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トランジスタ（5714）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	電圧 -定格	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	頻度	テクノロジー	パワー -マックス	入力	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	構成	フェットタイプ	現在の評価（ amp）	現在 -テスト	電力 -出力	得	電源（ VDSS ）への排水	電流 -連続排水（ID @ @ 25°C	ドライブ電圧（最大rds onmin rds on	rds on max） @ id vgs	vgs	ゲートチャージ（ QG	VGS （最大）	ciss ）（ max @ vds	フェット機能	電力散逸（最大）	ノイズ図	IGBTタイプ	電圧 -コレクターエミッタの分解（最大）	現在 -コレクター（IC ）（最大）	vce（on max） @ vge	電圧 -テスト	現在 -コレクターカットオフ（最大）	NTCサーミスタ	入力容量（ cies @ vce	トランジスタタイプ	vce 飽和（max @ ib、ic	DC電流ゲイン	頻度 -遷移
JANSP2N2221AUBC	231.8416	RFQ	5285	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW		UBC	-			影響を受けていない	150-JANSP2N2221AUBC			1																			50 v	800 Ma			50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
aptglq100da120t1g	58.8400	RFQ	6540	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	aptglq100			520 W	標準	SP1	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	ブーストチョッパー																	トレンチフィールドストップ	1200 v	170 a	2.42V @ 15V 、100A		50 µA	はい	6.15 nf @ 25 v
jansf2n2221aubc	238.4918	RFQ	4229	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし				500 MW		UBC	-			影響を受けていない	150-jansf2n2221aubc			1																			50 v	800 Ma			50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
jan2n2484ua/tr	16.3191	RFQ	1581	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/376	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし	2N2484			360 MW		ua	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jan2n2484ua/tr	ear99	8541.21.0095	1																			60 V	50 Ma			2NA			npn	300MV @ 100µA、1MA	225 @ 10MA 、5V	-
2N3016	31.9050	RFQ	2797	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3				5 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-2N3016	ear99	8541.29.0095	1																			50 v				-			npn	-	-	-
JANKCAD2N2369A	-	RFQ	4408	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C	穴を通して	to-206aa				500 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-jankcad2n2369a			100																			15 V				400na			npn	450mv @ 10ma 、100ma	40 @ 10ma、1V	-
2N5330	519.0900	RFQ	5710	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	スタッドマウント	TO-211MA				140 w		to-61	-			影響を受けていない	150-2N5330	ear99	8541.29.0095	1																			90 v	20 a			-			PNP	1.8V @ 2MA 、10mA	-	-
JANTX2N7371	-	RFQ	1979年年	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/623	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	TO-254-3				100 W		TO-254	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1																			100 V	1 Ma			1ma			pnp-ダーリントン	3V @ 120ma 、12a	1000 @ 6a、3V	-
2N3776	33.0450	RFQ	7539	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	to-205aa、to-5-3				5 W		to-5aa	-			影響を受けていない	150-2N3776	ear99	8541.29.0095	1																			80 v	1 a			-			PNP	-	-	-
jansl2n3634ub	-	RFQ	5039	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし				1 W		ub	-	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	50																			140 v	10 µA			10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	50 @ 50ma 、10V	-
jantx2n2484ub/tr	17.4762	RFQ	7910	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/376	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	3-SMD 、リードなし	2N2484			360 MW		ub	-	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-jantx2n2484ub/tr	ear99	8541.21.0095	1																			60 V	50 Ma			2NA			npn	300MV @ 100µA、1MA	225 @ 10MA 、5V	-
APT30F50S	6.4200	RFQ	4566	マイクロチップテクノロジー	Power Mos 8™	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-268-3	APT30F50		モスフェット（金属酸化物）			d3pak	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					500 V	30a（tc）	10V	190mohm @ 14a 、10V	5V @ 1MA	115 NC @ 10 V	±30V	4525 PF @ 25 V	-	415W
APL502B2G	55.1100	RFQ	7624	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3バリアント	APL502		モスフェット（金属酸化物）			T-Max™[B2]	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1		nチャネル					500 V	58a	15V	90mohm @ 29a、12v	4V @ 2.5MA		±30V	9000 pf @ 25 V	-	730W
TP2502N8-G	1.7000	RFQ	9247	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-243AA	TP2502		モスフェット（金属酸化物）			TO-243AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000		pチャネル					20 v	630MA （TJ）	5V、10V	2OHM @ 1A 、10V	2.4V @ 1MA		±20V	125 pf @ 20 v	-	1.6W
2n930ub/tr	22.8600	RFQ	3771	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし						ub	-							100																			45 v	30 Ma			-			npn	-	-	-
jan2n4449ua	29.6058	RFQ	5955	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/317	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし				500 MW		ua	-			影響を受けていない	150-JAN2N4449UA	ear99	8541.21.0095	1																			15 V				400na			npn	450mv @ 10ma 、100ma	40 @ 10ma、1V	-
SG2821L-883B	-	RFQ	6741	マイクロチップテクノロジー	-	トレイ	アクティブ		-55°C〜125°C	表面マウント	20-CLCC	SG2821			-		20-clcc （8.89x8.89	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	150-SG2821L-883B	ear99	8541.29.0095	50																			95V	500mA			-			8 npnダーリントン	1.6V @ 500µA、350MA	1000 @ 350MA 、2V	-
jankcap2n3637	-	RFQ	3492	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/357	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205ad、to-39-3金属缶				1 W		to-39	-			影響を受けていない	150-jankcap2n3637			100																			175 v	1 a			10µA			PNP	600mv @ 5ma 、50ma	100 @ 50ma 、10V	-
aptmc60tlm14cag	-	RFQ	9045	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜150°C （TJ	シャーシマウント	SP6	aptmc60		炭化シリコン（原文）	925W		SP6	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	4 nチャネル（3 レベルインバーター）						1200V（1.2kv）	219a		12mohm @ 150a 、20V	2.4V @ 30MA（タイプ）	483NC @ 20V		8400pf @ 1000V	-
aptgt300tl65g	325.1400	RFQ	7002	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ					aptgt300						-	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1
VP2450N8-G	2.1300	RFQ	8008	マイクロチップテクノロジー	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-55°C〜150°C	表面マウント	TO-243AA	VP2450		モスフェット（金属酸化物）			TO-243AA	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	2,000		pチャネル					500 V	160ma	4.5V 、10V	30OHM @ 100MA 、10V	3.5V @ 1MA		±20V	190 pf @ 25 v	-	1.6W
2N5662	21.1736	RFQ	3918	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-205aa、to-5-3	2N5662			1 W		to-5	ダウンロード	ROHS非準拠		影響を受けていない		ear99	8541.21.0095	1																			200 v	2 a			200na			npn	800mv @ 400ma 、2a	40 @ 500MA 、5V	-
2N5759	77.3850	RFQ	2024	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-	穴を通して	to-204aa、to-3				150 W		TO-204AD（to-3）	-			影響を受けていない	150-2N5759	ear99	8541.29.0095	1																			120 v	6 a			-			PNP	-	-	-
APT100GLQ65JU2	28.2300	RFQ	8882	マイクロチップテクノロジー	-	チューブ	アクティブ		-55°C〜175°C	シャーシマウント	SOT-227-4、ミニブロック	APT100			430 W	標準	ISOTOP®	ダウンロード	ROHS3準拠	適用できない	影響を受けていない		ear99	8541.29.0095	1	ブーストチョッパー																	トレンチフィールドストップ	650 V	165 a	2.3V @ 15V 、100A		50 µA	いいえ	6.1 nf @ 25 v
apt5020bnfr	-	RFQ	4728	マイクロチップテクノロジー	PowerMosiv®	チューブ	廃止		-55°C〜150°C	穴を通して	TO-247-3			モスフェット（金属酸化物）			TO-247AD	-		1 （無制限）			ear99	8541.29.0095	30		nチャネル					500 V	28a（tc）	10V	200mohm @ 14a 、10V	4V @ 1MA	210 NC @ 10 V	±30V	3500 PF @ 25 V	-	360W
jansm2n2222222222222222222222222	156.9608	RFQ	1290	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/255	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし				650 MW		ua	-			影響を受けていない	150-JANSM2N222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222222			1																			50 v	800 Ma			50NA			npn	1V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
MSCSM170DUM058AG	573.5200	RFQ	9786	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ		-40°C〜175°C	シャーシマウント	モジュール	MSCSM170		炭化シリコン（原文）	1642W		-	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない	150-MSCSM170DUM058AG	ear99	8541.29.0095	1	2 nチャンネル（デュアル）共通ソース						1700V（1.7kV）	353a		7.5mohm @ 180a 、20V	3.3V @ 15ma	1068NC @ 20V		19800pf @ 1000V	-
MSR2N2369AUA/TR	174.3497	RFQ	6353	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500	テープ＆リール（ tr）	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	表面マウント	4-SMD 、リードなし				360 MW		ua	-			影響を受けていない	150-MSR2N2369AUA/TR			100																			15 V				400na			npn	250MV @ 3MA 、30ma	40 @ 10ma、1V	-
jan2n2907ap	10.5070	RFQ	8786	マイクロチップテクノロジー	軍事、MIL-PRF-19500/291	バルク	アクティブ		-65°C〜200°C （TJ）	穴を通して	to-206aa				500 MW		TO-18（to-206aa	-			影響を受けていない	150-jan2n2907ap	ear99	8541.21.0095	1																			60 V	600 Ma			50NA			PNP	1.6V @ 50ma 、500ma	100 @ 150ma 、10V	-
VRF2933MP	333.0300	RFQ	10	マイクロチップテクノロジー	-	バルク	アクティブ	170 v			M177	VRF2933	150MHz	モスフェット			M177	ダウンロード		1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8541.29.0075	1	nチャネル		2MA	250 Ma	300W	25dB											-					50 v

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

トランジスタ（5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²