画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | 入力タイプ | テクノロジー | パワー -マックス | 入力 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 構成 | フェットタイプ | テスト条件 | 電源( VDSS )への排水 | 電流 -連続排水(ID @ @ 25°C | ドライブ電圧(最大rds onmin rds on | rds on max) @ id vgs | vgs | ゲートチャージ( QG | VGS (最大) | ciss )( max @ vds | フェット機能 | 電力散逸(最大) | IGBTタイプ | 電圧 -コレクターエミッタの分解(最大) | 現在 -コレクター(IC )(最大) | 現在 -コレクターパルス( icm) | vce(on max) @ vge | エネルギーの切り替え | ゲートチャージ | TD (オン/オフ) @ 25°C | 電圧 -破壊( V | 現在の - ドレイン(IDSS @ vds(vgs = 0) | 電圧-Cutoff( VGSオフ) @ id | 現在 -コレクターカットオフ(最大) | NTCサーミスタ | 入力容量( cies @ vce | 抵抗-RDS (オン) | トランジスタタイプ | vce 飽和(max @ ib、ic | DC電流ゲイン | 頻度 -遷移 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MX2N4861UB | 68.7743 | ![]() | 6263 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/385 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 360 MW | ub | - | 影響を受けていない | 150-MX2N4861UB | 1 | nチャネル | 30 V | 18pf @ 10V | 30 V | 8 ma @ 15 v | 800 mV @ 500 Pa | 60オーム | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jan2n930ub/tr | - | ![]() | 6058 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | ub | - | 150-jan2n930ub/tr | 1 | 45 v | 30 Ma | - | npn | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LND01K1-G | 0.5600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -25°C〜125°C | 表面マウント | SC-74A 、SOT-753 | LND01 | モスフェット(金属酸化物) | SOT-23-5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | nチャネル | 9 v | 330MA (TJ) | 0V | 1.4OHM @ 100MA 、0V | - | +0.6V、-12V | 46 pf @ 5 v | 枯渇モード | 360MW | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTML100U60R020T1AG | 138.1500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SP1 | APTML100 | モスフェット(金属酸化物) | SP1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 1000 V | 20a(tc) | 10V | 720mohm @ 10a 、10v | 4V @ 2.5MA | ±30V | 6000 PF @ 25 V | - | 520W | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT54GA60B | 6.3900 | ![]() | 7303 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | Power Mos 8™ | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | APT54GA60 | 標準 | 416 w | to-247 [b] | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V、32a | pt | 600 V | 96 a | 161 a | 2.5V @ 15V、32a | 534µj (466µj (オフ) | 158 NC | 17ns/112ns | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT8015JVFR | 85.1500 | ![]() | 8642 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMosv® | チューブ | アクティブ | シャーシマウント | SOT-227-4、ミニブロック | APT8015 | モスフェット(金属酸化物) | ISOTOP® | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 800 V | 44a(tc) | 150mohm @ 500ma 、10V | 4V @ 5MA | 285 NC @ 10 V | 17650 PF @ 25 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5290 | 519.0900 | ![]() | 9932 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | スタッドマウント | TO-211MA | 116 W | to-61 | - | 影響を受けていない | 150-2N5290 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 V | 10 a | - | PNP | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | aptglq75h120t3g | 125.0600 | ![]() | 2190 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | 穴を通して | SP1 | aptglq75 | 385 W | 標準 | SP1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | フルブリッジ | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 130 a | 2.4V @ 15V 、75a | 50 µA | はい | 4.4 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Jansr2N222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 | 152.2210 | ![]() | 4124 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/255 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | 650 MW | ua | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-JANSR2N22222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222 | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 800 Ma | 50NA | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
APT35GN120L2DQ2G | 10.7800 | ![]() | 8917 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-264-3、TO-264AA | APT35GN120 | 標準 | 379 W | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 800V、35a | npt 、トレンチフィールドストップ | 1200 v | 94 a | 105 a | 2.1V @ 15V、35a | 2.315MJ (オフ) | 220 NC | 24ns/300ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VN0300L-G | 1.4300 | ![]() | 1915年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バッグ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-226-3 | VN0300 | モスフェット(金属酸化物) | to-92-3 | - | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | nチャネル | 30 V | 640ma | 5V、10V | 1.2OHM @ 1A 、10V | 2.5V @ 1MA | ±30V | 190 pf @ 20 v | - | 1W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMLRGLQ80V601AMXG-AS | - | ![]() | 8426 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | * | トレイ | 廃止 | - | 150-cmlrglq80v601amxg-as | 廃止 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT1201R4BLLG | 13.2600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | PowerMos7® | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 穴を通して | TO-247-3 | APT1201 | モスフェット(金属酸化物) | TO-247-3 | - | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 150-apt1201r4bllg | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | nチャネル | 1200 v | 9a(tc) | 10V | 1.4OHM @ 4.5A 、10V | 5V @ 1MA | 120 NC @ 10 V | ±30V | 2500 PF @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTM10HM19FT3G | 89.0600 | ![]() | 9756 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | シャーシマウント | SP3 | APTM10 | モスフェット(金属酸化物) | 208W | SP3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 nチャネル(ハーフブリッジ) | 100V | 70a | 21mohm @ 35a 、10V | 4V @ 1MA | 200NC @ 10V | 5100pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | aptgl60dda120t3g | 75.0300 | ![]() | 7940 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | SP3 | aptgl60 | 280 W | 標準 | SP3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | デュアルブーストチョッパー | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 80 a | 2.25V @ 15V 、50a | 250 µA | はい | 2.77 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||||
APTGF150H120G | - | ![]() | 4696 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | 廃止 | - | シャーシマウント | SP6 | 961 w | 標準 | SP6 | ダウンロード | 1 (無制限) | APTGF150H120GMP-ND | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | フルブリッジインバーター | npt | 1200 v | 200 a | 3.7V @ 15V 、150a | 350 µA | いいえ | 10.2 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6308T1 | 349.2000 | ![]() | 8294 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C | 穴を通して | to-204aa、to-3 | 125 w | TO-204AD(to-3) | - | 影響を受けていない | 150-2N6308T1 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 350 V | 8 a | 50µA | npn | 5V @ 2.67a 、8a | 12 @ 3a 、5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jantx2n2946aub/tr | - | ![]() | 9158 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | MIL-PRF-19500/382 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 400 MW | ub | - | 150-jantx2n2946aub/tr | 1 | 35 v | 100 Ma | 10µa(icbo) | PNP | - | 50 @ 1MA 、500mv | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
APT100GT120JU3 | 38.3400 | ![]() | 5932 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -55°C〜150°C | シャーシマウント | ISOTOP | APT100 | 480 w | 標準 | SOT-227 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | シングル | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 140 a | 2.1V @ 15V 、100A | 5 Ma | いいえ | 7.2 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||
aptgt75tdu120pg | 244.2520 | ![]() | 8010 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | - | シャーシマウント | SP6 | aptgt75 | 350 W | 標準 | SP6-P | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | トリプル、デュアル -共通のソース | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 100 a | 2.1V @ 15V 、75a | 250 µA | いいえ | 5.34 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTCV60TLM45T3G | 109.2700 | ![]() | 6183 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | SP3 | APTCV60 | 250 W | 標準 | SP3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 3レベルインバーター-igbt 、FET | トレンチフィールドストップ | 600 V | 100 a | 1.9V @ 15V 、75a | 250 µA | はい | 4.62 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APTGT100A120T3AG | 121.1400 | ![]() | 1960年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜150°C (TJ | 穴を通して | SP3 | aptgt100 | 595 w | 標準 | SP3 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ハーフブリッジ | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 140 a | 2.1V @ 15V 、100A | 250 µA | はい | 7.2 nf @ 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | aptglq200hr120g | 242.7600 | ![]() | 1085 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | 穴を通して | SP6 | aptglq200 | 1000 w | 標準 | SP6 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 300 a | 2.4V @ 15V 、160a | 200 µA | いいえ | 9.2 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | APT25GR120SD15 | 8.0200 | ![]() | 1937年年 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | チューブ | アクティブ | -55°C〜150°C | 表面マウント | TO-268-3 | APT25GR120 | 標準 | 521 w | d3pak | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V 、25A 、4.3OHM、15V | npt | 1200 v | 75 a | 100 a | 3.2V @ 15V 、25a | 742µj (427µj(オフ) | 203 NC | 16ns/122ns | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANSP2N2221AUBC | 231.8416 | ![]() | 5285 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/255 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 500 MW | UBC | - | 影響を受けていない | 150-JANSP2N2221AUBC | 1 | 50 v | 800 Ma | 50NA | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | aptglq100da120t1g | 58.8400 | ![]() | 6540 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -40°C〜175°C | シャーシマウント | モジュール | aptglq100 | 520 W | 標準 | SP1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ブーストチョッパー | トレンチフィールドストップ | 1200 v | 170 a | 2.42V @ 15V 、100A | 50 µA | はい | 6.15 nf @ 25 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jansf2n2221aubc | 238.4918 | ![]() | 4229 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/255 | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 3-SMD 、リードなし | 500 MW | UBC | - | 影響を受けていない | 150-jansf2n2221aubc | 1 | 50 v | 800 Ma | 50NA | npn | 1V @ 50ma 、500ma | 100 @ 150ma 、10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | jan2n2484ua/tr | 16.3191 | ![]() | 1581 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | 軍事、MIL-PRF-19500/376 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 表面マウント | 4-SMD 、リードなし | 2N2484 | 360 MW | ua | - | ROHS3準拠 | 影響を受けていない | 150-jan2n2484ua/tr | ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 V | 50 Ma | 2NA | npn | 300MV @ 100µA、1MA | 225 @ 10MA 、5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3016 | 31.9050 | ![]() | 2797 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | 穴を通して | to-205aa、to-5-3 | 5 W | to-5aa | - | 影響を受けていない | 150-2N3016 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 50 v | - | npn | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5330 | 519.0900 | ![]() | 5710 | 0.00000000 | マイクロチップテクノロジー | - | バルク | アクティブ | -65°C〜200°C (TJ) | スタッドマウント | TO-211MA | 140 w | to-61 | - | 影響を受けていない | 150-2N5330 | ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 90 v | 20 a | - | PNP | 1.8V @ 2MA 、10mA | - | - |
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