画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | テスト条件 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 逆回復時間( trr) | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | re1c002zptl | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | 表面マウント | SC-89 、SOT-490 | RE1C002 | モスフェット(金属酸化物) | emt3f(SOT-416fl | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 200ma(ta) | 4.5V | 1.2OHM @ 200MA 、4.5V | 1V @ 100µA | 1.4 NC @ 4.5 v | ±10V | 115 pf @ 10 v | - | 150MW | ||||||||||||||||||||||
![]() | rs1e130gntb | 0.6300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-powertdfn | RS1E | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSOP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 13a(ta) | 4.5V 、10V | 11.7mohm @ 13a 、10V | 2.5V @ 1MA | 7.9 NC @ 10 V | ±20V | 420 PF @ 15 V | - | 3W (TA )、22.2W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | R6006JND3TL1 | 2.4200 | ![]() | 32 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | R6006 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 600 V | 6a(tc) | 15V | 936mohm @ 3a、15V | 7V @ 800µA | 15.5 NC @ 15 V | ±30V | 410 pf @ 100 V | - | 86W | ||||||||||||||||||||||
![]() | RQ6E050AJTCR | 0.6100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | RQ6E050 | モスフェット(金属酸化物) | TSMT6(SC-95) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 30 V | 5a(ta) | 2.5V 、4.5V | 35mohm @ 5a 、4.5V | 1.5V @ 1MA | 4.7 NC @ 4.5 v | ±12V | 520 PF @ 15 V | - | 950MW | ||||||||||||||||||||||
![]() | R6006ANX | 1.5214 | ![]() | 6491 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | バルク | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | R6006 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 600 V | 6a(tc) | 10V | 1.2OHM @ 3A 、10V | 4.5V @ 1MA | 15 NC @ 10 V | ±30V | 520 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||
SH8KA1GZETB | 0.8200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SH8KA1 | モスフェット(金属酸化物) | 2W (TA) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル(デュアル) | 30V | 4.5a(ta) | 80mohm @ 4.5a 、10V | 2.5V @ 1MA | 3NC @ 10V | 125pf @ 15V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | R6024VNXC7G | 4.9500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | R6024 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-R6024VNXC7G | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 13a(tc) | 10V、15V | 153mohm @ 6a、15V | 6.5V @ 700µA | 38 NC @ 10 V | ±30V | 1800 pf @ 100 V | - | 70W | |||||||||||||||||||||
![]() | SCT4036KRC15 | 22.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-4 | SCT4036 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-4L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-SCT4036KRC15 | ear99 | 8541.29.0095 | 450 | nチャネル | 1200 v | 43a(tc) | 18V | 47mohm @ 21a、18V | 4.8V @ 11.1MA | 91 NC @ 18 V | +21V、-4V | 2335 PF @ 800 V | - | 176W | |||||||||||||||||||||
![]() | RQ6L035ATTCR | 0.9400 | ![]() | 1021 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-23-6薄い、TSOT-23-6 | RQ6L035 | モスフェット(金属酸化物) | TSMT6(SC-95) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 60 V | 3.5a(ta) | 4.5V 、10V | 78mohm @ 3.5a 、10V | 2.5V @ 1MA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 1190 PF @ 30 V | - | 950MW | ||||||||||||||||||||||
![]() | FMA3AT148 | 0.1312 | ![]() | 6177 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-74A 、SOT-753 | FMA3 | 300MW | SMT5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500na(icbo) | 2 pnp- バイアス(デュアル) | 300MV @ 250µA 、5MA | 100 @ 1MA 、5V | 250MHz | 4.7kohms | - | |||||||||||||||||||||||||
R6015ANZFU7C8 | - | ![]() | 5471 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | to-3p-3フルパック | R6015 | モスフェット(金属酸化物) | to-3pf | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けた | 846-R6015ANZFU7C8 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 600 V | 15a(tc) | 10V | 300mohm @ 7.5a 、10V | 4.15V @ 1MA | 50 NC @ 10 V | ±30V | 1700 PF @ 25 V | - | 110W | ||||||||||||||||||||||
![]() | RGW60TK65DGVC11 | 6.6900 | ![]() | 5259 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜175°C | 穴を通して | to-3pfm、SC-93-3 | RGW60 | 標準 | 72 w | to-3pfm | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 450 | 400V、30A 、10OHM15V | 92 ns | トレンチフィールドストップ | 650 V | 33 a | 120 a | 1.9V @ 15V 、30a | 480µj(オン490µj(オフ) | 84 NC | 37ns/114ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | sct3080kw7tl | 19.9900 | ![]() | 792 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-8 | SCT3080 | sicfet (炭化シリコン) | TO-263-7 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-SCT3080KW7TLTR | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 1200 v | 30a(tc) | 104mohm @ 10a、18V | 5.6V @ 5MA | 60 NC @ 18 V | +22V、-4V | 785 PF @ 800 V | - | 159W | ||||||||||||||||||||||
![]() | RS6R060BHTB1 | 3.3200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-powertdfn | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSOP | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 150 v | 60a(ta) | 6V 、10V | 21.8mohm @ 60a 、10V | 4V @ 1MA | 46 NC @ 10 V | ±20V | 2750 pf @ 75 v | - | 104W | ||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3105KW7TL | 15.6300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-8 | SCT3105 | sicfet (炭化シリコン) | TO-263-7 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 1200 v | 23a(tc) | 137mohm @ 7.6a、18V | 5.6V @ 3.81MA | 51 NC @ 18 V | +22V、-4V | 574 PF @ 800 V | - | 125W | |||||||||||||||||||||||
RS3E075ATTB1 | 1.1400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | RS3E | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 7.5a(ta) | 4.5V 、10V | 23.5mohm @ 7.5a 、10V | 2.5V @ 1MA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 1250 PF @ 15 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RQ3L070BGTB1 | 0.9500 | ![]() | 9090 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERVDFN | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSMT (3.2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3,000 | nチャネル | 60 V | 7a(ta )、20a(tc | 4.5V 、10V | 24.7mohm @ 7a 、10V | 2.5V @ 1MA | 7.6 NC @ 10 V | ±20V | 460 PF @ 30 V | - | 2W (TA )、15W(TC) | |||||||||||||||||||||||||
RSS130N03FU6TB | - | ![]() | 5713 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | RSS130 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 13a(ta) | 4V 、10V | 8.1mohm @ 13a 、10V | 2.5V @ 1MA | 35 NC @ 5 V | 20V | 2000 PF @ 10 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||||||||||
![]() | QS8M51HZGTR | 0.6000 | ![]() | 9260 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | TSMT8 | - | 1 (無制限) | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6035ENZ4C13 | 7.5100 | ![]() | 600 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | R6035 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-R6035ENZ4C13 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 600 V | 35a(tc) | 10V | 102mohm @ 18.1a 、10V | 4V @ 1MA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 2720 pf @ 25 v | - | 379W (TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | DTB123YCHZGT116 | 0.2400 | ![]() | 327 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | TO-236-3 | DTB123 | 200 MW | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 500 Ma | - | pnp-前バイアス | 300MV @ 2.5MA 、50mA | 56 @ 50MA 、5V | 200 MHz | 2.2 KOHMS | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6007END3TL1 | 2.3500 | ![]() | 8331 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | R6007 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 600 V | 7a(tc) | 10V | 620mohm @ 2.4a 、10V | 4V @ 1MA | 20 NC @ 10 V | ±20V | 390 PF @ 25 V | - | 78W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | SCT3030ARC14 | 51.1200 | ![]() | 201 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-4 | SCT3030 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-4L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 650 V | 70a | 18V | 39mohm @ 27a、18V | 5.6V @ 13.3MA | 104 NC @ 18 V | +22V、-4V | 1526 PF @ 500 V | - | 262W | ||||||||||||||||||||||
![]() | RDN050N20FU6 | - | ![]() | 4676 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | RDN050 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 200 v | 5a(ta) | 10V | 720mohm @ 2.5a 、10V | 4V @ 1MA | 18.6 NC @ 10 V | ±30V | 292 PF @ 10 V | - | 30W (TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4081U3T106R | 0.2300 | ![]() | 74 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | 2SC4081 | 200 MW | UMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 150 Ma | 100na(icbo) | npn | 400mv @ 5ma 、50ma | 120 @ 1MA 、6V | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | R6007ENJTL | 1.9600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-3 | R6007 | モスフェット(金属酸化物) | LPTS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 600 V | 7a(tc) | 10V | 620mohm @ 2.4a 、10V | 4V @ 1MA | 20 NC @ 10 V | ±20V | 390 PF @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||
SH8MC5TB1 | 1.8000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SH8MC5 | モスフェット(金属酸化物) | 2W (TA) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nおよびpチャネル | 60V | 6.5a | 32mohm @ 6.5a | 2.5V @ 1MA | 7.6NC @ 10V 、50NC @ 10V | 460pf @ 30V、2630pf @ 30V | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RCJ220N25TL | 3.0500 | ![]() | 988 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-3 | RCJ220 | モスフェット(金属酸化物) | LPTS | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 250 v | 22a(tc) | 10V | 140mohm @ 11a 、10V | 5V @ 1MA | 60 NC @ 10 V | ±30V | 3200 PF @ 25 V | - | 1.56W (TA)、40W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RSC002P03T316 | 0.3200 | ![]() | 49 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-236-3 | RSC002 | モスフェット(金属酸化物) | SST3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 30 V | 250ma(ta) | 4V 、10V | 1.4OHM @ 250MA 、10V | 2.5V @ 1MA | ±20V | 30 pf @ 10 v | - | 200MW | |||||||||||||||||||||||
![]() | RU1C002ZPTCL | 0.2900 | ![]() | 67 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-85 | RU1C002 | モスフェット(金属酸化物) | umt3f | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 200ma(ta) | 1.2V 、4.5V | 1.2OHM @ 200MA 、4.5V | 1V @ 100µA | 1.4 NC @ 4.5 v | ±10V | 115 pf @ 10 v | - | 150MW |
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