画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SCT3060ARC15 | 14.7600 | ![]() | 3300 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-4 | SCT3060 | sic (シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ) | TO-247-4L | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 846-SCT3060ARC15 | ear99 | 8541.29.0095 | 450 | nチャネル | 650 V | 39a | 18V | 78mohm @ 13a、18V | 5.6V @ 6.67MA | 58 NC @ 18 V | +22V、-4V | 852 PF @ 500 v | - | 165W | |||||||||||||
![]() | SCT3040KRC15 | 27.1400 | ![]() | 2661 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-4 | SCT3040 | sic (シリコンカーバイドジャンクショントランジスタ) | TO-247-4L | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 846-SCT3040KRC15 | ear99 | 8541.29.0095 | 450 | nチャネル | 1200 v | 55a | 18V | 52mohm @ 20a、18V | 5.6V @ 10MA | 107 NC @ 18 V | +22V、-4V | 1337 PF @ 800 V | - | 262W | |||||||||||||
SH8KE6TB1 | 1.7200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | sh8ke6 | モスフェット(金属酸化物) | 1.4W | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル(デュアル) | 100V | 4.5a(ta) | 58mohm @ 4.5a 、10V | 2.5V @ 1MA | 6.7NC @ 10V | 305pf @ 50V | - | ||||||||||||||||
![]() | SCT4062KEHRC11 | 15.5500 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247N | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 846-SCT4062KEHRC11 | ear99 | 8541.29.0095 | 450 | nチャネル | 1200 v | 26a(tc) | 18V | 81mohm @ 12a、18V | 4.8V @ 6.45MA | 64 NC @ 18 V | +21V、-4V | 1498 PF @ 800 v | - | 115W | |||||||||||||
![]() | SCT4045DRHRC15 | 15.2900 | ![]() | 60 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-4 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-4L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-SCT4045DRHRC15 | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | nチャネル | 750 V | 34a(tc) | 18V | 59mohm @ 17a、18V | 4.8V @ 8.89ma | 63 NC @ 18 V | +21V、-4V | 1460 pf @ 500 v | - | 115W | |||||||||||||
![]() | SCT4036KEHRC11 | 23.1200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-3 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247N | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 846-SCT4036KEHRC11 | ear99 | 8541.29.0095 | 450 | nチャネル | 1200 v | 43a(tc) | 18V | 47mohm @ 21a、18V | 4.8V @ 11.1MA | 91 NC @ 18 V | +21V、-4V | 2335 PF @ 800 V | - | 176W | |||||||||||||
![]() | SCT4036KRHRC15 | 23.1200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-4 | sicfet (炭化シリコン) | TO-247-4L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-SCT4036KRHRC15 | ear99 | 8541.29.0095 | 450 | nチャネル | 1200 v | 43a(tc) | 18V | 47mohm @ 21a、18V | 4.8V @ 11.1MA | 91 NC @ 18 V | +21V、-4V | 2335 PF @ 800 V | - | 176W | |||||||||||||
![]() | SCT4062KW7HRTL | 15.5500 | ![]() | 5441 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-8 | sicfet (炭化シリコン) | TO-263-7L | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 1200 v | 24a(tc) | 18V | 81mohm @ 12a、18V | 4.8V @ 6.45MA | 64 NC @ 18 V | +21V、-4V | 1498 PF @ 800 v | - | 93W | ||||||||||||||
![]() | RSR025N05TL | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-96 | RSR025 | モスフェット(金属酸化物) | TSMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 45 v | 2.5a(ta) | 4V 、10V | 100mohm @ 2.5a 、10V | 3V @ 1MA | 3.6 NC @ 5 V | ±20V | 260 PF @ 10 V | - | 700MW | |||||||||||||
![]() | RS6R060BHTB1 | 3.3200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-powertdfn | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSOP | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 150 v | 60a(ta) | 6V 、10V | 21.8mohm @ 60a 、10V | 4V @ 1MA | 46 NC @ 10 V | ±20V | 2750 pf @ 75 v | - | 104W | |||||||||||||||
![]() | rh6g040bgtb1 | 1.7900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-POWERVDFN | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSMT (3.2x3) | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | nチャネル | 40 v | 40a(tc) | 4.5V 、10V | 3.6mohm @ 40a 、10V | 2.5V @ 1MA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 1580 PF @ 20 V | - | 59W (TC) | |||||||||||||||
![]() | DTA143TE3HZGTL | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTA143 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-DTA143TE3HZGTLTR | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 100 @ 1MA 、5V | 250 MHz | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | 2SCR502E3HZGTL | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | 2SCR502 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 30 V | 500 Ma | 200na(icbo) | npn | 300MV @ 10MA、200mA | 200 @ 100MA 、2V | 360MHz | ||||||||||||||||||
![]() | BSS84WT106 | 0.3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | Optimos® | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-70、SOT-323 | モスフェット(金属酸化物) | UMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 60 V | 210ma(ta) | 4.5V 、10V | 5.3OHM @ 210MA 、10V | 2.5V @ 200µA | ±20V | 34 PF @ 30 V | - | 200MW | ||||||||||||||||
![]() | SCT4013DW7TL | 37.7600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 175°C (TJ) | 表面マウント | TO-263-8 | sicfet (炭化シリコン) | TO-263-7L | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 750 V | 98a | 18V | 16.9mohm @ 58a、18V | 4.8V @ 30.8ma | 170 NC @ 18 V | +21V、-4V | 4580 PF @ 500 V | - | 267W | |||||||||||||||
![]() | DTA143EE3HZGTL | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTA143 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 30 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | DTA123JE3HZGTL | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTA123 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 250µA 、5MA | 80 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 2.2 KOHMS | 47 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | DTA123YE3HZGTL | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTA123 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-DTA123YE3HZGTLCT | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na | pnp-前バイアス | 300MV @ 500µA 、10mA | 33 @ 10ma 、5v | 250 MHz | 2.2 KOHMS | 10 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | dta114te3hzgtl | 0.4100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTA114 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-DTA114TE3HZGTLCT | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | pnp-前バイアス | 300MV @ 1MA 、10ma | 100 @ 1MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | DTD543XE3TL | 0.4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTD543 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 846-DTD543XE3TLDKR | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 500 Ma | 500na | npn-バイアス +ダイオード前 | 300MV @ 5MA 、100mA | 140 @ 100MA 、2V | 260 MHz | 4.7 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | DTB543ZE3TL | 0.4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTB543 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 500 Ma | 500na | pnp-バイアス +ダイオード前 | 300MV @ 5MA 、100mA | 140 @ 100MA 、2V | 260 MHz | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||
![]() | Ra1c030ldt5cl | 0.4800 | ![]() | 14 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 3-xfdfn | モスフェット(金属酸化物) | DSN1006-3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 846-RA1C030LDT5CLCT | ear99 | 8541.29.0095 | 15,000 | nチャネル | 20 v | 3a(ta) | 1.8V 、4.5V | 140mohm @ 3a 、4.5V | 1.5V @ 1MA | 1.5 NC @ 4.5 v | +7V、 -0.2V | 150 pf @ 10 V | - | 1W | |||||||||||||||
![]() | RD3G03BBGTL1 | 1.5900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | to-252-3 | モスフェット(金属酸化物) | TO-252 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 40 v | 35a(tc) | 4.5V 、10V | 6.5mohm @ 35a 、10V | 2.5V @ 1MA | 18.2 NC @ 10 V | ±20V | 1170 PF @ 20 V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||||
![]() | DTB543EE3TL | 0.4000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTB543 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | 846-DTB543EE3TLCT | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 500 Ma | 500na | pnp-バイアス +ダイオード前 | 300MV @ 5MA 、100mA | 115 @ 100MA 、2V | 260 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||
![]() | DTD543ZE3TL | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTD543 | 150 MW | EMT3 | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12 v | 500 Ma | 500na | npn-バイアス +ダイオード前 | 300MV @ 5MA 、100mA | 140 @ 100MA 、2V | 260 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||
![]() | RS6L090BGTB1 | 2.3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-powertdfn | モスフェット(金属酸化物) | 8-HSOP | ダウンロード | 1 (無制限) | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 60 V | 90a | 4.5V 、10V | 4.7mohm @ 90a 、10V | 2.5V @ 1MA | 28 NC @ 10 V | ±20V | 1950 pf @ 30 v | - | 3W (TA )、73W(TC) | ||||||||||||||||
![]() | R6055VNXC7G | 8.6000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | R6055VN | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FM | ダウンロード | 1 (無制限) | 846-R6055VNXC7G | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 600 V | 23a(tc) | 10V、15V | 71mohm @ 16a、15V | 6.5V @ 1.5MA | 80 NC @ 10 V | ±30V | 3700 PF @ 100 V | - | 100W (TC) | ||||||||||||||
![]() | RX3G18BBGC16 | 7.6300 | ![]() | 6633 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3 | RX3G18 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220AB | ダウンロード | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 846-RX3G18BBGC16 | ear99 | 8541.29.0095 | 50 | nチャネル | 40 v | 270a(タタ)、 180a(tc) | 4.5V 、10V | 1.47mohm @ 90a 、10V | 2.5V @ 1MA | 210 NC @ 10 V | ±20V | 13200 PF @ 20 V | - | 192W | |||||||||||||
![]() | SCT3080ARHRC15 | 12.2000 | ![]() | 4373 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-4 | SCT3080 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247-4L | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 846-SCT3080ARHRC15 | ear99 | 8541.29.0095 | 450 | nチャネル | 650 V | 30a(tc) | 18V | 104mohm @ 10a、18V | 5.6V @ 5MA | 48 NC @ 18 V | +22V、-4V | 571 PF @ 500 v | - | 134W | |||||||||||||
![]() | SCT3105KRHRC15 | 12.5400 | ![]() | 1715 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | aec-q101 | チューブ | アクティブ | 175°C (TJ) | 穴を通して | TO-247-4 | SCT3105 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247-4L | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 846-SCT3105KRHRC15 | ear99 | 8541.29.0095 | 450 | nチャネル | 1200 v | 24a(tc) | 18V | 137mohm @ 7.6a、18V | 5.6V @ 3.81MA | 51 NC @ 18 V | +22V、-4V | 574 PF @ 800 V | - | 134W |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫