SIC
close
画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ テクノロジー パワー -マックス 入力 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 構成 フェットタイプ テスト条件 電源( VDSS )への排水 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C ドライブ電圧(最大rds onmin rds on rds on max) @ id vgs vgs ゲートチャージ( QG VGS (最大) ciss )( max @ vds フェット機能 電力散逸(最大) IGBTタイプ 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) 現在 -コレクター(IC )(最大) 現在 -コレクターパルス( icm) vce(on max) @ vge エネルギーの切り替え ゲートチャージ TD (オン/オフ) @ 25°C 電圧 -破壊( V 現在の - ドレイン(IDSS @ vds(vgs = 0) 電圧-Cutoff( VGSオフ) @ id 現在 -コレクターカットオフ(最大) NTCサーミスタ 入力容量( cies @ vce 抵抗-RDS (オン) トランジスタタイプ vce 飽和(max @ ib、ic DC電流ゲイン 頻度 -遷移
MX2N4861UB Microchip Technology MX2N4861UB 68.7743
RFQ
ECAD 6263 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/385 バルク アクティブ -65°C〜200°C (TJ) 表面マウント 3-SMD 、リードなし 360 MW ub - 影響を受けていない 150-MX2N4861UB 1 nチャネル 30 V 18pf @ 10V 30 V 8 ma @ 15 v 800 mV @ 500 Pa 60オーム
JAN2N930UB/TR Microchip Technology jan2n930ub/tr -
RFQ
ECAD 6058 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ 200°C (TJ) 表面マウント 3-SMD 、リードなし ub - 150-jan2n930ub/tr 1 45 v 30 Ma - npn - - -
LND01K1-G Microchip Technology LND01K1-G 0.5600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - テープ&リール( tr) アクティブ -25°C〜125°C 表面マウント SC-74A 、SOT-753 LND01 モスフェット(金属酸化物) SOT-23-5 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.21.0095 3,000 nチャネル 9 v 330MA (TJ) 0V 1.4OHM @ 100MA 、0V - +0.6V、-12V 46 pf @ 5 v 枯渇モード 360MW
APTML100U60R020T1AG Microchip Technology APTML100U60R020T1AG 138.1500
RFQ
ECAD 12 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント SP1 APTML100 モスフェット(金属酸化物) SP1 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 1000 V 20a(tc) 10V 720mohm @ 10a 、10v 4V @ 2.5MA ±30V 6000 PF @ 25 V - 520W
APT54GA60B Microchip Technology APT54GA60B 6.3900
RFQ
ECAD 7303 0.00000000 マイクロチップテクノロジー Power Mos 8™ チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 APT54GA60 標準 416 w to-247 [b] ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 400V、32a pt 600 V 96 a 161 a 2.5V @ 15V、32a 534µj (466µj (オフ) 158 NC 17ns/112ns
APT8015JVFR Microchip Technology APT8015JVFR 85.1500
RFQ
ECAD 8642 0.00000000 マイクロチップテクノロジー PowerMosv® チューブ アクティブ シャーシマウント SOT-227-4、ミニブロック APT8015 モスフェット(金属酸化物) ISOTOP® ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 800 V 44a(tc) 150mohm @ 500ma 、10V 4V @ 5MA 285 NC @ 10 V 17650 PF @ 25 V -
2N5290 Microchip Technology 2N5290 519.0900
RFQ
ECAD 9932 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ - スタッドマウント TO-211MA 116 W to-61 - 影響を受けていない 150-2N5290 ear99 8541.29.0095 1 100 V 10 a - PNP - - -
APTGLQ75H120T3G Microchip Technology aptglq75h120t3g 125.0600
RFQ
ECAD 2190 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜175°C 穴を通して SP1 aptglq75 385 W 標準 SP1 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 フルブリッジ トレンチフィールドストップ 1200 v 130 a 2.4V @ 15V 、75a 50 µA はい 4.4 nf @ 25 v
JANSR2N2222AUA/TR Microchip Technology Jansr2N222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 152.2210
RFQ
ECAD 4124 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/255 テープ&リール( tr) アクティブ -65°C〜200°C (TJ) 表面マウント 4-SMD 、リードなし 650 MW ua - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-JANSR2N22222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 ear99 8541.21.0095 1 50 v 800 Ma 50NA npn 1V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V -
APT35GN120L2DQ2G Microchip Technology APT35GN120L2DQ2G 10.7800
RFQ
ECAD 8917 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-264-3、TO-264AA APT35GN120 標準 379 W ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 800V、35a npt 、トレンチフィールドストップ 1200 v 94 a 105 a 2.1V @ 15V、35a 2.315MJ (オフ) 220 NC 24ns/300ns
VN0300L-G Microchip Technology VN0300L-G 1.4300
RFQ
ECAD 1915年年 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バッグ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-226-3 VN0300 モスフェット(金属酸化物) to-92-3 - ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1,000 nチャネル 30 V 640ma 5V、10V 1.2OHM @ 1A 、10V 2.5V @ 1MA ±30V 190 pf @ 20 v - 1W (TC)
CMLRGLQ80V601AMXG-AS Microchip Technology CMLRGLQ80V601AMXG-AS -
RFQ
ECAD 8426 0.00000000 マイクロチップテクノロジー * トレイ 廃止 - 150-cmlrglq80v601amxg-as 廃止 1
APT1201R4BLLG Microchip Technology APT1201R4BLLG 13.2600
RFQ
ECAD 15 0.00000000 マイクロチップテクノロジー PowerMos7® チューブ アクティブ -55°C〜150°C 穴を通して TO-247-3 APT1201 モスフェット(金属酸化物) TO-247-3 - 1 (無制限) 影響を受けていない 150-apt1201r4bllg ear99 8541.29.0095 1 nチャネル 1200 v 9a(tc) 10V 1.4OHM @ 4.5A 、10V 5V @ 1MA 120 NC @ 10 V ±30V 2500 PF @ 25 V - 300W (TC)
APTM10HM19FT3G Microchip Technology APTM10HM19FT3G 89.0600
RFQ
ECAD 9756 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C (TJ シャーシマウント SP3 APTM10 モスフェット(金属酸化物) 208W SP3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 4 nチャネル(ハーフブリッジ) 100V 70a 21mohm @ 35a 、10V 4V @ 1MA 200NC @ 10V 5100pf @ 25V -
APTGL60DDA120T3G Microchip Technology aptgl60dda120t3g 75.0300
RFQ
ECAD 7940 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜175°C シャーシマウント SP3 aptgl60 280 W 標準 SP3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 デュアルブーストチョッパー トレンチフィールドストップ 1200 v 80 a 2.25V @ 15V 、50a 250 µA はい 2.77 NF @ 25 V
APTGF150H120G Microchip Technology APTGF150H120G -
RFQ
ECAD 4696 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク 廃止 - シャーシマウント SP6 961 w 標準 SP6 ダウンロード 1 (無制限) APTGF150H120GMP-ND ear99 8541.29.0095 1 フルブリッジインバーター npt 1200 v 200 a 3.7V @ 15V 、150a 350 µA いいえ 10.2 nf @ 25 v
2N6308T1 Microchip Technology 2N6308T1 349.2000
RFQ
ECAD 8294 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -65°C〜200°C 穴を通して to-204aa、to-3 125 w TO-204AD(to-3) - 影響を受けていない 150-2N6308T1 ear99 8541.29.0095 1 350 V 8 a 50µA npn 5V @ 2.67a 、8a 12 @ 3a 、5V -
JANTX2N2946AUB/TR Microchip Technology jantx2n2946aub/tr -
RFQ
ECAD 9158 0.00000000 マイクロチップテクノロジー MIL-PRF-19500/382 テープ&リール( tr) アクティブ -65°C〜200°C (TJ) 表面マウント 3-SMD 、リードなし 400 MW ub - 150-jantx2n2946aub/tr 1 35 v 100 Ma 10µa(icbo) PNP - 50 @ 1MA 、500mv -
APT100GT120JU3 Microchip Technology APT100GT120JU3 38.3400
RFQ
ECAD 5932 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -55°C〜150°C シャーシマウント ISOTOP APT100 480 w 標準 SOT-227 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 シングル トレンチフィールドストップ 1200 v 140 a 2.1V @ 15V 、100A 5 Ma いいえ 7.2 nf @ 25 v
APTGT75TDU120PG Microchip Technology aptgt75tdu120pg 244.2520
RFQ
ECAD 8010 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ - シャーシマウント SP6 aptgt75 350 W 標準 SP6-P ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 トリプル、デュアル -共通のソース トレンチフィールドストップ 1200 v 100 a 2.1V @ 15V 、75a 250 µA いいえ 5.34 NF @ 25 V
APTCV60TLM45T3G Microchip Technology APTCV60TLM45T3G 109.2700
RFQ
ECAD 6183 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜175°C シャーシマウント SP3 APTCV60 250 W 標準 SP3 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 3レベルインバーター-igbt 、FET トレンチフィールドストップ 600 V 100 a 1.9V @ 15V 、75a 250 µA はい 4.62 NF @ 25 V
APTGT100A120T3AG Microchip Technology APTGT100A120T3AG 121.1400
RFQ
ECAD 1960年 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜150°C (TJ 穴を通して SP3 aptgt100 595 w 標準 SP3 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 ハーフブリッジ トレンチフィールドストップ 1200 v 140 a 2.1V @ 15V 、100A 250 µA はい 7.2 nf @ 25 v
APTGLQ200HR120G Microchip Technology aptglq200hr120g 242.7600
RFQ
ECAD 1085 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜175°C 穴を通して SP6 aptglq200 1000 w 標準 SP6 ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 トレンチフィールドストップ 1200 v 300 a 2.4V @ 15V 、160a 200 µA いいえ 9.2 nf @ 25 v
APT25GR120SD15 Microchip Technology APT25GR120SD15 8.0200
RFQ
ECAD 1937年年 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - チューブ アクティブ -55°C〜150°C 表面マウント TO-268-3 APT25GR120 標準 521 w d3pak ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 600V 、25A 、4.3OHM、15V npt 1200 v 75 a 100 a 3.2V @ 15V 、25a 742µj (427µj(オフ) 203 NC 16ns/122ns
JANSP2N2221AUBC Microchip Technology JANSP2N2221AUBC 231.8416
RFQ
ECAD 5285 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/255 バルク アクティブ -65°C〜200°C (TJ) 表面マウント 3-SMD 、リードなし 500 MW UBC - 影響を受けていない 150-JANSP2N2221AUBC 1 50 v 800 Ma 50NA npn 1V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V -
APTGLQ100DA120T1G Microchip Technology aptglq100da120t1g 58.8400
RFQ
ECAD 6540 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -40°C〜175°C シャーシマウント モジュール aptglq100 520 W 標準 SP1 ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない ear99 8541.29.0095 1 ブーストチョッパー トレンチフィールドストップ 1200 v 170 a 2.42V @ 15V 、100A 50 µA はい 6.15 nf @ 25 v
JANSF2N2221AUBC Microchip Technology jansf2n2221aubc 238.4918
RFQ
ECAD 4229 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/255 バルク アクティブ -65°C〜200°C (TJ) 表面マウント 3-SMD 、リードなし 500 MW UBC - 影響を受けていない 150-jansf2n2221aubc 1 50 v 800 Ma 50NA npn 1V @ 50ma 、500ma 100 @ 150ma 、10V -
JAN2N2484UA/TR Microchip Technology jan2n2484ua/tr 16.3191
RFQ
ECAD 1581 0.00000000 マイクロチップテクノロジー 軍事、MIL-PRF-19500/376 テープ&リール( tr) アクティブ -65°C〜200°C (TJ) 表面マウント 4-SMD 、リードなし 2N2484 360 MW ua - ROHS3準拠 影響を受けていない 150-jan2n2484ua/tr ear99 8541.21.0095 1 60 V 50 Ma 2NA npn 300MV @ 100µA、1MA 225 @ 10MA 、5V -
2N3016 Microchip Technology 2N3016 31.9050
RFQ
ECAD 2797 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -65°C〜200°C (TJ) 穴を通して to-205aa、to-5-3 5 W to-5aa - 影響を受けていない 150-2N3016 ear99 8541.29.0095 1 50 v - npn - - -
2N5330 Microchip Technology 2N5330 519.0900
RFQ
ECAD 5710 0.00000000 マイクロチップテクノロジー - バルク アクティブ -65°C〜200°C (TJ) スタッドマウント TO-211MA 140 w to-61 - 影響を受けていない 150-2N5330 ear99 8541.29.0095 1 90 v 20 a - PNP 1.8V @ 2MA 、10mA - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫