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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
jankcbd2n3700	-	RFQ	1335	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/391	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa				500 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-jankcbd2n3700			100															80 v	1 a						10na			npn	500MV @ 50MA 、500MA	100 @ 150ma 、10V	-
Jan2N6308T1	-	RFQ	4345	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	200°C （TJ）	穴を通して	TO-254-3						TO-254	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1															350 V	8 a						-			npn	-	-	-
APT30M19JVR	74.5100	RFQ	5489	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT30M19		モスフェット（金属酸化物）			ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		300 V	130a（tc）	10V	19mohm @ 500ma 、10V	4V @ 5MA	975 NC @ 10 V	±30V	21600 PF @ 25 V	-	700W
jans2N5667S	255.2200	RFQ	2063	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/455	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N5667			1.2 w		to-39	-			影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1															300 V	5 a						200na			npn	1V @ 1a 、5a	25 @ 1a 、5V	-
2N1613A	18.7397	RFQ	8070	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N1613			800 MW		to-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1															30 V	500 Ma						10na （icbo）			npn	1.5V @ 15MA、150ma	40 @ 150ma 、10V	-
APT6030BVRG	12.5200	RFQ	2048	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ		穴を通して	TO-247-3	APT6030		モスフェット（金属酸化物）			to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		600 V	21a（tc）		300mohm @ 10.5a 、10V	4V @ 1MA	150 NC @ 10 V		3750 PF @ 25 V	-
DN3545N3-G	0.9000	RFQ	2	マイクロチップテクノロジー	-	バッグ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3	DN3545		モスフェット（金属酸化物）			to-92（to-226）	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1,000		nチャネル		450 v	136ma（ta）	0V	20OHM @ 150MA 、0V	-		±20V	360 PF @ 25 V	枯渇モード	740MW
APT51M50J	29.3800	RFQ	9975	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT51M50		モスフェット（金属酸化物）			ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		500 V	51a（tc）	10V	75mohm @ 37a 、10V	5V @ 2.5MA	290 NC @ 10 V	±30V	11600 PF @ 25 V	-	480W
JANTX2N3741	21.4662	RFQ	5993	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/441	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-213AA、to-66-2	2N3741			25 W		to-66（to-213aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1															80 v	4 a						10µA			PNP	600mv @ 125ma、1a	30 @ 250ma、1V	-
aptgt300du170g	422.3100	RFQ	2303	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	aptgt300			1660 w	標準	SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	デュアル、共通のソース													トレンチフィールドストップ	1700 v	400 a		2.4V @ 15V 、300A				750 µA	いいえ	26.5 nf @ 25 v
2N3490	547.4100	RFQ	2986	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-211MA				115 W		to-61	-			影響を受けていない	150-2N3490	ear99	8541.29.0095	1															60 V	7 a						-			PNP	-	-	-
2N5785	20.8411	RFQ	7620	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ				2N5785						-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
jantxv2n1715s	-	RFQ	6044	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	175°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶						to-39	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1															100 V	750 Ma						-			npn	-	-	-
2N6324	753.1524	RFQ	4903	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-	スタッドマウント	TO-211MB				350 W		to-63	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1															200 v	30 a						-			PNP	-	-	-
2N4231	27.4645	RFQ	2744	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ				2N4231						-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
2N6316	27.4645	RFQ	8795	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-213AA、to-66-2	2N6316			90 w		to-66（to-213aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1															80 v	7 a						500µA			npn	2V @ 1.75a 、7a	35 @ 500MA 、4V	-
JANTX2N4261	-	RFQ	5581	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/511	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-72-3金属缶	2N4261			200 MW		to-72	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1															15 V	30 Ma						10µa（icbo）			PNP	350MV @ 1MA 、10MA	30 @ 10ma、1V	-
2N4070	74.8500	RFQ	3484	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3				65 W		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N4070	ear99	8541.29.0095	1															100 V	10 a						-			npn	-	-	-
2N5321	8.2061	RFQ	6275	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ				2N5321						-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
JAN2N3506AU4	-	RFQ	1298	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/349	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				1 W		U4	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1															40 v	1 µA						1µA			npn	1.5V @ 250MA 、2.5a	50 @ 500MA、1V	-
2N335	65.1035	RFQ	6536	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ		穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N335					to-5	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
MSCSM120AM08T3AG	395.6500	RFQ	6291	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM120		炭化シリコン（原文）	1.409KW		-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM120AM08T3AG	ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（位相レッグ）			1200V（1.2kv）	337a（tc）		7.8mohm @ 160a 、20V	2.8V @ 12MA	928NC @ 20V		12100pf @ 1000V	-
JANTX2N3762L	-	RFQ	4245	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/396	バルク	アクティブ	-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-205aa、to-5-3				1 W		to-5	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1															40 v	1.5 a						100µa（icbo）			PNP	900mv @ 100ma、1a	40 @ 500MA、1V	-
Jan2N5680	24.0198	RFQ	3395	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/582	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N5680			1 W		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1															120 v	1 a						10µA			PNP	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 250ma 、2V	-
JANSP2N2906AUA	152.8908	RFQ	5490	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C	表面マウント	4-SMD 、リードなし				500 MW		ua	-			影響を受けていない	150-JANSP2N2906AUA			1															60 V	600 Ma						50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
APTC60HM35T3G	144.4600	RFQ	9096	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP3	APTC60		モスフェット（金属酸化物）	416W		SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル（ハーフブリッジ）			600V	72a		35mohm @ 72a 、10V	3.9V @ 5.4ma	518NC @ 10V		14000pf @ 25V	-
Jan2N7370	-	RFQ	8615	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/624	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-254-3	2N7370			100 W		TO-254AA	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1															100 V	12 a						1ma			npn-ダーリントン	3V @ 120ma 、12a	1000 @ 6a、3V	-
JANTX2N5794A	120.3406	RFQ	8492	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/495	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N5794			600MW		to-78-6	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1															40V	600MA						10µa（icbo）			2 NPN （デュアル）	900MV @ 30MA、300MA	100 @ 150ma 、10V	-
APT50GT120B2RDQ2G	17.8400	RFQ	6478	マイクロチップテクノロジー	Thunderboltigbt®	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT50GT120	標準		625 w			ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			800V 、50A 、4.7OHM、15V											npt	1200 v	94 a	150 a	3.7V @ 15V 、50a	2330µJ	340 NC	24ns/230ns
JANTXV2N3500U4	-	RFQ	3349	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				1 W		U4	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1															150 v	300 Ma						50na（icbo）			npn	400MV @ 15MA、150MA	40 @ 150ma 、10V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²