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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	テスト条件	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
TN2540N8-G	1.6700	RFQ	2080	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-243AA	TN2540			モスフェット（金属酸化物）			TO-243AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000		nチャネル						400 V	260ma	4.5V 、10V	12OHM @ 500MA 、10V	2V @ 1MA		±20V	125 pf @ 25 v	-	1.6W
jantxv2n5794u/tr	146.3798	RFQ	4455	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/495	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N5794				600MW		u	-			影響を受けていない	150-jantxv2n5794u/tr			100																				40V	600MA							10µa（icbo）			2 NPN （デュアル）	900MV @ 30MA、300MA	100 @ 150ma 、10V	-
2N5052	27.1187	RFQ	3740	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					2N5052							-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
APT35GP120BG	15.7000	RFQ	1418	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT35GP120	標準			543 w		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1				600V、35a															pt	1200 v	96 a	140 a	3.9V @ 15V、35a	750µj（680µj （オフ）	150 NC	16ns/94ns
1214GN-50EQP-TS	-	RFQ	8503	マイクロチップテクノロジー	e	バルク	アクティブ	150 v			-			1.2GHz1.4GHz	-			-	ダウンロード			影響を受けていない	150-1214GN-50EQP-TS	ear99	8541.29.0095	1	-		-		20 ma	58W	15.9db											-									50 v
2N2907Aub	6.2300	RFQ	1	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N2907				500 MW		ub	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	2N2907AUBMS	ear99	8541.21.0095	1																				60 V	600 Ma							50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jantxv2n3716	63.2814	RFQ	5679	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/408	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3					5 W		to-3	-			影響を受けていない	jantxv2n3716ms	ear99	8541.29.0095	1																				80 v	1 Ma							1ma			npn	2.5V @ 2a 、10a	50 @ 1a 、2V	-
jan2n3764l	-	RFQ	6929	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ												-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1
aptgf75dsk120tg	-	RFQ	1094	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	廃止		-	シャーシマウント	SP4					500 W	標準	SP4	ダウンロード		1 （無制限）		APTGF75DSK120TGMP-ND	ear99	8541.29.0095	1	デュアル、共通のソース																		npt	1200 v	100 a		3.7V @ 15V 、75a					250 µA	はい	5.1 nf @ 25 v
jansm2n2906aub/tr	148.3710	RFQ	1217	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N2906				500 MW		ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-JANSM2N2906AUB/TR	ear99	8541.21.0095	1																				60 V	600 Ma							50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
MSR2N222222AUB/TR	61.8317	RFQ	6496	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし					500 MW		ub	-			影響を受けていない	150-MSR2N222222AUB/TR			100																				50 v	800 Ma							50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
2N657AL	40.3950	RFQ	2738	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ												-			影響を受けていない	150-2N657AL			1
JANTX2N2060	71.1151	RFQ	3422	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/270	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N2060				600MW		to-78-6	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				60V	500mA							10µa（icbo）			2 NPN （デュアル）	300mv @ 5ma 、50ma	50 @ 10ma 、5v	-
jansd2n3498l	41.5800	RFQ	9909	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3					1 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-jansd2n3498l			1																				100 V	500 Ma							10µa（icbo）			npn	600MV @ 30MA、300MA	40 @ 150ma 、10V	-
MSCSM170AM23CT1AG	261.9100	RFQ	13	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM170			炭化シリコン（原文）	602W		-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM170AM23CT1AG	ear99	8541.29.0095	1	2 n チャネル（位相レッグ）							1700V（1.7kV）	124a（tc）		22.5mohm @ 60a 、20V	3.2V @ 5MA	356NC @ 20V		6600PF @ 1000V	-
APTCV60HM45RT3G	103.2008	RFQ	9671	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP3	APTCV60				250 W	単相ブリッジ整流器	SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	フルブリッジインバーター																		トレンチフィールドストップ	600 V	50 a		1.9V @ 15V 、50a					250 µA	はい	3.15 nf @ 25 v
JANTX2N6284	50.1400	RFQ	174	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/504	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3	2N6284				175 w		to-204aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				100 V	20 a							1ma			npn-ダーリントン	3V @ 200MA 、20a	1250 @ 10a 、3V	-
jansd2n2369aubc	252.5510	RFQ	1882年年	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし					360 MW		UBC	-			影響を受けていない	150-Jansd2N2369Aubc			1																				15 V								400na			npn	450mv @ 10ma 、100ma	20 @ 100MA、1V	-
Jan2N3055	47.4810	RFQ	7722	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/407	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-3	2N3055				6 W		to-3（to-204aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				70 v	15 a							1ma			npn	2V @ 3.3a 、10a	20 @ 4a 、4V	-
VP0106N3-G	1.0600	RFQ	229	マイクロチップテクノロジー	-	バッグ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3	VP0106			モスフェット（金属酸化物）			to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1,000		pチャネル						60 V	250ma	5V、10V	8OHM @ 500MA 、10V	3.5V @ 1MA		±20V	60 pf @ 25 v	-	1W （TC）
2N5684	112.2387	RFQ	1708	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3	2N5684				300 W		TO-204AD（to-3）	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない	2N5684ms	ear99	8541.29.0095	1																				80 v	50 a							5µA			npn	5V @ 10a 、50a	30 @ 5a 、2V	-
JANTX2N5152L	14.8295	RFQ	4928	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/544	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N5152				1 W		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				80 v	2 a							50µA			npn	1.5V @ 500MA 、5a	30 @ 2.5a 、5V	-
JANTX2N5416	11.0922	RFQ	3708	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/485	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N5416				750 MW		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																				300 V	1 a							1ma			PNP	2V @ 5MA 、50mA	30 @ 50ma 、10V	-
jantxv2n1717s	-	RFQ	3463	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		175°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶							to-39	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1																				100 V	750 Ma							-			npn	-	-	-
APT37F50B	6.8300	RFQ	4394	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT37F50			モスフェット（金属酸化物）			to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						500 V	37a（tc）	10V	150mohm @ 18a 、10V	5V @ 1MA	145 NC @ 10 V	±30V	5710 PF @ 25 V	-	520W
2N5955	44.9673	RFQ	4162	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	TO-213AA、to-66-2					40 W		to-66（to-213aa	-			影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				60 V	6 a							-			PNP	-	-	-
jantxv2n5302	211.5600	RFQ	3746	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/456	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3					5 W		to-3	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																				60 V	10 µA							10µA			npn		15 @ 15a 、2V	-
Jan2N706	-	RFQ	3623	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ			-	-							-	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
aptm20um04Sag	284.9220	RFQ	8694	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	aptm20			モスフェット（金属酸化物）			SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						200 v	417a（tc）	10V	5mohm @ 208.5a 、10V	5V @ 10MA	560 NC @ 10 V	±30V	28800 PF @ 25 V	-	1560W
jansf2n3810u/tr	342.8508	RFQ	1171	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/336	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	6-SMD 、リードなし	2N3810				350MW		u	-			影響を受けていない	150-jansf2n3810u/tr			50																				60V	50ma							10µa（icbo）			2 PNP （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²