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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	テスト条件	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	逆回復時間（ trr）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
jankcaf2n2369a	-	RFQ	7387	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C	穴を通して	to-206aa	2N2369A			360 MW		TO-18	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jankcaf2n2369a	ear99	8541.21.0095	1																15 V							400na			npn	450mv @ 10ma 、100ma	20 @ 100MA、1V	-
JANTXV2N3741U4	-	RFQ	5927	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/441	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				25 W		U4	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																80 v	10 µA						10µA			PNP	600mv @ 1.25ma、1a	30 @ 250ma、1V	-
JANTX2N3724	-	RFQ	9156	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶						to-39	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1																30 V							-			npn	-	-	-
APTGT150A120T3AG	153.7800	RFQ	4655	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP3	aptgt150			833 w	標準	SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	ハーフブリッジ														トレンチフィールドストップ	1200 v	220 a		2.1V @ 15V 、150a				250 µA	はい	10.7 nf @ 25 v
aptm20um04Sag	284.9220	RFQ	8694	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	aptm20		モスフェット（金属酸化物）			SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル		200 v	417a（tc）	10V	5mohm @ 208.5a 、10V	5V @ 10MA	560 NC @ 10 V	±30V	28800 PF @ 25 V	-	1560W
JANTX2N2219	-	RFQ	3328	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/251	バルク	sicで中止されました	-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N2219			800 MW		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																30 V	800 Ma						10na			npn	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
APTGF300U120DG	-	RFQ	6131	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	廃止	-	シャーシマウント	SP6				1780 w	標準	SP6	ダウンロード		1 （無制限）			ear99	8541.29.0095	1	シングル														npt	1200 v	400 a		3.9V @ 15V 、300A				500 µA	いいえ	21 nf @ 25 v
APT50GN60BDQ3G	10.6000	RFQ	177	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜175°C	穴を通して	TO-247-3	apt50gn60	標準		366 W		TO-247-3	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	150-apt50gn60bdq3g	ear99	8541.29.0095	1			400V 、50A 、4.3OHM、15V											35 ns	トレンチフィールドストップ	600 V	107 a	150 a	1.85V @ 15V 、50a	1.185MJ （オン）、1.565MJ	325 NC	20NS/230NS
APT33GF120BRG	9.2100	RFQ	3376	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT33GF120	標準		297 w		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			-												npt	1200 v	52 a	104 a	3.2V @ 15V 、25a	2.8MJ	170 NC	25ns/210ns
jantxv2n2907aua/tr	30.0314	RFQ	7214	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N2907			500 MW		ua	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantxv2n2907aua/tr	ear99	8541.21.0095	1																60 V	600 Ma						50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
Jan2N2920U	43.0920	RFQ	3504	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/355	バルク	アクティブ	200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N2920			350MW		3-SMD	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																60V	30ma						10µa（icbo）			2 NPN （デュアル）	300MV @ 100µA、1MA	300 @ 1MA 、5V	-
APTGF90H60T3G	-	RFQ	6592	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	廃止	-	シャーシマウント	SP3				416 w	標準	SP3	ダウンロード		1 （無制限）			ear99	8541.29.0095	1	フルブリッジインバーター														npt	600 V	120 a		2.45V @ 15V 、100A				250 µA	はい	4.4 nf @ 25 v
jans2n6193u3	-	RFQ	7131	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	sicで中止されました		-	-						-	-	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
MSCSM70TLM10C3AG	384.2800	RFQ	14	マイクロチップテクノロジー	-	箱	アクティブ	-40°C〜175°C	穴を通して	モジュール	MSCSM70		炭化シリコン（原文）	690W		モジュール	-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル			700V	241a（tc）		9.5mohm @ 80a 、20V	2.4V @ 8MA（タイプ）	430NC @ 20V		9000pf @ 700V	-
2N4911	19.9101	RFQ	1976年年	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ				2N4911						-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
APTM50HM75FT3G	129.0600	RFQ	5938	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP3	APTM50		モスフェット（金属酸化物）	357W		SP3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル（ハーフブリッジ）			500V	46a		90mohm @ 23a 、10V	5V @ 2.5MA	123NC @ 10V		5600PF @ 25V	-
MSCSM120HRM08NG	682.5700	RFQ	3128	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール			炭化シリコン（原文）	1.253KW		-	-				150-MSCSM120HRM08NG			1	4 nチャネル（3 レベルインバーター）			1200V（1.2kV）、700V	317a		7.8mohm @ 160a	2.8V @ 12MA 、2.4V @ 8MA	928NC @ 20V 、430NC @ 20V		12100PF @ 1000V、9000PF @ 700V	炭化シリコン（原文）
2N720A	7.3682	RFQ	8632	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa	2N720			500 MW		TO-18（to-206aa	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	2n720ams	ear99	8541.21.0095	1																80 v	500 Ma						10µa（icbo）			npn	5V @ 15MA、150MA	40 @ 150ma 、10V	-
jansh2n222222aubc/tr	306.0120	RFQ	6769	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW		UBC	-			影響を受けていない	150-Jansh2N22222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222			50																50 v	800 Ma						50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jantxv2n3418s	20.6948	RFQ	7119	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/393	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶	2N3418			1 W		to-39	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																60 V	3 a						5µA			npn	500MV @ 200MA 、2a	20 @ 1a 、2V	-
jantxv2n3440l	-	RFQ	7131	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/368	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N3440			800 MW		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																250 v	1 a						2µA			npn	500MV @ 4MA 、50MA	40 @ 20MA 、10V	-
2N657A	40.3950	RFQ	8745	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ										-			影響を受けていない	150-2N657A			1
JANTX2N6298	-	RFQ	9866	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/540	バルク	sicで中止されました	-65°C〜175°C	穴を通して	TO-213AA、to-66-2				64 W			ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																60 V	8 a						500µA			pnp-ダーリントン	2V @ 80ma 、8a	750 @ 4a、3V	-
APT15GT120BRDQ1G	4.7082	RFQ	9163	マイクロチップテクノロジー	Thunderboltigbt®	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT15GT120	標準		250 W		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1			800V、15a												npt	1200 v	36 a	45 a	3.6V @ 15V、15a	585µj（on 260µj （オフ）	105 NC	10ns/85ns
JANTX2N3636	11.3449	RFQ	1222	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				1 W		to-39	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																175 v	10 µA						10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50ma 、10V	-
MS2N5662	-	RFQ	4630	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/454	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3				1 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-MS2N5662			100																200 v	2 a						200na			npn	800mv @ 400ma 、2a	40 @ 500MA 、5V	-
2N2222a	2.9000	RFQ	9937	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa	2N2222			500 MW		TO-18	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																50 v	800 Ma						50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
APTM50H15FT1G	65.0300	RFQ	4513	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP1	APTM50		モスフェット（金属酸化物）	208W		SP1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル（ハーフブリッジ）			500V	25a		180mohm @ 21a 、10V	5V @ 1MA	170NC @ 10V		5448PF @ 25V	-
jantxv2n2604	-	RFQ	3831	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/354	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206ab、to-46-3金属缶	2N2604			400 MW		to-46（to-206ab	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																60 V	30 Ma						10na			PNP	300MV @ 500µA 、10mA	60 @ 500µA 、5V	-
APT75GN120JDQ3	36.1000	RFQ	1729	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	シャーシマウント	ISOTOP	APT75GN120			379 W	標準	ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	10	シングル														トレンチフィールドストップ	1200 v	124 a		2.1V @ 15V 、75a				200 µA	いいえ	4.8 nf @ 25 v

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²