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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
APTC60AM35T1G	78.2600	RFQ	7399	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP1	APTC60		モスフェット（金属酸化物）	416W		SP1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（ハーフブリッジ）						600V	72a		35mohm @ 72a 、10V	3.9V @ 5.4ma	518NC @ 10V		14000pf @ 25V	-
jantx2n2605ub/tr	-	RFQ	8633	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/354	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N2605			400 MW		ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx2n2605ub/tr	ear99	8541.21.0095	1																			60 V	30 Ma			10na			PNP	300MV @ 500µA 、10mA	150 @ 500µa 、5V	-
jansl2N5154	95.9904	RFQ	6884	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/544	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-Jansl2N5154			1																			80 v	2 a			50µA			npn	1.5V @ 500MA 、5a	70 @ 2.5a 、5V	-
APT40M70JVR	43.9500	RFQ	5663	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT40		モスフェット（金属酸化物）			SOT-227	-		1 （無制限）	影響を受けていない	150-apt40m70jvr	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					400 V	53a（tc）	10V	70mohm @ 26.5a 、10V	4V @ 2.5MA	495 NC @ 10 V	±30V	8890 PF @ 25 V	-	450W
APT9M100S/TR	6.9400	RFQ	400	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-268-3	APT9M100		モスフェット（金属酸化物）			d3pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-apt9m100s/tr	ear99	8541.29.0095	400		nチャネル					1000 V	9a（tc）	10V	1.4OHM @ 5A 、10V	5V @ 1MA	80 NC @ 10 V	±30V	2605 PF @ 25 V	-	335W
JANTX2N4235L	40.5517	RFQ	9866	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-JANTX2N4235L			1																			60 V	1 a			1ma			PNP	600MV @ 100MA、1A	40 @ 100MA、1V	-
2C5682	9.6300	RFQ	2220	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ											-			影響を受けていない	150-2C5682			1
APT100M50J	51.2000	RFQ	4982	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT100		モスフェット（金属酸化物）			SOT-227	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					500 V	103a（tc）	10V	38mohm @ 75a 、10V	5V @ 5MA	620 NC @ 10 V	±30V	24600 PF @ 25 V	-	960W
2N6436	59.3579	RFQ	8474	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ					2N6436						-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
jantxv2n5686	450.4500	RFQ	1	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/464	バルク	sicで中止されました		-55°C〜200°C （TJ	穴を通して	to-204ae				300 W		to-3	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			80 v	50 a			500µA			npn	5V @ 10a 、50a	15 @ 25a 、2V	-
MSCMC90AM12C3AG	-	RFQ	4091	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-	シャーシマウント	モジュール	MSCMC90		炭化シリコン（原文）	-		SP3F	ダウンロード			影響を受けていない	150-MSCMC90AM12C3AG	ear99	8541.29.0095	1	-						900V	110a（tc）		-	-	-		-	-
2N5881	41.7354	RFQ	2279	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ					2N5881			160 W			-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			60 V	15 a						npn
APTGF50DH60T1G	-	RFQ	7115	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	廃止		-	シャーシマウント	SP1				250 W	標準	SP1	ダウンロード		1 （無制限）			ear99	8541.29.0095	1	非対称ブリッジ																	npt	600 V	65 a	2.45V @ 15V 、50a		250 µA	はい	2.2 nf @ 25 v
jansh2n2219a	248.3916	RFQ	8040	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-55°C〜200°C	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				800 MW		to-39	-			影響を受けていない	150-jansh2n2219a			1																			50 v	800 Ma			10na			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jansp2n3501ub	94.3500	RFQ	4380	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ											-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-JANSP2N3501UB			1
APT1201R5BVRG	35.8600	RFQ	2045	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-	穴を通して	TO-247-3	APT1201		モスフェット（金属酸化物）			TO-247-3	-		1 （無制限）	影響を受けていない	150-apt1201r5bvrg	ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					1200 v	10a（tc）	10V	1.5OHM @ 5A 、10V	4V @ 1MA	28 NC @ 10 V	-	4440 PF @ 25 V	-	-
jantxv2n2946aub/tr	-	RFQ	8707	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/382	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				400 MW		ub	-				150-jantxv2n2946aub/tr			1																			35 v	100 Ma			10µa（icbo）			PNP	-	50 @ 1MA 、500mv	-
1214GN-120E	-	RFQ	6415	マイクロチップテクノロジー	e	バルク	アクティブ	125 v		表面マウント	55-qq		1.2GHz1.4GHz	hemt			55-qq	ダウンロード			影響を受けていない	150-1214GN-20E	ear99	8541.29.0095	1			-	30 Ma	130W	17.16db											-					50 v
2N2916	40.7850	RFQ	8178	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-99-6金属缶	2N291			300MW		to-99-6	-			影響を受けていない	150-2N2916	ear99	8541.21.0095	1																			45V	30ma			2NA			2 PNP （デュアル）	350MV @ 100µA、1MA	300 @ 1MA 、5V	-
APT56M60L	15.8800	RFQ	1958年年	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-264-3、TO-264AA	APT56M60		モスフェット（金属酸化物）			TO-264	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					600 V	60a（tc）	10V	130mohm @ 28a 、10V	5V @ 2.5MA	280 NC @ 10 V	±30V	11300 PF @ 25 V	-	1040W
jansl2n2907aub/tr	101.4500	RFQ	5703	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N2907			500 MW		ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jansl2n2907aub/tr	ear99	8541.21.0095	1																			60 V	600 Ma			50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
Jan2N5663	-	RFQ	7941	マイクロチップテクノロジー	mil-prf-19500/454	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N5663			1 W		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			300 V	2 a			200na			npn	800mv @ 400ma 、2a	25 @ 500MA 、5V	-
aptgt75h60t1g	76.3500	RFQ	2339	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	SP1	aptgt75			250 W	標準	SP1	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	フルブリッジインバーター																	トレンチフィールドストップ	600 V	100 a	1.9V @ 15V 、75a		250 µA	はい	4.62 NF @ 25 V
APTGT100DU170TG	162.4900	RFQ	6559	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP4	aptgt100			560 w	標準	SP4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	デュアル、共通のソース																	トレンチフィールドストップ	1700 v	150 a	2.4V @ 15V 、100A		250 µA	はい	9 nf @ 25 v
aptgt150a120tg	164.7213	RFQ	9795	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	シャーシマウント	SP4	aptgt150			690 w	標準	SP4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	ハーフブリッジ																	トレンチフィールドストップ	1200 v	220 a	2.1V @ 15V 、150a		250 µA	はい	10.7 nf @ 25 v
APTGT150DH170G	283.2220	RFQ	2098	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	シャーシマウント	SP6	aptgt150			890 w	標準	SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	非対称ブリッジ																	トレンチフィールドストップ	1700 v	250 a	2.4V @ 15V 、150a		350 µA	いいえ	13.5 nf @ 25 v
APTGT200DU120G	235.4600	RFQ	6658	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	aptgt200			890 w	標準	SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	デュアル、共通のソース																	トレンチフィールドストップ	1200 v	280 a	2.1V @ 15V 、200A		350 µA	いいえ	14 nf @ 25 v
aptgt300da170g	269.2320	RFQ	5664	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	aptgt300			1660 w	標準	SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	シングル																	トレンチフィールドストップ	1700 v	400 a	2.4V @ 15V 、300A		750 µA	いいえ	26.5 nf @ 25 v
aptgt50dh120tg	112.3700	RFQ	9726	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP4	aptgt50			277 W	標準	SP4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	非対称ブリッジ																	トレンチフィールドストップ	1200 v	75 a	2.1V @ 15V 、50a		250 µA	はい	3.6 nf @ 25 v
aptgt50h170tg	210.4000	RFQ	2528	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP4	aptgt50			312 w	標準	SP4	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	フルブリッジインバーター																	トレンチフィールドストップ	1700 v	75 a	2.4V @ 15V 、50a		250 µA	はい	4.4 nf @ 25 v

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²