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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	入力タイプ	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	テスト条件	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	逆回復時間（ trr）	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターパルス（ icm）	vce（on max） @ vge	エネルギーの切り替え	ゲートチャージ	TD （オン/オフ） @ 25°C	電圧 -テスト	電圧 -破壊（ V	現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0）	電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	抵抗-RDS （オン）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
APT75GN60SDQ2G	10.6800	RFQ	33	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜175°C	表面マウント	TO-268-3	APT75GN60	標準			536 w		d3pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	150-apt75gn60sdq2g	ear99	8541.29.0095	30				400V 、75a、1OHM、15V															25 ns	トレンチフィールドストップ	600 V	155 a	225 a	1.85V @ 15V 、75a	2.5MJ （オン）、2.14MJ	485 NC	47ns/385ns
2N706	88.9371	RFQ	8529	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					2N706							-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
JANKCBM2N2221A	-	RFQ	7054	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa					500 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-jankcbm2n2n2n2221a			100																					50 v	800 Ma										50NA				npn	1V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
DN3525N8-G	0.8800	RFQ	5888	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-243AA	DN3525			モスフェット（金属酸化物）			TO-243AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000		nチャネル						250 v	360ma	0V	6OHM @ 200MA 、0V	-		±20V	350 PF @ 25 V	枯渇モード	1.6W
SG2824J-883B	-	RFQ	8838	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜125°C	穴を通して	18-cdip （0.300 "、7.62mm）	SG2824				-		18カーディップ	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-SG2824J-883B	ear99	8541.29.0095	21																					95V	500mA										-				8 npnダーリントン	1.6V @ 500µA、350MA	-	-
APT200GT60JR	46.9800	RFQ	2473	マイクロチップテクノロジー	Thunderboltigbt®	トレイ	アクティブ		-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT200				500 W	標準	SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル																			npt	600 V	195 a		2.5V @ 15V 、200A								25 µA	いいえ	8.65 NF @ 25 V
VN10KN3-G-P002	0.7200	RFQ	3	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	to-226-3	vn10kn3			モスフェット（金属酸化物）			to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000		nチャネル						60 V	310ma	5V、10V	5OHM @ 500MA 、10V	2.5V @ 1MA		±30V	60 pf @ 25 v	-	1W （TC）
2N6322	311.4600	RFQ	3086	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-204aa、to-3					350 W		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N6322	ear99	8541.29.0095	1																					200 v	30 a										-				npn	-	-	-
Vp3203n8-g	2.0000	RFQ	2598	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-243AA	Vp3203			モスフェット（金属酸化物）			TO-243AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000		pチャネル						30 V	1.1a（tj）	4.5V 、10V	600mohm @ 1.5a 、10V	3.5V @ 10MA		±20V	300 pf @ 25 V	-	1.6W
mscglq50x065ctyzbnmg	-	RFQ	1202	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール					210 W	三相ブリッジ整流器	-	ダウンロード	ROHS3準拠						1	ブレーキ付きの3相インバーター																			-	650 V	70 a		2.3V @ 15V 、50a								50 µA	はい	3100 PF @ 25 V
APT4F120S	4.9000	RFQ	150	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ		-	表面マウント	TO-268-3	APT4F120			モスフェット（金属酸化物）			d3pak	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない	150-apt4f120S	ear99	8541.29.0095	30		nチャネル						1200 v	4a（tc）	10V	4.2OHM @ 2A 、10V	5V @ 500µA	43 NC @ 10 V	±30V	1385 PF @ 25 V	-	175W
TP0604N3-G	1.7300	RFQ	786	マイクロチップテクノロジー	-	バッグ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3	TP0604			モスフェット（金属酸化物）			to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1,000		pチャネル						40 v	430MA （TJ）	5V、10V	2OHM @ 1A 、10V	2.4V @ 1MA		±20V	150 pf @ 20 v	-	740MW
aptgt150h120g	310.9100	RFQ	6411	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	aptgt150				690 w	標準	SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	フルブリッジインバーター																			トレンチフィールドストップ	1200 v	220 a		2.1V @ 15V 、150a								350 µA	いいえ	10.7 nf @ 25 v
APTGT150DU120G	202.7917	RFQ	4499	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	シャーシマウント	SP6	aptgt150				690 w	標準	SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	デュアル、共通のソース																			トレンチフィールドストップ	1200 v	220 a		2.1V @ 15V 、150a								350 µA	いいえ	10.7 nf @ 25 v
TN2106N3-G	0.6800	RFQ	2	マイクロチップテクノロジー	-	バッグ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3	TN2106			モスフェット（金属酸化物）			to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1,000		nチャネル						60 V	300MA （TJ）	4.5V 、10V	2.5OHM @ 500MA 、10V	2V @ 1MA		±20V	50 pf @ 25 V	-	740MW
aptgt100da60t1g	48.0105	RFQ	3428	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP1	aptgt100				340 w	標準	SP1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル																			トレンチフィールドストップ	600 V	150 a		1.9V @ 15V 、100A								250 µA	はい	6.1 nf @ 25 v
2N6190	17.5500	RFQ	9584	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	to-205aa、to-5-3					10 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-2N6190	ear99	8541.29.0095	1																					80 v	5 a										-				PNP	-	-	-
MSCSM70TAM10CTPAG	792.4750	RFQ	4584	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM70			炭化シリコン（原文）	674W		SP6-P	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM70TAM10CTPAG	ear99	8541.29.0095	1	6 N-Channel（3 フェーズブリッジ）							700V	238a（tc）		9.5mohm @ 80a 、20V	2.4V @ 8MA	430NC @ 20V		9000pf @ 700V	-
APTGF50VDA60T3G	-	RFQ	6636	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	廃止		-	シャーシマウント	SP3					250 W	標準	SP3	ダウンロード		1 （無制限）			ear99	8541.29.0095	1	デュアルブーストチョッパー																			npt	600 V	65 a		2.45V @ 15V 、50a								250 µA	はい	2.2 nf @ 25 v
2N5116UB/TR	52.7212	RFQ	8360	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし					500 MW		ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-2N5116UB/TR	ear99	8541.21.0095	1		pチャネル						30 V							27pf @ 15V														30 V	25 ma @ 15 v	4 V @ 1 Na				175オーム
APT12040JVR	110.4800	RFQ	63	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT12040			モスフェット（金属酸化物）			SOT-227	-		1 （無制限）	影響を受けていない	150-apt12040jvr	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						1200 v	26a（tc）	10V	400mohm @ 13a 、10V	4V @ 5MA	1200 NC @ 10 V	±30V	18000 pf @ 25 v	-	700W
MNS2N3810UP/TR	50.3102	RFQ	9455	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/336	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-78-6金属缶	2N3810				350MW		to-78-6	-			影響を受けていない	150-MNS2N3810UP/TR	ear99	8541.21.0095	1																					60V	50ma										10µa（icbo）				2 PNP （デュアル）	250MV @ 100µA、1MA	150 @ 1MA 、5V	-
APT12060LVFRG	33.9300	RFQ	1779	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ			穴を通して	TO-264-3、TO-264AA	APT12060			モスフェット（金属酸化物）			to-264 [l]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	Q7684702	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル						1200 v	20a（tc）		600mohm @ 10a 、10V	4V @ 1MA	650 NC @ 10 V		9500 PF @ 25 V	-
2N5602	43.0350	RFQ	9415	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-213AA、to-66-2					20 W		to-66（to-213aa	-			影響を受けていない	150-2N5602	ear99	8541.29.0095	1																					80 v	2 a										-				PNP	850MV @ 200µA、1MA	-	-
mscsm70xm75ctyzbnmg	-	RFQ	2650	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール				炭化シリコン（原文）	90W		-	ダウンロード	ROHS3準拠						1	6 N-Channel（3 フェーズブリッジ）							700V	31a （TC）、52a		75mohm @ 20a、20v	2.4V @ 1MA 、2.7V @ 2MA	56NC @ 20V 、99NC @ 20V		1175pf @ 700V、2010pf @ 700V	炭化シリコン（原文）
2N2484UB	14.0581	RFQ	6984	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N2484				360 MW		ub	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																					60 V	50 Ma										2NA				npn	300MV @ 100µA、1MA	225 @ 10MA 、5V	-
2N2946AUB/TR	25.2567	RFQ	2664	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし					400 MW		ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-2N2946AUB/TR	ear99	8541.21.0095	1																					35 v	100 Ma										10µa（icbo）				PNP	-	50 @ 1MA 、500mv	-
APT34F60S/TR	15.0600	RFQ	5448	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-268-3	APT34F60			モスフェット（金属酸化物）			d3pak	ダウンロード			影響を受けていない	150-apt34f60s/tr	ear99	8541.29.0095	400		nチャネル						600 V	36a（tc）	10V	190mohm @ 17a 、10V	5V @ 1MA	165 NC @ 10 V	±30V	6640 PF @ 25 V	-	624W
jansl2n2221aub/tr	161.2350	RFQ	3616	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ												-				150-jansl2n2221aub/tr			50
ICPB1005-1-110I	-	RFQ	2728	マイクロチップテクノロジー	-	箱	アクティブ	28 v		表面マウント	死ぬ			14GHz	ガン・ヘムト			死ぬ	ダウンロード	ROHS3準拠						1	-		2a		250 Ma	25W	6.4db											-										28 v

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²