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トランジスタ（5714）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 電圧 -定格 | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | 頻度 | テクノロジー | パワー -マックス | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | 現在の評価（ amp） | テスト条件 | 現在 -テスト | 電力 -出力 | 得 | 電源（ VDSS ）への排水 | 電流 -連続排水（ID @ @ 25°C | rds on max） @ id vgs | vgs | ゲートチャージ（ QG | ciss ）（ max @ vds | フェット機能 | ノイズ図 | 逆回復時間（ trr） | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解（最大） | 現在 -コレクター（IC ）（最大） | 現在 -コレクターパルス（ icm） | vce（on max） @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD （オン/オフ） @ 25°C | 電圧 -テスト | 電圧 -破壊（ V | 現在の - ドレイン（IDSS @ vds（vgs = 0） | 電圧-Cutoff（ VGSオフ） @ id | 現在 -コレクターカットオフ（最大） | 抵抗-RDS （オン） | トランジスタタイプ | vce 飽和（max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1214GN-700V | - |  | 8142 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | 150 v | 表面マウント | 55-Q03 | 960MHz〜1.215GHz | hemt | 55-Q03 | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-1214GN-700V | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 100 Ma | 750W | 16.5dB | - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | jansf2n2221a | 100.3204 | | 9575 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/255 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C （TJ） | 穴を通して | to-206aa | 500 MW | TO-18（to-206aa | - | 影響を受けていない | 150-jansf2n2221a | 1 | 50 v | 800 Ma | 50NA | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 40 @ 150ma 、10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM100A13DG | 280.3700 | | 6924 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C （TJ | シャーシマウント | SP6 | APTM100 | モスフェット（金属酸化物） | 1250W | SP6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 nチャンネル（ハーフブリッジ） | 1000V（1kv） | 65a | 156mohm @ 32.5a 、10V | 5V @ 6MA | 562NC @ 10V | 15200pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
| jans2n2221ua/tr | 104.4106 | | 1069 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 影響を受けていない | 150-jans2n2221ua/tr | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSCSM70AM025T6LIAG | 724.8700 | | 2121 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | MSCSM70 | 炭化シリコン（原文） | 1.882KW | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 150-MSCSM70AM025T6LIAG | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n チャネル（位相レッグ） | 700V | 689a | 3.2mohm @ 240a 、20V | 2.4V @ 24MA | 1290NC @ 20V | 27000pf @ 700V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | MSCSM120TAM31CT3AG | 383.5900 | | 2975 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | MSCSM120 | 炭化シリコン（原文） | 395W | SP3F | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-MSCSM120TAM31CT3AG | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 N-Channel（3 フェーズブリッジ） | 1200V（1.2kv） | 89a（tc） | 31mohm @ 40a 、20V | 2.8V @ 1MA | 232NC @ 20V | 3020pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSCSM120AM027CD3AG | 1.0000 | | 1 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | 箱 | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | MSCSM120 | 炭化シリコン（原文） | 2.97KW | D3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 150-MSCSM120AM027CD3AG | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n チャネル（位相レッグ） | 1200V（1.2kv） | 733a（tc） | 3.5mohm @ 360a 、20V | 2.8V @ 9MA | 2088NC @ 20V | 27000pf @1000V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | MSCC60VRM99CT3AG | 151.8200 | | 4297 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | - | シャーシマウント | モジュール | MSCC60 | - | - | SP3F | ダウンロード | 影響を受けていない | 150-MSCC60VRM99CT3AG | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 600V | 19a（tc） | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT50GT120LRG | 17.5400 | | 29 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | Thunderboltigbt® | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-264-3、TO-264AA | APT50GT120 | 標準 | 625 w | TO-264 | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 150-apt50gt120lrg | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 800V 、50A 、4.7OHM、15V | npt | 1200 v | 50 a | 150 a | 3.7V @ 15V 、50a | -、2.33mj （オフ） | 340 NC | 24ns/230ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | APT35GN120SG | 9.5700 | | 68 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-268-3 | APT35GN120 | 標準 | 379 W | d3pak | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 150-apt35gn120sg | ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 800V、35a | npt 、トレンチフィールドストップ | 1200 v | 94 a | 105 a | 2.1V @ 15V、35a | -、2.315MJ （オフ） | 220 NC | 24ns/300ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CMTDGF90H603G | - | | 9135 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | トレイ | 廃止 | - | 150-CMTDGF90H603G | 廃止 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MQ2N2609 | 76.0760 | | 7230 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C （TJ） | 穴を通して | to-206aa | 300 MW | TO-18（to-206aa | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-MQ2N2609 | 1 | pチャネル | 30 V | 10pf @ 5V | 30 V | 2 mA @ 5 v | 750 mV @ 1 µa | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4393UB/TR | 28.2359 | | 6827 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-2N4393UB/TR | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MV2N4392UB/TR | 78.0577 | | 5780 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-MV2N4392UB/TR | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MV2N4860UB/TR | 80.6379 | | 6106 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-MV2N4860UB/TR | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX2N4858UB/TR | 68.9206 | | 5163 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-MX2N4858UB/TR | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4857UB/TR | 86.9554 | | 9296 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -65°C〜200°C （TJ） | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 2N4857 | 360 MW | - | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-2N4857UB/TR | 1 | nチャネル | 40 v | 18pf @ 10V | 40 v | 100 mA @ 15 V | 6 V @ 500 PA | 40オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | jantx2n3810u/tr | 34.6864 | | 6609 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/336 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -65°C〜200°C （TJ） | 穴を通して | to-78-6金属缶 | 2N3810 | 350MW | to-78-6 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jantx2n3810u/tr | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60V | 50ma | 10µa（icbo） | 2 PNP （デュアル） | 250MV @ 100µA、1MA | 150 @ 1MA 、5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | JANKCB2N3439 | 22.6366 | | 2595 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/368 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -55°C〜200°C （TJ | 穴を通して | to-205ad、to-39-3金属缶 | 800 MW | to-39 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jankcb2n3439 | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 350 V | 1 a | 2µA | npn | 500MV @ 4MA 、50MA | 40 @ 20MA 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N4091UB/TR | 47.8135 | | 5732 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -65°C〜175°C | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 360 MW | 3-ub（3.09x2.45） | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-2N4091UB/TR | 1 | nチャネル | 40 v | 16pf @ 20V | 40 v | 30 mA @ 20 v | 30オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| jan2n3500u4/tr | - | | 8059 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/366 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -65°C〜200°C （TJ） | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 1 W | U4 | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-JAN2N3500U4/TR | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 150 v | 300 Ma | 50na（icbo） | npn | 400MV @ 15MA、150MA | 40 @ 150ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSCSM120VR1M16CT3AG | 291.1100 | | 4228 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | MSCSM120 | 炭化シリコン（原文） | 745W | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 150-MSCSM120VR1M16CT3AG | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n チャネル（位相レッグ） | 1200V（1.2kv） | 173a | 16mohm @ 80a 、20V | 2.8V @ 6MA | 464NC @ 20V | 6040pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MSCSM120VR1M062CT6AG | 802.6400 | | 3944 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | MSCSM120 | 炭化シリコン（原文） | 1.753KW | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 150-MSCSM120VR1M062CT6AG | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n チャネル（位相レッグ） | 1200V（1.2kv） | 420A（TC） | 6.2mohm @ 200a 、20V | 2.8V @ 15ma | 1160NC @ 20V | 15100pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MSCSM120AM31T1AG | 108.4700 | | 3616 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | MSCSM120 | 炭化シリコン（原文） | 395W | - | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 150-MSCSM120AM31T1AG | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n チャネル（位相レッグ） | 1200V（1.2kv） | 89a（tc） | 31mohm @ 40a 、20V | 2.8V @ 3MA | 232NC @ 20V | 3020pf @ 1000V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| APT36GA60SD15 | 7.9300 | | 1865年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMos8® | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-268-3 | APT36GA60 | 標準 | 290 w | d3pak | ダウンロード | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 150-apt36Ga60SD15 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V 、20a 、10ohm15V | 19 ns | pt | 600 V | 65 a | 109 a | 2.5V @ 15V 、20a | 307µj（オン）、254µj（オフ） | 102 NC | 16ns/122ns | |||||||||||||||||||||||||||||
| APTM120A20DG | 309.5600 | | 9790 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C （TJ | シャーシマウント | SP6 | APTM120 | モスフェット（金属酸化物） | 1250W | SP6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 nチャンネル（ハーフブリッジ） | 1200V（1.2kv） | 50a | 240mohm @ 25a 、10V | 5V @ 6MA | 600NC @ 10V | 15200pf @ 25V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MSCSM170TLM11CAG | 903.7800 | | 4 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | MSCSM170 | 炭化シリコン（原文） | 1114W | SP6C | - | ROHS3準拠 | 1 （無制限） | 影響を受けていない | 150-MSCSM170TLM11CAG | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 nチャネル（3 レベルインバーター） | 1700V（1.7kV） | 238a（tc） | 11.3mohm @ 120a 、20V | 3.2V @ 10MA | 712NC @ 20V | 13200PF @ 1000V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MQ2N4857UB/TR | 80.9305 | | 8102 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -65°C〜200°C （TJ） | 穴を通して | to-206aa | 360 MW | TO-18（to-206aa | - | 影響を受けていない | 150-MQ2N4857UB/TR | 500 | nチャネル | 40 v | 18pf @ 10V | 40 v | 20 ma @ 15 v | 2 V @ 500 PA | 40オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MV2N4861UB | 80.4916 | | 4100 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/385 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C （TJ） | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 360 MW | ub | - | 影響を受けていない | 150-MV2N4861UB | 1 | nチャネル | 30 V | 18pf @ 10V | 30 V | 8 ma @ 15 v | 800 mV @ 500 Pa | 60オーム | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MQ2N5116UB | 75.6238 | | 3039 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C （TJ） | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 500 MW | ub | - | 影響を受けていない | 150-MQ2N5116UB | 1 | pチャネル | 30 V | 27pf @ 15V | 30 V | 5 ma @ 15 v | 1 V @ 1 Na | 175オーム |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
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