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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	パワー -マックス	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	現在 -コレクターカットオフ（最大）	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
APT5010LVRG	18.4400	RFQ	5483	マイクロチップテクノロジー	PowerMosv®	チューブ	アクティブ		穴を通して	TO-264-3、TO-264AA	APT5010	モスフェット（金属酸化物）		to-264 [l]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	500 V	47a（tc）		100mohm @ 500ma 、10V	4V @ 2.5MA	470 NC @ 10 V		8900 PF @ 25 V	-
TN0620N3-G-P002	1.7300	RFQ	4149	マイクロチップテクノロジー	-	カットテープ（CT）	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-226-3	TN0620	モスフェット（金属酸化物）		to-92-3	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000		nチャネル	200 v	250ma	5V、10V	6OHM @ 500MA 、10V	1.6V @ 1MA		±20V	150 PF @ 25 V	-	1W （TC）
APT38F80L	18.1000	RFQ	10	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-264-3、TO-264AA	APT38F80	モスフェット（金属酸化物）		to-264 [l]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	800 V	41a（tc）	10V	240mohm @ 20a 、10V	5V @ 2.5MA	260 NC @ 10 V	±30V	8070 PF @ 25 V	-	1040W
APT23F60B	6.0100	RFQ	5952	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT23F60	モスフェット（金属酸化物）		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	600 V	24a（tc）	10V	290mohm @ 11a 、10V	5V @ 1MA	110 NC @ 10 V	±30V	4415 PF @ 25 V	-	415W
2N2907AE3	3.8836	RFQ	7957	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa	2N2907		500 MW	TO-18	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-2N2907AE3	ear99	8541.21.0095	1													60 V	600 Ma	50NA	PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
2N1711	25.1237	RFQ	6365	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3			800 MW	to-5	-			影響を受けていない	2N1711ms	ear99	8541.21.0095	1													50 v	500 Ma	10na （icbo）	npn	1.5V @ 15MA、150ma	100 @ 150ma 、10V	-
jantxv2n3421p	23.8735	RFQ	6000	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/393	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3			1 W	to-5aa	-			影響を受けていない	150-jantxv2n3421p			1													80 v	3 a	5µA	npn	500MV @ 200MA 、2a	40 @ 1a 、2V	-
jansl2n2906al	99.9500	RFQ	7560	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C	穴を通して	to-206aa			500 MW	TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-jansl2n2906al			1													60 V	600 Ma	50NA	PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	40 @ 150ma 、10V	-
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MVR2N222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222	159.2276	RFQ	3768	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし			650 MW	ua	-			影響を受けていない	150-MVR2N22222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222チ			100													50 v	800 Ma	50NA	npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
apt30m36lllg	28.9400	RFQ	2757	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ		穴を通して	TO-264-3、TO-264AA	APT30M36	モスフェット（金属酸化物）		to-264 [l]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	300 V	84a（tc）		36mohm @ 42a 、10V	5V @ 2.5MA	115 NC @ 10 V		6480 PF @ 25 V	-
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jan2n3499ub/tr	20.6150	RFQ	2170	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/366	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			1 W	ub	-			影響を受けていない	150-jan2n3499ub/tr	ear99	8541.29.0095	100													100 V	500 Ma	10µa（icbo）	npn	600MV @ 30MA、300MA	100 @ 150ma 、10V	-
2N2369AUA	-	RFQ	9666	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	sicで中止されました	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD			360 MW	SMD	ダウンロード	ROHS非準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1													15 V		400na	npn	450mv @ 10ma 、100ma	20 @ 100MA、1V	-
jans2n5415ua/tr	-	RFQ	1548	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-	-				-	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-Jans2N5415UA/TR			1
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jans2n3636ub/tr	-	RFQ	2581	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/357	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし			1 W	ub	-				150-jans2n3636ub/tr			1													175 v	1 a	10µA	PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50ma 、10V	-
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apt8011jll	92.3900	RFQ	10	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ		シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT8011	モスフェット（金属酸化物）		ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	800 V	51a（tc）		110mohm @ 25.5a 、10V	5V @ 5MA	650 NC @ 10 V		9480 PF @ 25 V	-
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jans2n2906aub/tr	73.1250	RFQ	3944	マイクロチップテクノロジー	MIL-PRF-19500/291	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-65°C〜200°C	表面マウント	3-SMD 、リードなし			500 MW	ub	-				150-Jans2N2906Aub/tr			50													60 V	600 Ma	50NA	PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	40 @ 500MA 、10V	-
40348	98.3269	RFQ	8814	マイクロチップテクノロジー	*	バルク	アクティブ								-			影響を受けていない	150-40348			1
jantxv2n930ub	-	RFQ	1418	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/253	バルク	アクティブ	200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N930			ub	-	ROHS非準拠		影響を受けていない			0000.00.0000	1													45 v	30 Ma	-	npn	-	-	-
APT1201R4BFLLG	23.3300	RFQ	6540	マイクロチップテクノロジー	PowerMos7®	チューブ	アクティブ	-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3	APT1201	モスフェット（金属酸化物）		to-247 [b]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル	1200 v	9a（tc）	10V	1.5OHM @ 4.5A 、10V	5V @ 1MA	75 NC @ 10 V	±30V	2030 PF @ 25 V	-	300W （TC）
jankcal2n3635	-	RFQ	4815	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶			1 W	to-39	-			影響を受けていない	150-jankcal2n3635			100													140 v	1 a	10µA	PNP	600mv @ 5ma 、50ma	100 @ 50ma 、10V	-
2N5147	19.4400	RFQ	1223	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3			7 W	to-5aa	-			影響を受けていない	150-2N5147	ear99	8541.29.0095	1													80 v	2 a	-	PNP	-	-	-

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²