±20V | 30 pf @ 10 v | - | 200MW | ||||||||||||
![]() | rw1c026zpt2cr | 0.4900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 6-SMD 、フラットリード | RW1C026 | モスフェット(金属酸化物) | 6-WEMT | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | pチャネル | 20 v | 2.5a(ta) | 1.5V 、4.5V | 70mohm @ 2.5a 、4.5V | 1V @ 1MA | 10 NC @ 4.5 v | ±10V | 1250 PF @ 10 V | - | 700MW | |||||||||||
R6015ANZC8 | - | ![]() | 7402 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 360 | nチャネル | 600 V | 15a(tc) | 10V | 300mohm @ 7.5a 、10V | 4.15V @ 1MA | 50 NC @ 10 V | ±30V | 1700 PF @ 25 V | - | 110W | |||||||||||||
R6020ENZC8 | - | ![]() | 6975 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 360 | nチャネル | 600 V | 20a(tc) | 10V | 196mohm @ 9.5a 、10V | 4V @ 1MA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 1400 PF @ 25 V | - | 120W (TC) | |||||||||||||
R6025ANZC8 | - | ![]() | 8515 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3フルパック | モスフェット(金属酸化物) | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 360 | nチャネル | 600 V | 25a(tc) | 10V | 150mohm @ 12.5a 、10V | 4.5V @ 1MA | 88 NC @ 10 V | ±20V | 3250 PF @ 10 V | - | 150W | |||||||||||||
![]() | R6025FNZ1C9 | - | ![]() | 4757 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | R6025 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 600 V | 25a(tc) | 10V | 180mohm @ 12.5a 、10V | 5V @ 1MA | 85 NC @ 10 V | ±30V | 3500 PF @ 25 V | - | 150W | |||||||||||
![]() | SCT3030KLGC11 | 81.0800 | ![]() | 749 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | SCT3030 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247N | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 1200 v | 72a(tc) | 18V | 39mohm @ 27a、18V | 5.6V @ 13.3MA | 131 NC @ 18 V | +22V、-4V | 2222 PF @ 800 V | - | 339W | |||||||||||
![]() | SCT3080ALGC11 | 12.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | SCT3080 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247N | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 650 V | 30a(tc) | 18V | 104mohm @ 10a、18V | 5.6V @ 5MA | 48 NC @ 18 V | +22V、-4V | 571 PF @ 500 v | - | 134W | |||||||||||
![]() | 2SCR293P5T100 | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 2SCR293 | 500 MW | MPT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 30 V | 1 a | 100na(icbo) | npn | 350mv @ 25ma 、500ma | 270 @ 100MA 、2V | 320MHz | |||||||||||||||
![]() | 2SAR340PT100P | 0.6600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 2SAR340 | 500 MW | MPT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 400 V | 100 Ma | 10µa(icbo) | PNP | 400mv @ 2ma 、20ma | 82 @ 10MA 、10V | - | |||||||||||||||
![]() | 2SCR346PT100Q | 0.6200 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 2SCR346 | 500 MW | MPT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 1,000 | 400 V | 100 Ma | 10µa(icbo) | npn | 300MV @ 2MA 、20MA | 82 @ 10MA 、10V | - | |||||||||||||||
![]() | DTA123ECAT116 | 0.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | DTA123 | 200 MW | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 20 @ 20ma 、5v | 250 MHz | 2.2 KOHMS | 2.2 KOHMS | ||||||||||||||
![]() | DTC113ZCAT116 | 0.2800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | DTC113 | 200 MW | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 500µA 、10mA | 33 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 1 KOHMS | 10 Kohms | ||||||||||||||
![]() | DTC123JCAT116 | 0.2800 | ![]() | 396 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | DTC123 | 200 MW | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 2.2 KOHMS | 47 Kohms | ||||||||||||||
![]() | DTB123ECT116 | 0.3700 | ![]() | 349 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | DTB123 | 200 MW | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 500 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 2.5MA 、50mA | 39 @ 50ma 、5v | 200 MHz | 2.2 KOHMS | 2.2 KOHMS | ||||||||||||||
![]() | DTD123ECT116 | 0.3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | DTD123 | 200 MW | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 500 Ma | 500na | npn-バイアス化 | 300MV @ 2.5MA 、50mA | 39 @ 50ma 、5v | 200 MHz | 2.2 KOHMS | 2.2 KOHMS | ||||||||||||||
![]() | RD3P100SNTL1 | 1.5100 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | RD3P100 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 100 V | 10a(ta) | 4V 、10V | 133mohm @ 5a、10v | 2.5V @ 1MA | 18 NC @ 10 V | ±20V | 700 PF @ 25 V | - | 20W (TC) | |||||||||||
![]() | RD3T050CNTL1 | 1.3200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | RD3T050 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 200 v | 5a(tc) | 10V | 760mohm @ 2.5a 、10V | 5.25V @ 1MA | 8.3 NC @ 10 V | ±30V | 330 PF @ 25 V | - | 29W | |||||||||||
![]() | RD3U040CNTL1 | 1.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | to-252-3 | RD3U040 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 250 v | 4a(tc) | 10V | 1.3OHM @ 2A 、10V | 5.5V @ 1MA | 8.5 NC @ 10 V | ±30V | 350 PF @ 25 V | - | 29W |
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