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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
jansf2n5151l	98.9702	RFQ	2803	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/545	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3			1 W		to-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														80 v	1 Ma		1ma			PNP	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2.5a 、5V	-
2N5793a	71.0700	RFQ	2043	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N5793		600MW		to-78-6	-			影響を受けていない	150-2N5793A	ear99	8541.21.0095	1														40V	600MA		10µa（icbo）			2 NPN （デュアル）	900MV @ 30MA、300MA	40 @ 150ma 、10V	-
JANSP2N3498	41.5800	RFQ	7176	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-JANSP2N3498			1														100 V	500 Ma		10µa（icbo）			npn	600MV @ 30MA、300MA	40 @ 150ma 、10V	-
jansg2n3439u4	413.4420	RFQ	9659	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			800 MW		U4	-			影響を受けていない	150-Jansg2N3439U4			1														350 V	1 a		2µA			npn	500MV @ 4MA 、50MA	40 @ 20MA 、10V	-
2N1481	25.4429	RFQ	6535	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N1481		1 W		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1														40 v	1.5 a		5µa（icbo）			npn	750mv @ 10ma 、200ma	35 @ 200MA 、4V	-
2C6341	172.3800	RFQ	8085	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-2C6341			1
2C4405	10.5750	RFQ	9601	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-			影響を受けていない	150-2C4405			1
2N3019A	13.0200	RFQ	9879	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3			800 MW		to-5aa	-			影響を受けていない	150-2N3019A	ear99	8541.21.0095	1														80 v	1 a		10na			npn	500MV @ 50MA 、500MA	100 @ 150ma 、10V	-
Jan2N3419	17.0905	RFQ	1444	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/393	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N3419		1 W		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														80 v	3 a		5µA			npn	500MV @ 200MA 、2a	20 @ 1a 、2V	-
2N4307	14.6400	RFQ	9374	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	穴を通して	to-205aa、to-5-3			1 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-2N4307	ear99	8541.29.0095	1														60 V	5 a		-			npn	1V @ 500µA、1MA	-	-
APTM20DAM08TG	124.1913	RFQ	7448	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP4	aptm20	モスフェット（金属酸化物）			SP4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	200 v	208a（tc）	10V	10mohm @ 104a 、10V	5V @ 5MA	280 NC @ 10 V	±30V	14400 PF @ 25 V	-	781W
JANTXV2N3500U4	-	RFQ	3349	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			1 W		U4	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														150 v	300 Ma		50na（icbo）			npn	400MV @ 15MA、150MA	40 @ 150ma 、10V	-
2N2892	255.5700	RFQ	5662	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-11-4 、スタッド			30 W		TO-111	-			影響を受けていない	150-2N2892	ear99	8541.29.0095	1														80 v	5 a		-			npn	750MV @ 200µA、1MA	-	-
APT200GN60JDQ4	47.5500	RFQ	49	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	シャーシマウント	ISOTOP	APT200		682 w	標準	ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	APT200GN60JDQ4MI	ear99	8541.29.0095	1	シングル												トレンチフィールドストップ	600 V	283 a	1.85V @ 15V 、200A	50 µA	いいえ	14.1 nf @ 25 v
2N5386	519.0900	RFQ	3924	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-211MA			50 W		to-61	-			影響を受けていない	150-2N5386	ear99	8541.29.0095	1														80 v	12 a		-			PNP	-	-	-
JANSP2N2219	114.6304	RFQ	7087	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/251	バルク	アクティブ	-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			800 MW		to-39	-			影響を受けていない	150-JANSP2N2219			1														50 v	800 Ma		10na			npn	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
2N5552	63.8100	RFQ	6667	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3			15 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-2N5552	ear99	8541.29.0095	1														80 v	10 a		-			PNP	500MV @ 500µA 、5MA	-	-
2N5686	76.5415	RFQ	5363	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-204aa、to-3	2N5686		300 W		TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	2N5686MS	ear99	8541.29.0095	1														80 v	50 a		500µA			npn	5V @ 10a 、50a	30 @ 5MA 、2V	-
2N1724A	334.7344	RFQ	1751	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-211MA	2N1724		3 W		to-61	-			影響を受けていない	2N1724ams	ear99	8541.29.0095	1														120 v	5 a		100µA			npn	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2a、15V	-
2N2905	20.5086	RFQ	4815	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			800 MW		to-39	-			影響を受けていない	2N2905ms	ear99	8541.21.0095	1														60 V	1 µA		1µA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jantxv2n6051	92.0360	RFQ	5798	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/501	バルク	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	to-3	2N6051		150 W		to-3（to-204aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														80 v	12 a		1ma			pnp-ダーリントン	3V @ 120ma 、12a	1000 @ 6a、3V	-
2N327A	65.1035	RFQ	1702	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ									-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1
2N6987U	59.3712	RFQ	8927	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C	表面マウント	20-CLCC	2N6987		1W		20-clcc （8.89x8.89	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	2N6987UMS	ear99	8541.29.0095	1														60V	600MA		10µa（icbo）			4 PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
janhcb2n5002	49.6622	RFQ	7944	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/534	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	死ぬ			2 W		死ぬ	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														80 v	50 µA		50µA			npn	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2.5a 、5V	-
VP0550N3-G-P013	1.7600	RFQ	7206	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆ボックス（ TB）	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	to-226-3	VP0550	モスフェット（金属酸化物）			to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000		pチャネル	500 V	54MA （TJ）	5V、10V	125OHM @ 10MA 、10V	4.5V @ 1MA		±20V	70 pf @ 25 V	-	1W （TC）
APT12057LFLLG	41.7604	RFQ	5416	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-264-3、TO-264AA	APT12057	モスフェット（金属酸化物）			to-264 [l]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	1200 v	22a（tc）	10V	570mohm @ 11a 、10V	5V @ 2.5MA	185 NC @ 10 V	±30V	5155 PF @ 25 V	-	690W
2N335a	65.1035	RFQ	9046	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ		穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N335				to-5	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
jantxv2n3585	-	RFQ	8903	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/384	バルク	sicで中止されました	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-213AA、to-66-2			2.5 W		to-66（to-213aa	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1														300 V	2 a		5MA			npn	750mv @ 125ma、1a	25 @ 1a 、10V	-
APT9F100B	4.8944	RFQ	8456	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT9F100	モスフェット（金属酸化物）			to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	1000 V	9a（tc）	10V	1.6OHM @ 5A 、10V	5V @ 1MA	80 NC @ 10 V	±30V	2606 PF @ 25 V	-	337W
aptgt35x120t3g	112.9609	RFQ	4812	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP3	aptgt35		208 w	標準	SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	三相インバーター												トレンチフィールドストップ	1200 v	55 a	2.1V @ 15V、35a	250 µA	はい	2.5 nf @ 25 v

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²