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トランジスタ（ 3592）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移	抵抗 -ベース（r1）	抵抗 -エミッターベース（r2）	ノイズフィギュア（DBタイプ @ f）
SCT3080KRHRC15	15.6500	RFQ	450	Rohm Semiconductor	aec-q101	チューブ	アクティブ	175°C （TJ）	穴を通して	TO-247-4	SCT3080	モスフェット（金属酸化物）		TO-247-4L	ダウンロード		3 （168 時間）	影響を受けていない	846-SCT3080KRHRC15	ear99	8541.29.0095	450		nチャネル		1200 v	31a（tc）	18V	104mohm @ 10a、18V	5.6V @ 5MA	60 NC @ 18 V	+22V、-4V	785 PF @ 800 V	-	165W
RX3P10BBHC16	7.8900	RFQ	7397	Rohm Semiconductor	-	チューブ	アクティブ	150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3	rx3p10	モスフェット（金属酸化物）		TO-220AB	ダウンロード		3 （168 時間）	影響を受けていない	846-RX3P10BBHC16	ear99	8541.29.0095	1,000		nチャネル		100 V	170a	6V 、10V	3.3mohm @ 90a 、10V	4V @ 1MA	135 NC @ 10 V	±20V	8600 PF @ 50 V	-	189w
DTC143TKAT246	-	RFQ	3622	Rohm Semiconductor	DTC143T	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	TO-236-3	DTC143		200 MW	SMT3	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	846-DTC143TKAT246TR			10,000														50 v	100 Ma	500na（icbo）	npn-バイアス化	300MV @ 250µA 、5MA	100 @ 1MA 、5V	250 MHz	4.7 Kohms
2SB1443TV2P	-	RFQ	7848	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	150°C （TJ）	穴を通して	3-sip	2SB1443		1 W	ATV	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	846-2SB1443TV2PTR			2,500														50 v	2 a	100na（icbo）	PNP	500MV @ 200MA 、2a	120 @ 100MA 、2V
2SD1468STPQ	-	RFQ	5982	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	150°C （TJ）	穴を通して	SC-72はリードを形成しました	2SD1468		300 MW	spt	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	846-2SD1468STPQTR			5,000														15 V	1 a	500na	npn	500MV @ 1MA 、10ma	180 @ 2MA 、6V
umf20ntr	-	RFQ	2221	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363	UMF20		150MW	UMT6	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	846-umf20ntr			3,000														50V	100mA、150ma	500na 、100na（icbo）	1 npn 事前にバイアス、 1 npn	300MV @ 500µA、 10MA / 400MV @ 5MA 、50MA	20 @ 20MA 、5V / 180 @ 1MA 、6V	250MHz、180MHz	47kohms	47kohms
umf18ntr	-	RFQ	8517	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363	UMF18		150MW	UMT6	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	846-UMF18NTR			3,000														50V	100mA、150ma	500na 、100na（icbo）	1 npn- バイアス、 1 pnp	300MV @ 500µA、 10MA / 500MV @ 5MA 、50MA	68 @ 5MA 、5V / 180 @ 1MA 、6V	250MHz、140MHz	47kohms	47kohms
umf22ntr	-	RFQ	3171	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	6-TSSOP 、SC-88 、SOT-363	UMF22		150MW	UMT6	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	846-UMF22NTR			3,000														12V 、50V	500MA 、100mA	100na（icbo ）、500na	1 npn 事前にバイアス、 1 npn	250mv @ 10ma 、200ma / 300mv @ 500µa 、10ma	270 @ 10MA 、2V / 30 @ 5MA 、5V	250MHz、320MHz	10kohms	10kohms
MMST918T146	-	RFQ	4207	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	TO-236-3	MMST918		200mw	SMT3	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	846-MMST918T146TR			3,000			15dB											15V	50a		npn		20 @ 3MA、1V	600MHz			6db @ 60MHz
SSTA14T116	-	RFQ	5226	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-	表面マウント	TO-236-3	SSTA14			SST3	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	846-SSTA14T116TR			3,000														30 V	500 Ma	100na（icbo）	-	-	20000 @ 100MA 、5V	125MHz
2SA2199T2LQ	-	RFQ	2290	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	SOT-923F	2SA2199		150 MW	VMN3	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	846-2SA2199T2LQTR			8,000														50 v	100 Ma	100na（icbo）	npn	400mv @ 50ma 、500ma	120 @ 100MA、3V
2SA1579U3T106R	0.1126	RFQ	2157	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	SC-70、SOT-323	2SA1579		200 MW	UMT3	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	846-2SA1579U3T106RTR	ear99	8541.21.0095	3,000														120 v	50 Ma	500na（icbo）	npn	250MV @ 30MA 、1.5a	180 @ 2MA 、6V
dtd143estp	-	RFQ	4676	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		穴を通して	SC-72はリードを形成しました	DTD143		300 MW	spt	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	846-dtd143estptr			5,000														50 v	500 Ma	500na	npn-バイアス +ダイオード前	300MV @ 2.5MA 、50mA	47 @ 50MA 、5V	200 MHz	4.7 Kohms	4.7 Kohms
2SC4620TV2Q	-	RFQ	6906	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	150°C （TJ）	穴を通して	3-sip	2SC4620		1 W	ATV	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	846-2SC4620TV2QTR			2,500														400 V	100 Ma	10µa（icbo）	PNP	500MV @ 1MA 、10ma	180 @ 2MA 、6V
2SC6001TL	-	RFQ	6966	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ				2SC6001				-	ROHS3準拠		影響を受けていない				3,000
2SD2687STP	-	RFQ	1143	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	150°C （TJ）	穴を通して	SC-72はリードを形成しました	2SD2687		400 MW	spt	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	846-2SD2687STPTR			5,000														12 v	5 a	100na（icbo）	npn	500MV @ 1MA 、10ma	180 @ 2MA 、6V
DTB543ZMT2L	-	RFQ	5503	Rohm Semiconductor	DTB543Z	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	SOT-723	DTB543		150 MW	VMT3	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	846-DTB543ZMT2LTR	ear99	8541.21.0075	8,000														12 v	500 Ma	500na	pnp-バイアス +ダイオード前	300MV @ 5MA 、100mA	140 @ 100MA 、2V	260 MHz	4.7 Kohms	47 Kohms
2SA2018E3TL	0.4800	RFQ	3	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	SC-75、SOT-416	2SA2018		150 MW	EMT3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.21.0075	3,000														12 v	500 Ma	100na（icbo）	PNP	250mv @ 10ma 、200ma	270 @ 10ma 、2v	260MHz
DTC143TE3TL	0.3700	RFQ	3	Rohm Semiconductor	DTA123J	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	SC-75、SOT-416	DTC143		150 MW	EMT3	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）			ear99	8541.21.0075	3,000														50 v	100 Ma	500na（icbo）	pnp-バイアス +ダイオード前	300MV @ 250µA 、5MA	80 @ 10ma 、5v	250 MHz	2.2 KOHMS	47 Kohms
DTC123EE3TL	0.3700	RFQ	3	Rohm Semiconductor	DTA123E	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	SC-75、SOT-416	DTC123		150 MW	EMT3	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）			ear99	8541.21.0075	3,000														50 v	100 Ma	500na（icbo）	pnp-バイアス +ダイオード前	300MV @ 500µA 、10mA	68 @ 5MA 、5V	250 MHz	22 Kohms	47 Kohms
RF4P025ATTCR	0.9200	RFQ	2	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	8-powerudfn	RF4P025	モスフェット（金属酸化物）		huml2020l8	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）			ear99	8541.29.0095	3,000		pチャネル		100 V	2.5a（ta）	4.5V 、10V	260mohm @ 2.5a 、10V	2.5V @ 1MA	19.7 NC @ 10 V	±20V	590 PF @ 50 V	-	2W （TA）
DTC114EE3TL	0.3700	RFQ	3	Rohm Semiconductor	DTC123E	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	SC-75、SOT-416	DTC114		150 MW	EMT3	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）			ear99	8541.21.0075	3,000														50 v	100 Ma	500na（icbo）	npn-バイアス +ダイオード前	300MV @ 500µA 、10mA	33 @ 10ma 、5v	250 MHz	2.2 KOHMS	10 Kohms
DTA143EE3TL	0.3700	RFQ	3	Rohm Semiconductor	DTC143Z	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	SC-75、SOT-416	DTA143		150 MW	EMT3	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）			ear99	8541.21.0075	3,000														50 v	100 Ma	500na（icbo）	npn-バイアス +ダイオード前	300MV @ 250µA 、5MA	80 @ 10ma 、5v	250 MHz	4.7 Kohms	47 Kohms
RS3P070ATTB1	2.6400	RFQ	8527	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	RS3P070	モスフェット（金属酸化物）		8ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）			ear99	8541.29.0095	2,500		pチャネル		100 V	7a（ta）	4.5V 、10V	36mohm @ 7a 、10V	2.5V @ 1MA	115 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	2W （TA）
RQ3P045ATTB1	1.6400	RFQ	3	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	8-POWERVDFN	RQ3P045	モスフェット（金属酸化物）		8-HSMT （3.2x3）	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）			ear99	8541.29.0095	3,000		pチャネル		100 V	4.5a	4.5V 、10V	86mohm @ 4.5a 、10V	2.5V @ 1MA	49 NC @ 10 V	±20V	1990 pf @ 50 v	-	2W （TA ）、20W（TC）
DTA124XE3TL	0.3700	RFQ	2	Rohm Semiconductor	DTA143E	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	SC-75、SOT-416	DTA124		150 MW	EMT3	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）			ear99	8541.21.0075	3,000														50 v	100 Ma	500na（icbo）	pnp-バイアス +ダイオード前	300MV @ 500µA 、10mA	30 @ 10ma 、5v	250 MHz	4.7 Kohms	4.7 Kohms
R6004KNXC7G	2.2000	RFQ	1	Rohm Semiconductor	-	チューブ	アクティブ	150°C （TJ）	穴を通して	TO-220-3フルパック	R6004	モスフェット（金属酸化物）		TO-220FM	-	ROHS3準拠	1 （無制限）		846-R6004KNXC7G	ear99	8541.29.0095	50		nチャネル		600 V	4a（ta）	10V	980mohm @ 1.5a 、10V	5V @ 1MA	10.2 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 25 v	-	40W （TC）
Sh8me5tb1	1.9500	RFQ	4706	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	Sh8me5	モスフェット（金属酸化物）	2W （TA）	8ソップ	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）			ear99	8541.29.0095	2,500	-			100V	4.5a（ta）		58mohm @ 4.5a	2.5V @ 1MA	6.7NC @ 10V 、52NC @ 10V		305pf @ 50V、2100pf @ 50V	標準
DTC115EE3TL	0.3700	RFQ	3	Rohm Semiconductor	DTA113E	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		表面マウント	SC-75、SOT-416	DTC115		150 MW	EMT3	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）			ear99	8541.21.0075	3,000														50 v	100 Ma	500na（icbo）	pnp-前バイアス	300MV @ 500µA 、10mA	33 @ 5MA 、5V	250 MHz	1 KOHMS	10 Kohms
2SAR502E3TL	0.3900	RFQ	3	Rohm Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	150°C （TJ）	表面マウント	SC-75、SOT-416	2SAR502		150 MW	EMT3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）			ear99	8541.21.0075	3,000														30 V	500 Ma	200na（icbo）	PNP	400mv @ 10ma 、200ma	200 @ 100MA 、2V	520MHz

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（ 3592）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²