画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 | 抵抗 -ベース(r1) | 抵抗 -エミッターベース(r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DTC143XE3TL | 0.3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTC114Y | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTC143 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | npn-バイアス +ダイオード前 | 300MV @ 250µA 、5MA | 68 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | DTC124EE3TL | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | DTC114E | テープ&リール( tr) | アクティブ | 表面マウント | SC-75、SOT-416 | DTC124 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 Ma | 500na(icbo) | npn-バイアス +ダイオード前 | 300MV @ 500µA 、10mA | 30 @ 5MA 、5V | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||
![]() | TT8U1TR | 0.3152 | ![]() | 4930 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | TT8U1 | モスフェット(金属酸化物) | 8-tsst | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | pチャネル | 20 v | 2.4a(ta) | 1.5V 、4.5V | 105mohm @ 2.4a 、4.5V | 1V @ 1MA | 6.7 NC @ 4.5 v | ±10V | 850 PF @ 10 V | ショットキーダイオード(分離) | 1.25W | ||||||||||||
![]() | EM6J1T2R | 0.4400 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | EM6J1 | モスフェット(金属酸化物) | 150MW | EMT6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 2 P-Channel (デュアル) | 20V | 200mA | 1.2OHM @ 200MA 、4.5V | 1V @ 100µA | 1.4NC @ 4.5V | 115pf @ 10V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||
![]() | RDN080N25FU6 | - | ![]() | 8843 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | RDN080 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 250 v | 8a(ta) | 10V | 500mohm @ 4a 、10V | 4V @ 1MA | 30 NC @ 10 V | ±30V | 543 PF @ 10 V | - | 35W (TC) | ||||||||||||
![]() | RDN150N20FU6 | - | ![]() | 9865 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | バルク | 廃止 | 150°C (TJ) | 穴を通して | TO-220-3フルパック | RDN150 | モスフェット(金属酸化物) | TO-220FN | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 500 | nチャネル | 200 v | 15a(ta) | 10V | 160mohm @ 7.5a 、10V | 4V @ 1MA | 64 NC @ 10 V | ±30V | 1224 PF @ 10 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||
![]() | RT1A050ZPTR | 1.0000 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SMD 、フラットリード | RT1A050 | モスフェット(金属酸化物) | 8-tsst | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 12 v | 5a(ta) | 1.5V 、4.5V | 26mohm @ 5a 、4.5V | 1V @ 1MA | 34 NC @ 4.5 v | ±10V | 2800 pf @ 6 v | - | 600MW | ||||||||||||
![]() | SH8M5TB1 | 1.8500 | ![]() | 163 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SH8M5 | モスフェット(金属酸化物) | 2W | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nおよびpチャネル | 30V | 6a、7a | 30mohm @ 6a 、10V | 2.5V @ 1MA | 7.2NC @ 5V | 520pf @ 10V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||
![]() | 2SAR533PT100 | 0.6200 | ![]() | 200 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 2SAR533 | 2 W | MPT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 50 v | 3 a | 1µa(icbo) | PNP | 400mv @ 50ma、1a | 180 @ 50ma、3V | 300MHz | ||||||||||||||||
![]() | 2SCR514PT100 | 0.5500 | ![]() | 393 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | TO-243AA | 2SCR514 | 2 W | MPT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80 v | 700 Ma | 1µa(icbo) | npn | 300MV @ 15MA、300MA | 120 @ 100MA、3V | 320MHz | ||||||||||||||||
![]() | RRH075P03TB1 | 0.6292 | ![]() | 1796 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | RRH075 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 7.5a(ta) | 4V 、10V | 21mohm @ 7.5a 、10V | 2.5V @ 1MA | 21 NC @ 5 V | ±20V | 1900 pf @ 10 v | - | 650MW | ||||||||||||
![]() | SH8J66TB1 | 2.5500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SH8J66 | モスフェット(金属酸化物) | 2W | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 P-Channel (デュアル) | 30V | 9a | 18.5mohm @ 9a 、10V | 2.5V @ 1MA | 35NC @ 5V | 3000pf @ 10V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||
![]() | SH8K1TB1 | 0.4101 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SH8K1 | モスフェット(金属酸化物) | 2W | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル(デュアル) | 30V | 5a | 51mohm @ 5a 、10V | 2.5V @ 1MA | 5.5NC @ 5V | 230pf @ 10V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||
![]() | SH8K2TB1 | 0.5586 | ![]() | 6554 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SMD 、カモメの翼 | SH8K2 | モスフェット(金属酸化物) | 2W | 8 ソップ(5.0x6.0 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル(デュアル) | 30V | 6a | 30mohm @ 6a 、10V | 2.5V @ 1MA | 10.1NC @ 5V | 520pf @ 10V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||
![]() | SH8K5TB1 | 0.4190 | ![]() | 1361 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SH8K5 | モスフェット(金属酸化物) | 2W | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル(デュアル) | 30V | 3.5a | 83mohm @ 3.5a 、10V | 2.5V @ 1MA | 3.5NC @ 5V | 140pf @ 10V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||
![]() | SH8M41TB1 | 1.6300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SH8M41 | モスフェット(金属酸化物) | 2W | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nおよびpチャネル | 80V | 3.4a 、2.6a | 130mohm @ 3.4a 、10V | 2.5V @ 1MA | 9.2NC @ 5V | 600pf @ 10V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||
![]() | QSZ2TR | 0.5600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-23-5薄い、TSOT-23-5 | QSZ2 | 1.25W | TSMT5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0075 | 3,000 | 30V | 1.5a | 100na(icbo) | npn、pnp (エミッタ結合) | 350mv @ 50ma、1a / 370mv @ 50ma、1a | 270 @ 100MA 、2V | 300MHz 、280MHz | ||||||||||||||||
![]() | Rum002N02T2L | 0.3700 | ![]() | 783 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-723 | Rum002 | モスフェット(金属酸化物) | VMT3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | nチャネル | 20 v | 200ma(ta) | 1.2V 、2.5V | 1.2OHM @ 200MA 、2.5V | 1V @ 1MA | ±8V | 25 pf @ 10 v | - | 150MW | |||||||||||||
RSS125N03FU6TB | - | ![]() | 9211 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | RSS125 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 12.5a(ta) | 4V 、10V | 8.9mohm @ 12.5a 、10V | 2.5V @ 1MA | 28 NC @ 5 V | 20V | 1670 pf @ 10 v | - | 2W (TA) | |||||||||||||
RSS130N03FU6TB | - | ![]() | 5713 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | RSS130 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 13a(ta) | 4V 、10V | 8.1mohm @ 13a 、10V | 2.5V @ 1MA | 35 NC @ 5 V | 20V | 2000 PF @ 10 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||
![]() | RSR020N06TL | 0.2181 | ![]() | 5439 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 150°C (TJ) | 表面マウント | SC-96 | RSR020 | モスフェット(金属酸化物) | TSMT3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 60 V | 2a(ta) | 4V 、10V | 170mohm @ 2a 、10V | 2.5V @ 1MA | 4.9 NC @ 10 V | ±20V | 180 pf @ 10 v | - | 540MW | ||||||||||||
SP8K22FU6TB | - | ![]() | 6739 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SP8K22 | モスフェット(金属酸化物) | 2W | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル(デュアル) | 45V | 4.5a | 46mohm @ 4.5a 、10V | 2.5V @ 1MA | 9.6NC @ 5V | 550pf @ 10V | ロジックレベルゲート | |||||||||||||||
SP8K24FU6TB | - | ![]() | 5207 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SP8K24 | モスフェット(金属酸化物) | 2W | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 nチャンネル(デュアル) | 45V | 6a | 25mohm @ 6a 、10V | 2.5V @ 1MA | 21.6NC @ 5V | 1400pf @ 10V | ロジックレベルゲート | |||||||||||||||
![]() | EM6M2T2R | 0.5300 | ![]() | 120 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | SOT-563、SOT-666 | EM6M2 | モスフェット(金属酸化物) | 150MW | EMT6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | nおよびpチャネル | 20V | 200mA | 1OHM @ 200MA 、4V | 1V @ 1MA | - | 25pf @ 10V | ロジックレベルゲート | ||||||||||||||
SP8M8FU6TB | - | ![]() | 7477 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SP8M8 | モスフェット(金属酸化物) | 2W | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nおよびpチャネル | 30V | 6a 、4.5a | 30mohm @ 6a 、10V | 2.5V @ 1MA | 10.1NC @ 5V | 520pf @ 10V | ロジックレベルゲート | |||||||||||||||
![]() | RZF020P01TL | 0.5700 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 150°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、フラットリード | RZF020 | モスフェット(金属酸化物) | tumt3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | pチャネル | 12 v | 2a(ta) | 1.5V 、4.5V | 105mohm @ 2a 、4.5V | 1V @ 1MA | 6.5 NC @ 4.5 v | ±10V | 770 PF @ 6 V | - | 800MW | ||||||||||||
RSS050P03FU6TB | - | ![]() | 9113 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | RSS050 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 5a(ta) | 4V 、10V | 42mohm @ 5a、10V | 2.5V @ 1MA | 13 NC @ 5 V | ±20V | 1200 pf @ 10 v | - | 2W (TA) | |||||||||||||
RSS065N03FU6TB | - | ![]() | 3042 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | RSS065 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | nチャネル | 30 V | 6.5a(ta) | 4V 、10V | 26mohm @ 6.5a 、10V | 2.5V @ 1MA | 6.1 NC @ 5 V | ±20V | 430 pf @ 10 v | - | 2W (TA) | |||||||||||||
RSS090P03FU6TB | - | ![]() | 9168 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | RSS090 | モスフェット(金属酸化物) | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | pチャネル | 30 V | 9a(ta) | 4V 、10V | 14mohm @ 9a 、10V | 2.5V @ 1MA | 39 NC @ 5 V | ±20V | 4000 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||
SP8J3FU6TB | - | ![]() | 1945年年 | 0.00000000 | Rohm Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 150°C (TJ) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | SP8J3 | モスフェット(金属酸化物) | 2W | 8ソップ | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 P-Channel (デュアル) | 30V | 3.5a | 90mohm @ 3.5a 、10V | 2.5V @ 1MA | 5.5NC @ 5V | 490pf @ 10V | ロジックレベルゲート |
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